半导体工艺与制造技术
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芯片制造-半导体工艺教程
芯片制造-半导体工艺教程
芯片制造-半导体工艺教程 Microchip Fabrication
----A Practical Guide to Semicondutor Processing
目录:
第一章:半导体工业[1] [2] [3]
第二章:半导体材料和工艺化学品[1] [2] [3]
第三章:晶圆制备[1] [2] [3]
第四章:芯片制造概述[1] [2] [3]
第五章:污染控制[1] [2] [3] [4] [5] [6]
第六章:工艺良品率[1] [2]
第七章:氧化
第八章:基本光刻工艺流程-从表面准备到曝光
第九章:基本光刻工艺流程-从曝光到最终检验
第十章:高级光刻工艺
第十一章:掺杂
第十二章:淀积
第十三章:金属淀积
第十四章:工艺和器件评估
第十五章:晶圆加工中的商务因素
第十六章:半导体器件和集成电路的形成
第十七章:集成电路的类型
第十八章:封装
附录:术语表
[4] [5] 1
芯片制造-半导体工艺教程
#1 第一章 半导体工业--1
芯片制造-半导体工艺教程 点击查看 章节目
芯片制造-半导体工艺教程
芯片制造-半导体工艺教程
芯片制造-半导体工艺教程 Microchip Fabrication
----A Practical Guide to Semicondutor Processing
目录:
第一章:半导体工业[1] [2] [3]
第二章:半导体材料和工艺化学品[1] [2] [3]
第三章:晶圆制备[1] [2] [3]
第四章:芯片制造概述[1] [2] [3]
第五章:污染控制[1] [2] [3] [4] [5] [6]
第六章:工艺良品率[1] [2]
第七章:氧化
第八章:基本光刻工艺流程-从表面准备到曝光
第九章:基本光刻工艺流程-从曝光到最终检验
第十章:高级光刻工艺
第十一章:掺杂
第十二章:淀积
第十三章:金属淀积
第十四章:工艺和器件评估
第十五章:晶圆加工中的商务因素
第十六章:半导体器件和集成电路的形成
第十七章:集成电路的类型
第十八章:封装
附录:术语表
[4] [5] 1
芯片制造-半导体工艺教程
#1 第一章 半导体工业--1
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半导体制造技术总结
第一章
2、列出20世纪上半叶对半导体产业发展做出贡献的4种不同产业。P2 答：真空管电子学、无线电通信、机械制表机及固体物理。 3、什么时间、什么地点、由谁发明了固体晶体管？P3
答：1947年12月16日在贝尔电话实验室由威廉·肖克利、约翰·巴丁和沃尔特·布拉顿发明了固体晶体管。
5、列出5个集成时代，指出每个时代的时间段，并给出每个时代每个芯片上的元件数。P4 6、什么是硅片？什么是衬底？什么是芯片？
答：芯片也称为管芯（单数和复数芯片或集成电路），硅圆片通常被称为衬底 8、列出集成电路制造的5个重要步骤，简要描述每个步骤。P4
10、列出提高微芯片制造技术相关的三个重要趋势，简要描述每个趋势。P8 11、什么是芯片的关键尺寸？这种尺寸为何重要？P9
13、什么是摩尔定律？它预测了什么？这个定律正确吗？P10
14、自1947年以来靠什么因素使芯片价格降低？给出这种变化的两个原因。 16、描述硅片技师和设备技师的职责。P16
第三章
11.解释pn结反偏时发生的情况。P45
答：导致通过二极管的电流很小，甚至没有电流。
12.解释pn结正偏时发生的情况。P45
答：将一正偏施加于pn结，电路中n区电子从偏压电源负极被排斥。多余的电子从负
半导体制造技术总结
第一章
2、列出20世纪上半叶对半导体产业发展做出贡献的4种不同产业。P2
答：真空管电子学、无线电通信、机械制表机及固体物理。
3、什么时间、什么地点、由谁发明了固体晶体管？P3 答：1947年12月16日在贝尔电话实验室由威廉·肖克利、约翰·巴丁和沃尔特·布拉顿发明了固体晶体管。5、列出5个集成时代，指出每个时代的时间段，并给出每个时代每个芯片上的元件数。P4
6、什么是硅片？什么是衬底？什么是芯片？
答：芯片也称为管芯（单数和复数芯片或集成电路），硅圆片通常被称为衬底
8、列出集成电路制造的5个重要步骤，简要描述每个步骤。P4
10、列出提高微芯片制造技术相关的三个重要趋势，简要描述每个趋势。P8
11、什么是芯片的关键尺寸？这种尺寸为何重要？P9 13、什么是摩尔定律？它预测了什么？这个定律正确吗？P10
14、自1947年以来靠什么因素使芯片价格降低？给出这种变化的两个原因。
16、描述硅片技师和设备技师的职责。P16
第三章
11.解释pn结反偏时发生的情况。P45
答：导致通过二极管的电流很小，甚至没有电流。
12.解释pn结正偏时发生的情况。P45
答：将一正偏施加于pn结，电路中n区电子从偏压电源负极被排斥。多余的电子从负极注入到充满空穴的p区，使n区中
半导体工艺及芯片制造技术问题答案(全)
常用术语翻译
active region 有源区 2.active component有源器件 3.Anneal退火
4.atmospheric pressure CVD (APCVD) 常压化学气相淀积 5.BEOL（生产线）后端工序 6.BiCMOS双极CMOS
7.bonding wire 焊线，引线 8.BPSG 硼磷硅玻璃 9.channel length沟道长度
10.chemical vapor deposition (CVD) 化学气相淀积
11.chemical mechanical planarization (CMP)化学机械平坦化 12.damascene 大马士革工艺 13.deposition淀积 14.diffusion 扩散
15.dopant concentration掺杂浓度 16.dry oxidation 干法氧化 17.epitaxial layer 外延层 18.etch rate 刻蚀速率 19.fabrication制造 20.gate oxide 栅氧化硅
21.IC reliability 集成电路可靠性
22.interlayer dielectric 层间介质（ILD） 23.io
半导体工艺及芯片制造技术问题答案(全)
常用术语翻译
active region 有源区 2.active component有源器件 3.Anneal退火
