闩锁效应原理

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闩锁效应

标签:文库时间:2024-11-08
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闩锁效应

什么是闩锁效应? 闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应,严重会导致电路的失效,甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的 n-p-n-p结构产生的,当其中一个三极管正偏时,就会构成正反馈形成闩锁。避免闩锁的方法就是要减小衬底和N阱的寄生电阻,使寄生的三极管不会处于正偏状态。  闩锁效应:静电释放损坏元器件的机理

静电是一种看不见的破坏力,会对电子元器件产生影响。 ESD 和相关的电压瞬变都会引起闩锁效应(latch-up)是半导体器件失效的主要原因之一。如果有一个强电场施加在器件结构中的氧化物薄膜上,则该氧化物薄膜就会因介质击穿而损坏。很细的金属化迹线会由于大电流而损坏,并会由于浪涌电流造成的过热而形成开路。这就是所谓的“闩锁效应”。在闩锁情况下,器件在电源与地之间形成短路,造成大电流、EOS(电过载)和器件损坏。   CMOS 器件因闩锁效应特别容易损坏,因为电感会在器件的寄生电容中累积。另外,氧化物材料中任何原子一级的缺陷都会降低氧化物层的介电强度,使器件很容易因静电电压而失效。 

 电子系统中常见的 ESD 问题是通信接口器件,如RS-232驱动器和接收

闩锁效应

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闩锁效应

什么是闩锁效应? 闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应,严重会导致电路的失效,甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的 n-p-n-p结构产生的,当其中一个三极管正偏时,就会构成正反馈形成闩锁。避免闩锁的方法就是要减小衬底和N阱的寄生电阻,使寄生的三极管不会处于正偏状态。  闩锁效应:静电释放损坏元器件的机理

静电是一种看不见的破坏力,会对电子元器件产生影响。 ESD 和相关的电压瞬变都会引起闩锁效应(latch-up)是半导体器件失效的主要原因之一。如果有一个强电场施加在器件结构中的氧化物薄膜上,则该氧化物薄膜就会因介质击穿而损坏。很细的金属化迹线会由于大电流而损坏,并会由于浪涌电流造成的过热而形成开路。这就是所谓的“闩锁效应”。在闩锁情况下,器件在电源与地之间形成短路,造成大电流、EOS(电过载)和器件损坏。   CMOS 器件因闩锁效应特别容易损坏,因为电感会在器件的寄生电容中累积。另外,氧化物材料中任何原子一级的缺陷都会降低氧化物层的介电强度,使器件很容易因静电电压而失效。 

 电子系统中常见的 ESD 问题是通信接口器件,如RS-232驱动器和接收

集成电路工艺与闩锁效应和ESD电路设计

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集成电路工艺与闩锁效应和ESD电路设计

《集成电路工艺、闩锁效应和ESD电路设计》第一章分两节,第一节内容主要介绍集成电路工艺制程技术的发展过程,集成电路工艺制造技术从最初的BJT工艺制造技术发展到CMOS工艺制造技术,并在CMOS工艺制造技术的基础上衍生出BiCMOS、BCD和HV-CMOS工艺制作技术以满足不同功能集成电路的要求。同时器件也从最初的BJT发展的MOSFET。第二节介绍先进工艺制程技术HKMG,以及FD-SOI和 FinFET器件结构。随着集成电路工艺制造技术不断发展,短沟道效应越来越严重,当氧化层的电性厚度接近1nm时,传统的SiON栅介质层不再是理想的绝缘体,栅极与衬底之间将会出现明显的量子隧穿效应,衬底的电子以量子的形式穿过栅介质层进入栅极,形成栅极漏电流,为了改善栅极漏电流,开发出高K介质材料的栅介质层,并用金属栅代替多晶硅栅,开发出HKMG工艺制程技术。当集成电路工艺制造技术的特征尺寸发展到22nm时,由于短沟道效应,平面结构的MOSFET会在器件关闭时,源漏之间依然出现严重的漏电问题,所以平面结构的MOSFET已经不能满足集成电路高性能的要求,在MOSFET的基础上开发出FD-SOI和3D结构的FinFET。

