java基础入门第三版电子版

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Java习题集(第三版)

标签:文库时间:2024-08-26
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JAVA语言程序设计习题集

一、简答题

1、Java程序分为哪两大类,它们之间有哪些相同点?主要区别有哪些? 答:Java程序分为Java Application和Java Applet。

相同点有两个:(1)两类程序都由一个或多个以.class为后缀的文件组成;(2)两类程序都需要用

户系统安装Java虚拟机(JVM)。Java虚拟机能够载入并翻译Java程序,并且可以提供Java内核包的实现。

区别有:(1)Java Applet程序可以被嵌入HTML网页内,从而可以在网络上发布,当网页被浏览时

它们可以在浏览器中运行;而Java Application程序却不支持网页嵌入和下载。(2)Java Applet程序只能在与Java兼容的容器中运行,例如网络浏览器;而Java Application程序却没有这个限制。(3)一个Java Applet程序必须定义一个Applet类的子类,一个Java Application程序也可以定义一个Applet类的子类,但这不是必须的,一个 Java Application程序必须在一个类中定义一个main方法,而一个Java Applet 程序并不定义main方法,它的执行是由Applet类定义的

C#入门经典第三版(最新)

标签:文库时间:2024-08-26
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.第一章 C#语言基础

本章介绍C#语言的基础知识,希望具有C语言的读者能够基本掌握C#语言,并以此为基础,能够进一步学习用C#语言编写window应用程序和Web应用程序。当然仅靠一章的内容就完全掌握C#语言是不可能的,如需进一步学习C#语言,还需要认真阅读有关C#语言的专著。(下载源码就到源码网:www.codepub.com) 1.1 C#语言特点

Microsoft.NET(以下简称.NET)框架是微软提出的新一代Web软件开发模型,C#语言是.NET框架中新一代的开发工具。C#语言是一种现代、面向对象的语言,它简化了C++语言在类、命名空间、方法重载和异常处理等方面的操作,它摒弃了C++的复杂性,更易使用,更少出错。它使用组件编程,和VB一样容易使用。C#语法和C++和JAVA语法非常相似,如果读者用过C++和JAVA,学习C#语言应是比较轻松的。

用C#语言编写的源程序,必须用C#语言编译器将C#源程序编译为中间语言(MicroSoft Intermediate Language,MSIL)代码,形成扩展名为exe或dll文件。中间语言代码不是CPU可执行的机器码,在程序运行时,必须由通用语言运行环境(Common La

劳动第三版电子电路基础教案

标签:文库时间:2024-08-26
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电子电路基础 科 课 时 计 划§ 第 1 章 常用半导体器件 § 1-1 晶体二极管 § 旧课回顾 ① 同学们还记得上学期我们有没有学过半导体器件 ? 我们学习过那些晶体 管? ② 自然物质的铁和铜与塑料、玻璃在导电性能方面有何区别? § 教学目的 (5 分钟) ① 了解本征、杂质半质体的导电特性及 PN 结中截流子的运动; ② 掌握半导体的伏安特性及其主要参数,理解稳压管的原理及应用,了解 PN 结的电容效应。 一、半导体的基础知识 1.什么是半导体 导体:铁、铝、钢(金属材料) 按导电能力分 绝缘体:木(塑料、木材、陶瓷等) 硅 Si 半导体:导电介于导体与绝缘体之间 锗 Ge 2.本征半导体 本征半导体--化学成分纯净的半导体。 自由电子(带负电,可移动) 内部存数量相等的两种截流子 空穴(带正电,不可移动) 3.杂质半导体 在纯净半导体(本征半导体)中掺入微量合适的杂质元素,可使半导体的 导电能力大大增强。 杂质半导体分: (1)N 型半导体-又称电子型半导体,其内部自由电子数量多于空穴数量,即 自由电子是多数截流子(多子) ,空穴是少数截流子(少子) 。 (负电多于正电) (2)P 型半导体

模拟电子技术基础第三版课后习题答案

标签:文库时间:2024-08-26
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模拟电子技术基础第三版

一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C

三、UO1≈1.3V UO2=0 UO3≈-1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈-2V 四、UO1=6V UO2=5V

