模电二极管思维导图

第一章答案

1.1 在一本征硅中，掺入施主杂质，其浓度ND=2?10cm?3。

（1）求室温300K时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并说明半导体为P型或N型。 （2 若再掺入受主杂质，其浓度NA=3?10cm?3（3）若ND=NA=10cm?3,，重复（1）。

（4）若ND=10cm?3，NA=10cm?3，重复（1）。

10解：（1）已知本征硅室温时热平衡载流子浓度值ni=1.5?10 cm

1614151414，重复（1）。

?3，施主杂质

ND=2?1014cm?3>> ni=1.5?1010 cm?3，所以可得多子自由浓度为

14?3 n0?ND=2?10cm

少子空穴浓度

n6?3 p0=i=1.125?10cm

n0该半导体为N型。

?3（2）因为NA?ND=1?10cm>>ni，所以多子空穴浓度 14?3 p0?1?10cm

142少子电子浓度

n6?3 n0=i=2.25?10cm

p0该半导体为P型。 （3）因为NA=ND,所以

10?3 p0= n0= ni=1.5?10cm

2该半导体为本征半导体。

161414?3（4）因为ND?NA=1

第三章 二极管3.1 理想二极管 3.2 结二极管端口特性 3.3 二极管正向特性建模 3.4 工作在反向击穿区域的二极管—齐纳二极管 3.5 整流电路 3.6 限幅电路与钳位电路 3.7 二极管的物理特性国家实验教学示范中心杭州电子科技大学电工电子实验中心 National Experimental Teaching Demonstration Center

介绍：二极管

二极管是非线性电路元件 二极管是一个单向电路元件—单向导电性 最常见的应用是整流 二极管由一个PN结构成 先研究二极管的外部特性、等效模型和基本应用，最 后研究其内部结构、原理和物理特性 二极管是一切电子器件的基础(三极管，场效应管， 集成电路)。国家实验教学示范中心杭州电子科技大学电工电子实验中心 National Experimental Teaching Demonstration Center

一 、二极管的结构和工作原理1. 理想二极管的符号和特性

i 正极 (阳极)

负极 (阴极)

+

v

伏安特性

符号国家实验教学示范中心

杭州电子科技大学电工电子实验中心 National Experimental Teaching Demonstration Center

习题６

基础知识部分：

6.1 选择题

1．用万用表R×1K电阻档测某一个二极管时，发现其正、反电阻均近于1000ＫΩ，这说明该二极管（ ）

A、短路 B、 完好 C、 开路 D、无法判断

答案：C

2.二极管反偏时，以下说法正确的是（ ）

A、在达到反向击穿电压之前通过电流很小，称为反向饱和电流；

B、在达到死区电压之前，反向电流很小；

C、二极管反偏一定截止，电流很小，与外加反偏电压大小无关。

答案：A

3.图示电路，二极管导通时压降为0.7V，反偏时电阻为∞，则以下说法正确的是（

A、VD导通，UAO=5.3V； B、VD导通，UAO=—5.3V；

C、VD导通，UAO=—6V； D、VD导通，UAO=6V；

）。

E、VD截止，UAO=—9V。

答案：C

4.下列电路中变压器二次电压均相同，负载电阻及滤波电容均相等，二极管承受反向电压最低的是( )，负载电流最小的是（ ）。

A.半波整流电容滤波电路 B.全波整流电容滤波电路

C.桥式整流电容滤波电路

答案：C A

5. 图示电路，若变压器二次电压为10V，现测得输出电压为14.1V，则说明( )。若测得输出电压为

第一章 整流滤波电路

一、填空题

1、（1-1，低）把P型半导体N型半导体结合在一起，就形成 。

2、（1-1，低）半导体二极管具有单向导电性，外加正偏电压 ，外加反偏电压 。 3、（1-1，低）利用二极管的 ，可将交流电变成 。

4、（1-1，低）根据二极管的 性，可使用万用表的R×1K挡测出其正负极，一般其正反向的电阻阻值相差越 越好。

5、（1-1，低）锗二极管工作在导通区时正向压降大约是 ，死区电压是 。 6、（1-1，低）硅二极管的工作电压为 ，锗二极管的工作电压为 。 7、（1-1，中）整流二极管的正向电阻越 ，反向电阻越 ，表明二极管的单向导电性能越好。

