模拟电子电路基础
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2007《电子电路基础》答案
北京联合大学2007专接本《电子电路基础》试卷(A)
注意:本试卷共六道大题。 题号 一 二 三 四 五 六 总分 30 10 24 20 11 5 题分 核分人 得分 复查人
一、 填空题(每空1分,共30分)
1.本征半导体中有两种载流子,一种是 电子 ,另一种是 空穴 。 2.在PN结形成过程中,载流子的 扩散 运动是载流子的浓度梯度作用产生的, 漂移 运动是内建电场作用产生的。
3. 场效应管是 多数 载流子参与导电的 电压 控制器件。 4. 当温度上升时,晶体管以下参数的变化趋势是;ICBO 增大 ;UBEO 减小 ; (填写:增大 、减小、不变) ? 增大 。5. 场效应管是通过改变 电压 来控制漏极电流的,所以场效应管是 电压 控制 电流 器件。
6. (12.375)10 等于二进制数的 1100.011 ,等于8进制数的 14.3 ,等于16进制数的 0E.6 。
7. 使逻辑函数F1?ABCD值为1的各变量取值是(按A、B、C、D顺序写) 0110 ;
电子电路基础练习1答案
电子电路基础练习题
一、填空题
1. PN结加正偏电压时, P区接_高_电位, N区接_低_电位, 此时电流_大_(大小高低)。
2. 常温下,硅二极管的开启电压(即:死区电压)约__0.5_V,导通电压约__0.7_V;锗二极管的开
启电压(即:死区电压)约_0.1_V,导通电压约_0.2__V。
3. 双极型三极管中有__二____种载流子导电, 是__电流_____控制器件. 4. 场效应三极管中有_一__________种载流子导电, 是__电压___控制器件.
5. 双极型半导体三极管工作在放大状态时, 发射结_正向_偏置, 集电结__反向_偏置.对于NPN
管,此时各引脚电位大小关系是Uc _> _ UB _>_UE ;而对于PNP管,此时各引脚电位大小关系是UC _<__ UB_< _ UE 。 6. 温度升高时, 三极管的电流放大系数?变大_, 在相同IB的情况下,UBE将变_小_,ICBO变 大 。 7. 单管放大电路中欲获较高的电压放大倍数且反相输出,应当选用_共射_组态放大器;欲获较高
的输入电阻,应当选用_共集_组态放大器;欲获较宽的通頻带,应当选用_共基_组态放大器。 (限答双极型三极管单管放大电路组态名称)。 9. 欲放大直流信号, 应采用_直接__耦合方式.
10. 多级放大电路级间耦合有 直接 耦合、 阻容 耦合和 变压器 耦合三种方式。
11. 二变量真值表中,输入有0则输出为1,输入全1则输出为0,其逻辑关系是 与非
电子电路基础习题册参考答案
电子电路基础习题册参考答案免费提供(第三版)全国中等职业技术
第一章 常用半导体器件
§1-1 晶体二极管
一、 填空题
1、物质按导电能力的强弱可分为 导体 、 绝缘体 和 半导体 三大类,最常用的半导体材料是 硅 和 锗 。
2、根据在纯净的半导体中掺入的 杂质 元素不同,可形成 N 型半导体和 P 型半导体。
3、纯净半导体又称 本征 半导体,其内部空穴和自由电子数 相等 。N型半导体又称 电子 型半导体,其内部少数载流子是 空穴 ;P型半导体又称 空穴 型半导体,其内部少数载流子是 电子 。
4、晶体二极管具有 单向导电性 ,即加正向电压时,二极管 导通 ,加反向电压时,二极管 截止 。一般硅二极管的开启电压约为 0.5 V,锗二极管的开启电压约为 0.1 V;二极管导通后,一般硅二极管的正向压降约为 0.7 V,锗二极管的正向压降约为 0.3 V。
5.锗二极管开启电压小,通常用于 检波电路 ,硅二极管反向电流小,在 整流电路
及电工设备中常
《电子电路基础》综合练习题及解答
北京邮电大学高等函授教育
通信技术、计算机技术专业专科( 二 年级)
《电子电路基础》综合练习题及解答
第一部分 习题
一. 判断题(用√表示正确;用×表示不正确,并改正) ( ) 1、通过半导体中的电流为电子电流与空穴电流之和。
( ) 2、在本征半导体中掺入少量的磷元素,可以形成N型半导体,它的多子是自
由电子。
( ) 3、PN结内电场方向由P区指向N区,P区的电位要高于N区的电位。 ( ) 4、PN结指的是P型半导体与N型半导体两者交界面处的势垒区。在无外加