4.atmospheric pressure CVD (APCVD) 常压化学气相淀积 5.BEOL（生产线）后端工序 6.BiCMOS双极CMOS
7.bonding wire 焊线，引线 8.BPSG 硼磷硅玻璃 9.channel length沟道长度
10.chemical vapor deposition (CVD) 化学气相淀积
11.chemical mechanical planarization (CMP)化学机械平坦化 12.damascene 大马士革工艺 13.deposition淀积 14.diffusion 扩散
15.dopant concentration掺杂浓度 16.dry oxidation 干法氧化 17.epitaxial layer 外延层 18.etch rate 刻蚀速率 19.fabrication制造 20.gate oxide 栅氧化硅
21.IC reliability 集成电路可靠性
22.interlayer dielectric 层间介质（ILD） 23.io
半导体工艺及芯片制造技术问题答案(全)
常用术语翻译
active region 有源区 2.active component有源器件 3.Anneal退火
4.atmospheric pressure CVD (APCVD) 常压化学气相淀积 5.BEOL（生产线）后端工序 6.BiCMOS双极CMOS
7.bonding wire 焊线，引线 8.BPSG 硼磷硅玻璃 9.channel length沟道长度
10.chemical vapor deposition (CVD) 化学气相淀积
11.chemical mechanical planarization (CMP)化学机械平坦化 12.damascene 大马士革工艺 13.deposition淀积 14.diffusion 扩散
15.dopant concentration掺杂浓度 16.dry oxidation 干法氧化 17.epitaxial layer 外延层 18.etch rate 刻蚀速率 19.fabrication制造 20.gate oxide 栅氧化硅
21.IC reliability 集成电路可靠性
22.interlayer dielectric 层间介质（ILD） 23.io
半导体制造工艺流程参考
半导体制造工艺
1
NPN高频小功率晶体管制造的工艺流程为：
外延片——编批——清洗——水汽氧化——一次光刻——检查——清洗——干氧氧化——硼注入——清洗——UDO淀积——清洗——硼再扩散——二次光刻——检查——单结测试——清洗——干氧氧化——磷注入——清洗——铝下CVD——清洗——发射区再扩散——三次光刻——检查——双结测试——清洗——铝蒸发——四次光刻——检查——氢气合金——正向测试——清洗——铝上CVD——检查——五次光刻——检查——氮气烘焙——检查——中测——中测检查——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查——综合检查——入中间库。
PNP小功率晶体管制造的工艺流程为：
外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查（tox）——一次光刻——QC检查——前处理——基区CSD涂覆——CSD预淀积——后处理——QC检查（R□）——前处理——基区氧化扩散——QC检查（tox、R□）——二次光刻——QC检查——单结测试——前处理——POCl3预淀积——后处理（P液）——QC检查——前处理——发射区氧化——QC检查（tox）——前处理——发射区再扩散（R□）——前处理——
半导体制造工艺流程参考
半导体制造工艺
1
NPN高频小功率晶体管制造的工艺流程为：
外延片——编批——清洗——水汽氧化——一次光刻——检查——清洗——干氧氧化——硼注入——清洗——UDO淀积——清洗——硼再扩散——二次光刻——检查——单结测试——清洗——干氧氧化——磷注入——清洗——铝下CVD——清洗——发射区再扩散——三次光刻——检查——双结测试——清洗——铝蒸发——四次光刻——检查——氢气合金——正向测试——清洗——铝上CVD——检查——五次光刻——检查——氮气烘焙——检查——中测——中测检查——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查——综合检查——入中间库。
PNP小功率晶体管制造的工艺流程为：
外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查（tox）——一次光刻——QC检查——前处理——基区CSD涂覆——CSD预淀积——后处理——QC检查（R□）——前处理——基区氧化扩散——QC检查（tox、R□）——二次光刻——QC检查——单结测试——前处理——POCl3预淀积——后处理（P液）——QC检查——前处理——发射区氧化——QC检查（tox）——前处理——发射区再扩散（R□）——前处理——
半导体工艺及芯片制造技术问题答案(全)
常用术语翻译
active region 有源区
2.active component有源器件
3.Anneal退火
4.atmospheric pressure CVD (APCVD) 常压化学气相淀积
5.BEOL（生产线）后端工序
6.BiCMOS双极CMOS
7.bonding wire 焊线，引线
8.BPSG 硼磷硅玻璃
9.channel length沟道长度
10.chemical vapor deposition (CVD) 化学气相淀积
11.chemical mechanical planarization (CMP)化学机械平坦化
12.damascene 大马士革工艺
13.deposition淀积
14.diffusion 扩散
15.dopant concentration掺杂浓度
16.dry oxidation 干法氧化
17.epitaxial layer 外延层
18.etch rate 刻蚀速率
19.fabrication制造
20.gate oxide 栅氧化硅
21.IC reliability 集成电路可靠性
word版本.
22.interlayer dielectric 层间介质（ILD）
23.ion implanter 离子注入机
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