五、根据PCM=200mW可得:UCE=40V时IC=5mA,UCE=30V时IC≈6.67mA,UCE

=20V时IC=10mA,UCE=10V时IC=20mA,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。

六、1、

IB

IC

VBB UBE

26μA

Rb

IB 2.6mA

UCE VCC ICRC 2V

UO=UCE=2V。

2、临界饱和时UCES=UBE=0.7V,所以

IC

IB

VCC UCES

2.86mA

RcIC

28.6μA

Rb

VBB UBE

45.4k

IB

七、T1:恒流区;T2:夹断区;T3:可变电阻区。 1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。

1.3 ui和uo的波形如图所

模拟电子技术基础第三版课后习题答案

标签:文库时间:2024-08-26
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模拟电子技术基础第三版

一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C

三、UO1≈1.3V UO2=0 UO3≈-1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈-2V 四、UO1=6V UO2=5V

五、根据PCM=200mW可得:UCE=40V时IC=5mA,UCE=30V时IC≈6.67mA,UCE

=20V时IC=10mA,UCE=10V时IC=20mA,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。

六、1、

IB

IC

VBB UBE

26μA

Rb

IB 2.6mA

UCE VCC ICRC 2V

UO=UCE=2V。

2、临界饱和时UCES=UBE=0.7V,所以

IC

IB

VCC UCES

2.86mA

RcIC

28.6μA

Rb

VBB UBE

45.4k

IB

七、T1:恒流区;T2:夹断区;T3:可变电阻区。 1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。

1.3 ui和uo的波形如图所

矿石学基础(第三版)课后题

标签:文库时间:2024-08-26
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1. 什么是晶体?晶体与非晶体有何本质区别?

答:晶体是内部质点在三维空间呈周期性重复排列的固体。本质区别:是否在三维空间呈周期型排列。

2. 对称要素:对称轴、对称面、对称中心、旋转反伸角。 3. 什么是晶体的结晶习性?

答:矿物晶体所具有的保存习见形态的性质,称之为该矿物的结晶习性。 4. 什么叫双晶?

答:双晶是指两个或两个以上的同种晶体,彼此间按一定的对称规律相互结合而成的规则连生。

5. 何为晶体的米氏符号?

答:用晶面在3个晶轴上的截距系数的倒数比来表示晶面在空间相对位置的符号的一种方法。

6. 完全类质同象系列的两端员矿物,它们的晶体结构为什么必定是等结构的?反之两种等结构的化合物是否都能形成类质同象混晶?为什么?

答:若两种质点可以任意比例相互取代,则称为完全的类质同象,它们可以形成一个连续的类质同象系列。不一定,形成类质同象混晶还包括内因离子半径电价类型还有外因温度压力组分浓度的影响。

7. 为什么同一元素在不同结构,甚至在同一结构中可以出现不同的配位数? 答:一般情况是:温度升高使阳离子的配位数减小,而压力的增大使配位数增高。 8. 为什么有些离子如Ca和Hg,Cu和Na半径相近,电价一样,但不能进行类质同象置换?

矿石学基础(第三版)课后题

标签:文库时间:2024-08-26
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1. 什么是晶体?晶体与非晶体有何本质区别?

答:晶体是内部质点在三维空间呈周期性重复排列的固体。本质区别:是否在三维空间呈周期型排列。

2. 对称要素:对称轴、对称面、对称中心、旋转反伸角。 3. 什么是晶体的结晶习性?

答:矿物晶体所具有的保存习见形态的性质,称之为该矿物的结晶习性。 4. 什么叫双晶?

答:双晶是指两个或两个以上的同种晶体,彼此间按一定的对称规律相互结合而成的规则连生。

5. 何为晶体的米氏符号?

答:用晶面在3个晶轴上的截距系数的倒数比来表示晶面在空间相对位置的符号的一种方法。

6. 完全类质同象系列的两端员矿物,它们的晶体结构为什么必定是等结构的?反之两种等结构的化合物是否都能形成类质同象混晶?为什么?