电压作用下,其扩散电流和漂移电流两者方向相反、大小相等。
( ) 5、PN结正向偏置时其结电容以扩散电容为主;反向偏置时以势垒电容为主,
它随反向偏压的增大其值减小。
( ) 6、半导体二极管具有单向导电特性,它的反向电流越小,表明管子的单向导
电性越好。
( ) 7、耗尽型场效应管与增强型场效应管的主要区别,从导电特性来看,当VGS
=0时,ID≠0为增强型管,ID=0为耗尽型管。
( ) 8、场效应管与晶体三极管一样,它们都是电流控制的电子器件。 ( ) 9、场效应管与晶体三极管一样,它们只有一种载流子参与导
《电子电路基础》综合练习题及解答
《电子电路基础》综合练习题及解答
北京邮电大学高等函授教育
通信技术、计算机技术专业专科( 二 年级)
《电子电路基础》综合练习题及解答
第一部分 习题
一. 判断题(用√表示正确;用×表示不正确,并改正) ( ) 1、通过半导体中的电流为电子电流与空穴电流之和。
( ) 2、在本征半导体中掺入少量的磷元素,可以形成N型半导体,它的多子是自
由电子。
( ) 3、PN结内电场方向由P区指向N区,P区的电位要高于N区的电位。 ( ) 4、PN结指的是P型半导体与N型半导体两者交界面处的势垒区。在无外加
电压作用下,其扩散电流和漂移电流两者方向相反、大小相等。
( ) 5、PN结正向偏置时其结电容以扩散电容为主;反向偏置时以势垒电容为主,
它随反向偏压的增大其值减小。
( ) 6、半导体二极管具有单向导电特性,它的反向电流越小,表明管子的单向导
电性越好。
( ) 7、耗尽型场效应管与增强型场效应管的主要区别,从导电特性来看,当VGS
=0时,ID≠0为增强型管,ID=0为耗尽型管。
( ) 8、场效应管与晶体三极管一样,它们都是电流控制的电子器件。 ( ) 9、场效应管与晶体三极管一样,它
15秋地大《电子电路基础》在线作业二 答案
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地大《电子电路基础》在线作业二
一、单选题(共 15 道试题,共 60 分。)
1. 在差动式放大电路中,差模输入信号等于两个输入端信号的____ . 和值 . 差值 . 平均值 . 乘积值 正确答案:
2. 场效应管是一种____ . 电压控制器件 . 电流控制器件 . 双极型器件 . 少子工作的器件 正确答案:
3. 为了稳定静态工作点,应引入____;为了稳定放大倍数,应引入____;为了改变输入电阻和输出电阻,应引入____;为了展宽频带,应引入____,下列说法正确的是____ . 直流负反馈;交流负反馈;交流负反馈;直流负反馈 . 交流负反馈;交流负反馈;直流负反馈;直流负反馈 . 直流负反馈;交流负反馈;交流负反馈;交流负反馈 . 交流负反馈;直流负反馈;直流负反馈;直流负反馈 正确答案:
4. 常温下,硅二极管的开启电压约____V,导通后在较大电流下的正向压降约____V;锗二极管的开启电压约____V,导通后在较大电流下的正向压降约____V,下列说法正确的是____。 . 0.3V;0.7V;0.1V
劳动第三版电子电路基础教案
电子电路基础 科 课 时 计 划§ 第 1 章 常用半导体器件 § 1-1 晶体二极管 § 旧课回顾 ① 同学们还记得上学期我们有没有学过半导体器件 ? 我们学习过那些晶体 管? ② 自然物质的铁和铜与塑料、玻璃在导电性能方面有何区别? § 教学目的 (5 分钟) ① 了解本征、杂质半质体的导电特性及 PN 结中截流子的运动; ② 掌握半导体的伏安特性及其主要参数,理解稳压管的原理及应用,了解 PN 结的电容效应。 一、半导体的基础知识 1.什么是半导体 导体:铁、铝、钢(金属材料) 按导电能力分 绝缘体:木(塑料、木材、陶瓷等) 硅 Si 半导体:导电介于导体与绝缘体之间 锗 Ge 2.本征半导体 本征半导体--化学成分纯净的半导体。 自由电子(带负电,可移动) 内部存数量相等的两种截流子 空穴(带正电,不可移动) 3.杂质半导体 在纯净半导体(本征半导体)中掺入微量合适的杂质元素,可使半导体的 导电能力大大增强。 杂质半导体分: (1)N 型半导体-又称电子型半导体,其内部自由电子数量多于空穴数量,即 自由电子是多数截流子(多子) ,空穴是少数截流子(少子) 。 (负电多于正电) (2)P 型半导体