原理效应规则篇

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【蝴蝶效应】【青蛙现象】【鳄鱼法则】 【鲇鱼效应】 【羊群效应】 【刺猬法则】 【手表定律】

【破窗理论】【二八定律】【木桶理论】 【马太效应】 【鸟笼逻辑】 【责任分散效应】【帕金森定律】

【晕轮效应】【霍桑效应】【习得性无助实验】【证人的记忆】【罗森塔尔效应】【虚假同感偏差】

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【蝴蝶效应】

蝴蝶效应:上个世纪70年代,美国一个名叫洛伦兹的气象学家在解释空气系统理论时说,亚马逊雨林一只蝴蝶翅膀偶尔振动,也许两周后就会引起美国得克萨斯州的一场龙卷风。

蝴蝶效应是说,初始条件十分微小的变化经过不断放大,对其未来状态会造成极其巨大的差别。有些小事可以糊涂,有些小事如经系统放大,则对一个组织、一个国家来说是很重要的,就不能糊涂。

今天的企业,其命运同样受“蝴蝶效应”的影响。消费者越来越相信感觉,所以品牌消费、购物环境、服务态度??这些无形的价值都会成为他们选择的因素。所以只要稍加

原理效应24 则

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原理效应24则

1.“金鱼缸”法则。金鱼缸是玻璃做的,透明度很高,不论从哪个角度观察,里面的情况都一清二楚。谈谈你对“金鱼缸”法则的理解和运用。

【概念】“金鱼缸法则”由日本株式会社社长北田光男先生始创,是现代管理的一项基本原则和先进模式。北田光男先生强调,把增强透明度的重点放在各级经营管理者的经济收入上,要求企业各级领导者的经济收入和费用报销要如实地向企业利益相关者公开,接受企业利益相关者的批评建议,并根据员工们的意见,对经营管理进行改进。

【破题】“金鱼缸法则”的寓意就是实行公开透明的民主管理。

【角度】

①“金鱼缸法则”运用到企业中。就是要求企业领导增加企业各项工作的透明度,让其行为置于全体下属的监督之下,从而有效防止企业领导享受特权、滥用权力,进一步强化企业领导的自我约束机制。

②“金鱼缸法则”运用到政务中。就是要求政府将正在筹划或准备实施的诸如城市建设、道路规划、价格调整、医疗措施、事务处理等各项工作的内容及进程予以公开,任何公民都可以通过如决策听证会、政务公开栏、政务公

开网络等特定途径进行了解、查询、监督,以此促进政府决策的民主化、科学化、规范化。

③“金鱼缸效应”运用到管理中。就是要求管理者必须增加规章制度和各项工作的透明度,从

霍尔效应的原理及其应用

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霍尔效应的原理及其应用

蒲紫微 1320012 13级生物医学工程

【摘 要】从霍尔效应的发现开始,系统阐述了霍尔效应的原理、可测量的物理量,并介绍了目前霍尔效应在实际中的应用,同时介绍了霍尔效应的新进展。 【关键词】霍尔效应;实际应用;测量;新进展

霍尔效应已有100多年的发展史,在此期

间,对霍尔效应的研究,科学家们从没有停止过。霍尔效应是霍普斯金大学研究生霍尔1879年发现的,它属于电磁效应的一种,但又区别于传统的电磁效应。当电流通过导体且外加磁场方向与电流方向垂直时,在与磁场和电流均垂直的方向上便会产生一附加电场,于是,导体的两端便会产生电势差,这一现象就是霍尔效应,这个电势差一般也被称作霍尔电势差。[1] 1 霍尔效应原理 一个由半导体材料制成的霍尔元件薄片,设其长、宽、厚分别为 l,b,d。将其放在如图1所示的垂直磁场中,沿3,4两个侧面方向通以电流,大小为 I。由于洛伦兹力Fm的作用使电子运动轨迹发生偏转,造成电子在霍尔元件薄片的1侧聚集过量的负电荷,2侧聚集过量的正电荷。因此在薄片内部产生了由2侧指向1侧的电场EH,同时电子还受到与洛伦兹力反向的电场力 FH的作用。当两力大小相等时,电子的累积和聚集便达到动态平衡。这时