答:若两种质点可以任意比例相互取代,则称为完全的类质同象,它们可以形成一个连续的类质同象系列。不一定,形成类质同象混晶还包括内因离子半径电价类型还有外因温度压力组分浓度的影响。

7. 为什么同一元素在不同结构,甚至在同一结构中可以出现不同的配位数? 答:一般情况是:温度升高使阳离子的配位数减小,而压力的增大使配位数增高。 8. 为什么有些离子如Ca和Hg,Cu和Na半径相近,电价一样,但不能进行类质同象置换?

热学第三版答案

标签:文库时间:2024-08-26
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第一章 温度

1-1 在什么温度下,下列一对温标给出相同的读数:(1)华氏温标和摄氏温标;(2)华氏温标和热力学温标;(3)摄氏温标和热力学温标?

解:(1)

当 时,即可由 时

,解得

故在 (2)又

当 时 则即

解得: 故在 (3)

则有

时,

显而易见此方程无解,因此不存在

的情况。

1-2 定容气体温度计的测温泡浸在水的三相点槽内时,其中气体的压强为50mmHg。 (1)用温度计测量300K的温度时,气体的压强是多少? (2)当气体的压强为68mmHg时,待测温度是多少?

解:对于定容气体温度计可知:

(1)

(2)

1-3 用定容气体温度计测得冰点的理想气体温度为273.15K,试求温度计内的气体在冰点时的压强与水的三相点时压强之比的极限值。

解:根据 已知 冰点

1-4 用定容气体温度计测量某种物质的沸点。 原来测温泡在水的三相点时,其中气体的压强

;当测温泡浸入待测物质中时,测得的压强值为

减为200mmHg时,重新测得

,当从

,当再抽出一些

测温泡

基础化学第三版习题解答 - 图文

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基础化学(第3版) 思考题和练习题解析

第一章 绪 论

1. 为什么说化学和医学的关系密切,医学专业学生必须学好化学? 答:(略)

2. “1 mol硫酸的质量是98.0g”,对吗?

答:错误!未指明基本单元,正确说法是1 mol H2SO4的质量是98.0g或1 mol [(1/2) (H2SO4)]的质量是49.0g 。

3. 0.4 mol H2SO4溶解于水,配成500 m L溶液,其浓度表示正确的是 A. c (H2SO4) = 0.8 mol·L B. c[C. c[

-1

1-1

(H2SO4)] = 0.8 mol·L 21 (H2SO4) ]= 0.4 mol·L-1 D. 硫酸的浓度为0.8 mol·L-1 2-1

答;正确的是A。根据定义,1L溶液中含有0.8 mol H2SO4,c (H2SO4) = 0.8 mol·L。 4. 下列说法正确的是

A. “1 mol O”可以说成“1 mol 原子O” B. 1摩尔碳C原子等于12g

C. 1 L溶液中含有H2SO4 98 g,该溶液的摩尔浓度是1 mol·L

D. 基本单元不仅可以是构成物质的任何自然存在的粒子或粒子的组合,也可以

《基础统计(第三版)习题集》答案

标签:文库时间:2024-08-26
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《基础统计(第三版)习题集》答案

第一章 概 论

一、解释概念

1. 总体和总体单位

——凡是客观存在的并至少具有某一相同性质而结合起来的许多个别事物构成的整体,当它作为统计的研究对象时,就称为统计总体,简称总体。构成总体的每一个事物,就称为总体单位。

2. 标志和标志表现

——标志是说明总体单位特征的名称。标志表现是标志的属性或数量在总体各单位的具体体现。

3. 品质标志和数量标志

——品质标志是表明总体单位的质的特征的名称。数量标志是表明总体单位的量的特征的名称。

4. 不变标志和可变标志

——同一总体中各个总体单位上的表现都一样的标志就称为不变标志。同一总体中各个总体单位上的表现不完全相同的标志就称为可变标志。

5. 指标和指标体系

——指标是说明总体数量特征的概念及其综合数值,故又称为综合指标。指标体系就是若干个反映社会经济现象数量特征的相对独立又相互联系的统计指标所组成的整体。

二、填充内容

1. 统计资料、统计学、统计学

2. 总体性、社会性、数量关系、数量界限 3. 数字、概率论、大量观察法 4. 总体、方法论 5. 信息、监督、信息

6. 统计数学模型、统计逻辑模型 7. 静态统计推断、动态统计推断 8. 同质、相对