模拟电子电路总复习
模拟电子电路复习
半导体二极管
符号
P 阳极P N N 阴极
模拟电子电路复习
稳压二极管 稳压二极管符号 稳压二极管特性曲线 I 稳定 正向同 电压 + 二极管 UZ 当稳压二极管工作 U 在反向击穿状态下, IZmin 当工作电流IZ在 稳定 IZ Izmax和 Izmin之间时, 电流 其两端电压近似为 IZmax 常数
模拟电子电路复习
三极管符号CN
C
CP
C B E PNP型三极管
B
B ENPN型三极管
P N
B
NP
E
E
模拟电子电路复习
§2.1 放大的概念电子学中放大的目的是将微弱的变化信号 放大成较大的信号。这里所讲的主要是电压 放大电路。 电压放大电路可以用有输入口和输出口的 四端网络表示,如图。 ui uo
Au
模拟电子电路复习
UA直流分量 全量 uA
ua
交流分量
t
模拟电子电路复习
§ 2.2 单管共发射极放大电路共射放大器 三极管放 大电路有 三种形式 共基放大器 共集放大器
模拟电子电路复习
+VCC Rb C1 T RL
Rc
C2
模拟电子电路复习
+VCC Rb C1 C2
ui
Re
RL
uo
模拟电子电路复习
模拟电子电路复习
放大电路的直流通道
+VCCRb C1 开路 Rc
C2开路
RL
模拟电子电路复习
直流通道+VCC Rb Rc
模拟
模拟电子电路基础试题及答案(大学期末考试题)
《模拟电子技术》模拟试题一
一、填空题:(每空1分 共40分)
1、PN结正偏时( 导通 ),反偏时( 截止),所以PN结具有( 单向 )
导电性。
2、漂移电流是( 温度/反向 )电流,它由( 少数 )载流子形成,其大小与( 温
度 )有关,而与外加电压(无关 )。
3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其
反偏时,结电阻为( 无穷大 ),等效成断开;
4、三极管是( 电流 )控制元件,场效应管是( 电压 )控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏 ),集电结( 反偏 )。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic( 变小 ),发射结压降( 不变 )。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是( 共基 )、( 共射 )、( 共集 )
放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用( 直流)负反馈,为了稳定交
流输出电流采用( 电流 )负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/((1+AF) ),对于深度负反馈放大电路的放
大倍数AF=( 1/ F )。
10、带有负反馈放
模拟电路基础试题
模拟电路基础测试题
一:填空题(每题1分,共15分)
1. PN结的基本特性是 特性。
2. 双极型晶体管(BJT)的特征频率是指使 下降为1时的频率。
3. 某放大器的电压增益AV =-70.7倍。该增益换算成分贝应为 分贝。
4. 当N沟道结型场效应管(JFET)内的沟道预夹断时,VGS 和VDS 满足关系式 。
5. 在集成放大器内部电路中,为了提高电压增益,常采用 作负载。
6. 零点漂移是放大器的一个特有的现象。
7. 当放大器小信号模型中只有一个独立电容时,该电容的将决定放大器的截止频率。
8. 如果要使放大器的输入电阻增加,可以采用负反馈。
9. 理想运放分析法的实质是条件在其应用电路中能够满足。
10. 放大器增益的对数频率特性曲线又称为
11. 变容二极管利用反偏二极管的
工作。
。
12. 当放大器输出信号的频率分量与输入信号不完全相同时,放大器出现了
13. 乙类功放在小信号工作时,因
14. 要使负载变化是放大器的输出电压的变化减小,可对放大器采用
失真使得输出波形畸变更严重。
失真。
负反馈。
15. 当集成放大器内部需要微电流时,采用微电流恒流源要优于采用基本镜像恒流源。原因之一是:
三:单项选择题(每题1分