8、（1-1，低）杂质半导体分 型半导体和 型半导体两大类。

9、（1-1，低）半导体二极管的主要参数有 、 ，此外还有 、 、 等参数，选用二极管的时候也应注意。

10、（1-1，中）当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为

第一章 整流滤波电路

一、填空题

1、（1-1，低）把P型半导体N型半导体结合在一起，就形成 。

2、（1-1，低）半导体二极管具有单向导电性，外加正偏电压 ，外加反偏电压 。 3、（1-1，低）利用二极管的 ，可将交流电变成 。

4、（1-1，低）根据二极管的 性，可使用万用表的R×1K挡测出其正负极，一般其正反向的电阻阻值相差越 越好。

5、（1-1，低）锗二极管工作在导通区时正向压降大约是 ，死区电压是 。 6、（1-1，低）硅二极管的工作电压为 ，锗二极管的工作电压为 。 7、（1-1，中）整流二极管的正向电阻越 ，反向电阻越 ，表明二极管的单向导电性能越好。

8、（1-1，低）杂质半导体分 型半导体和 型半导体两大类。

9、（1-1，低）半导体二极管的主要参数有 、 ，此外还有 、 、 等参数，选用二极管的时候也应注意。

10、（1-1，中）当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为

晶体二极管和二极管整流电路

姓名： 一、填空

1、如图，这是 材料的二极管的____ 曲线，在正向电压超过 V后，二极 管开始导通，这个电压称为 电压。正常 导通后，此管的正向压降约为 V。当反向 电压增大到 V时，即称为 电压。 2、二极管的伏安特性指 和 关系，当正向电压超过 ___后，

I(mA) -50 0 0.6 V(v) 二极管导通。正常导通后，二极管的正向压降很小，硅管约为 V,锗管约为 V。 3、二极管的重要特性是 ，具体指：给二极管加 电压，二极管导通；给二极管加 电压，二极管截止。

4、 PN结的单向导电性指 ，当反向电压增大到 时，反向电流会急剧增大，这种现象称 。

5、二极管的主要参数有 ________、_________和 ，二极管的主要特性是 。

6、用

晶体二极管和二极管整流电路

姓名： 一、填空

1、如图，这是 材料的二极管的____ 曲线，在正向电压超过 V后，二极 管开始导通，这个电压称为 电压。正常 导通后，此管的正向压降约为 V。当反向 电压增大到 V时，即称为 电压。 2、二极管的伏安特性指 和 关系，当正向电压超过 ___后，

I(mA) -50 0 0.6 V(v) 二极管导通。正常导通后，二极管的正向压降很小，硅管约为 V,锗管约为 V。 3、二极管的重要特性是 ，具体指：给二极管加 电压，二极管导通；给二极管加 电压，二极管截止。

4、 PN结的单向导电性指 ，当反向电压增大到 时，反向电流会急剧增大，这种现象称 。

5、二极管的主要参数有 ________、_________和 ，二极管的主要特性是 。

6、用

第一章 半导体二极管

练习题

一、填空

1. 当温度升高时，由于二极管内部少数载流子浓度 ，因而少子漂移而形成的反向电

流 ，二极管反向伏安特性曲线 移。

2. 在PN结形成过程中，载流子扩散运动是 作用下产生的，漂移运动是 作用下产生的。

3. 在本征半导体中掺入 价元素得N型半导体，掺入 价元素则得P型半导体。

4. 半导体中有 和 两种载流子参与导电，其中 带正电，而 带负电。 5. 本征半导体掺入微量的五价元素，则形成 型半导体，其多子为 ，少子为 。 6. 纯净的具有晶体结构的半导体称为 ，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为 。

7. PN结正偏是指P区电位 N区电位。

8. PN结在 时导通， 时截止，这种特性称为 。

9. 二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中 是可逆的，而 会损坏二极管。 10. 二极管P区接电位 端，N区接电位 端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏

低频电子电路

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篇一：贴片二极管型号、参数

贴片二极管型号.参数查询

1、肖特基二极管SMA（DO214AC）

2010-2-2 16:39:35

标准封装：

SMA <---------------->2010 SMB <---------------->2114 SMC <---------------->3220 SOD123 <---------------->1206 SOD323 <---------------->0805 SOD523 <---------------->0603 IN4001的封装是1812 IN4148的封装是1206

篇二：常见贴片二极管三极管的封装

常见贴片二极管/三极管的封装

常见贴片二极管/三极管的封装

二极管：

名称 尺寸及焊盘间距其他尺寸相近的封装名称

SMC 6.8X6-8.0

SMB 4.5X3.5-5.3

SMA 4.5X2.5-5.0 SOD-106

SOD-1232.7X1.6-3.5 SC-77A

SOD-3231.7X1.2-2.5 SC-76/SC-90A

SOD-5231.2X0.8-1.6 SC-79

SOD-7231.0X0.6-1.4

SOD