霍尔效应的原理及其应用

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霍尔效应的原理及其应用

蒲紫微 1320012 13级生物医学工程

【摘 要】从霍尔效应的发现开始,系统阐述了霍尔效应的原理、可测量的物理量,并介绍了目前霍尔效应在实际中的应用,同时介绍了霍尔效应的新进展。 【关键词】霍尔效应;实际应用;测量;新进展

霍尔效应已有100多年的发展史,在此期

间,对霍尔效应的研究,科学家们从没有停止过。霍尔效应是霍普斯金大学研究生霍尔1879年发现的,它属于电磁效应的一种,但又区别于传统的电磁效应。当电流通过导体且外加磁场方向与电流方向垂直时,在与磁场和电流均垂直的方向上便会产生一附加电场,于是,导体的两端便会产生电势差,这一现象就是霍尔效应,这个电势差一般也被称作霍尔电势差。[1] 1 霍尔效应原理 一个由半导体材料制成的霍尔元件薄片,设其长、宽、厚分别为 l,b,d。将其放在如图1所示的垂直磁场中,沿3,4两个侧面方向通以电流,大小为 I。由于洛伦兹力Fm的作用使电子运动轨迹发生偏转,造成电子在霍尔元件薄片的1侧聚集过量的负电荷,2侧聚集过量的正电荷。因此在薄片内部产生了由2侧指向1侧的电场EH,同时电子还受到与洛伦兹力反向的电场力 FH的作用。当两力大小相等时,电子的累积和聚集便达到动态平衡。这时

固定效应模型的估计原理说明 - 图文

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固定效应模型的估计原理说明

在面板数据线性回归模型中,如果对于不同的截面或不同的时间序列,只是模型的截距项是不同的,而模型的斜率系数是相同的,则称此模型为固定效应模型。固定效应模型分为三类:

1.个体固定效应模型

个体固定效应模型是对于不同的纵剖面时间序列(个体)只有截距项不同的模型:

yit??i???kxkit?uit (1)

k?2K从时间和个体上看,面板数据回归模型的解释变量对被解释变量的边际影响均是相同的,而且除模型的解释变量之外,影响被解释变量的其他所有(未包括在回归模型或不可观测的)确定性变量的效应只是随个体变化而不随时间变化时。

检验:采用无约束模型和有约束模型的回归残差平方和之比构造F统计量,以检验设定个体固定效应模型的合理性。F模型的零假设:

H0:?1??2??3??????N?1?0

N?1?F(N?1,N(T?1)?K?1)

URSS(NT?N?K?1)(RRSS?URSS)F?RRSS是有约束模型(即混合数据回归模型)的残差平方和,URSS是无约束模型ANCOVA估计的残差平方和或者LSDV估计的残差平方和。

实践:

一、数据:已知1996—2002年中国东北、华北、华东15个省级地区的居民

固定效应模型的估计原理说明 - 图文

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固定效应模型的估计原理说明

在面板数据线性回归模型中,如果对于不同的截面或不同的时间序列,只是模型的截距项是不同的,而模型的斜率系数是相同的,则称此模型为固定效应模型。固定效应模型分为三类:

1.个体固定效应模型

个体固定效应模型是对于不同的纵剖面时间序列(个体)只有截距项不同的模型:

yit??i???kxkit?uit (1)

k?2K从时间和个体上看,面板数据回归模型的解释变量对被解释变量的边际影响均是相同的,而且除模型的解释变量之外,影响被解释变量的其他所有(未包括在回归模型或不可观测的)确定性变量的效应只是随个体变化而不随时间变化时。

检验:采用无约束模型和有约束模型的回归残差平方和之比构造F统计量,以检验设定个体固定效应模型的合理性。F模型的零假设:

H0:?1??2??3??????N?1?0

N?1?F(N?1,N(T?1)?K?1)

URSS(NT?N?K?1)(RRSS?URSS)F?RRSS是有约束模型(即混合数据回归模型)的残差平方和,URSS是无约束模型ANCOVA估计的残差平方和或者LSDV估计的残差平方和。

实践:

一、数据:已知1996—2002年中国东北、华北、华东15个省级地区的居民

中介效应分析:原理、程序、Bootstrap方法及其应用

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