stm32f407单片机简介

只供探索者4.3寸屏画点显示16位汉字程序

//test.c

#include \#include \#include \#include \#include \int main() { u8 lcd_id[12];

Stm32_Clock_Init(336,8,2,7);//设置时钟,168Mhz delay_init(168); //延时初始化 uart_init(84,115200); //初始化串口波特率为115200 LCD_Init();

sprintf((char*)lcd_id,\将LCD ID打印到lcd_id数组。 LCD_Show_Chinese(50,100,table); while(1); }

//chinese.h

/*此数组是通过PCtoLCD2002取模出来的*/ u8

table[]={0x02,0x20,0x0C,0x20,0x88,0x20,0x69,0x20,0x09,0x20,0x09,0x22,0x89,0x21,0x69,0x7E,0x09,0x60,0x09,0xA0,0x19,0x20,0x28,0x20,0xC8,0x20,0x0A,0x20,0x0C

只供探索者4.3寸屏画点显示16位汉字程序

//test.c

#include \#include \#include \#include \#include \int main() { u8 lcd_id[12];

Stm32_Clock_Init(336,8,2,7);//设置时钟,168Mhz delay_init(168); //延时初始化 uart_init(84,115200); //初始化串口波特率为115200 LCD_Init();

sprintf((char*)lcd_id,\将LCD ID打印到lcd_id数组。 LCD_Show_Chinese(50,100,table); while(1); }

//chinese.h

/*此数组是通过PCtoLCD2002取模出来的*/ u8

table[]={0x02,0x20,0x0C,0x20,0x88,0x20,0x69,0x20,0x09,0x20,0x09,0x22,0x89,0x21,0x69,0x7E,0x09,0x60,0x09,0xA0,0x19,0x20,0x28,0x20,0xC8,0x20,0x0A,0x20,0x0C

stm32f407之NVIC

五、NVIC 中断向量嵌套控制器是用来管理所有中断和事件的，包括中断的使能和除能，中断的优先级。这个是属于内核的东西，所以ST的参考手册上对它的描述较少，但他又是十分重要的东西，要了解它就要看ARM的《Cortex?-M4 Devices Generic User Guide》。

相关寄存器

译自《Cortex?-M4 Devices Generic UserGuide》，若有错误，请以原文为准。

中断使能寄存器NVIC_ISER[8]

中断使能寄存器共有8个，ISER[0]设置0~31号中断的使能，ISER[1]设置32~63号中断的使能，如此类推。以下以ISER[0]为例：[31:0] SETENA中断设置使能位。 写：

0 =无影响

1 =使能中断。

读：

0 =中断是禁止的

1=中断已经被使能

如果要使能0号中断，就向该寄存器的0位写1，如果要使能38号中断，就向NVIC_ISER[1]的6位写1，如此类推，至于哪个中断对应哪个中断号，请参见参考手册《RM0090 Reference manual》中的第9章Table 30. Vector table的Positi

STM32F4实验开发实验指导书 1

目 录

目 录 ............................................................................................................................... 1 第1章 STM32F4实验系统的资源介绍 ....................................................................... 3

系统功能概述 .............................................................................................................................. 3 系统硬件资源 .................................................................................................

前段时间做项目用到百兆网通信,用到了LWIP,一开始是参照原子的例程做移植,因为原子的例程中使用的是LAN8720,为了改成DP83848,改寄存器地址,改位定义,改速度计算公式,折腾了好多天也没成功,最后只好听从网友的建议,修改ST官方的一个例程,几天下来,竟然成功了,现在将步骤分享给大家,感觉实际工程中用DP83848的还是大多数..其实本文并不是移植LWIP,只是将ST官方的例程改成我们项目所需要的,然后我们再在这个基础上完成自己的项目即可,这对新接触LWIP又急着做项目的人比较适合,没必要去了解LWIP的具体实现,会用就行了..

本文作者：武汉普创科技－－易宇－－转载请注明出处 本人的项目配置：STM32F407VET6 + DP83848C

1、从官方网站http://www.stmcu.org/document/list/index/category-523下载STSW-STM32070 面向STM32F4x7微控制器的LwIP TCP/IP协议栈的演示代码 的英文

文档DM00036052.pdf和软件包stsw-stm32070.zip。stsw-stm32070.zip是面向STM32F4x7微控制器的LwIP TCP/I

通用定时器输入捕获

通用定时器作为输入捕获的使用。我们用TIM5的通道1（PA0）来做输入捕获，捕获PA0上高电平的脉宽（用KEY_UP按键输入高电平），通过串口来打印高电平脉宽时间。

输入捕获模式可以用来测量脉冲宽度或者测量频率。我们以测量脉宽为例，用一个简图来说明输入捕获的原理：

如图所示，就是输入捕获测量高电平脉宽的原理，假定定时器工作在向上计数模式，图中t1~t2时间，就是我们需要测量的高电平时间。测量方法如下：首先设置定时器通道x为上升沿捕获，这样，t1时刻，就会捕获到当前的CNT值，然后立即清零CNT，并设置通道x为下降沿捕获，这样到t2时刻，又会发生捕获事件，得到此时的CNT值，记为CCRx2。这样，根据定时器的计数频率，我们就可以算出t1~t2的时间，从而得到高电平脉宽。在t1~t2之间，可能产生N次定时器溢出，这就要求我们对定时器溢出，做处理，防止高电平太长，导致数据不准确。如图所示，t1~t2之间，CNT计数的次数等于：N*ARR+CCRx2，有了这个计数次数，再乘以CNT的计数周期，即可得到t2-t1的时间长度，即高电平持续时间。

STM32F4的定时器，除了TIM6和TIM7，其他定时器都有输入捕获功能。STM32F4

《智能仪表》网络作业

STM32F103xx系列单片机介绍

STM32F103xx增强型系列由意法半导体集团设计，使用高性能的ARMCortex-M332位的RISC内核，工作频率为72MHz，内置高速存储器(高达128K字节的闪存和20K字节的SRAM)，丰富的增强I/O端口和联接到两条APB总线的外设。所有型号的器件都包含2个12位的ADC、3个通用16位定时器和一个PWM定时器，还包含标准和先进的通信接口：多达2个I2C和SPI、3个USART、一个USB和一个CAN。

1、结构与功能

■内核：ARM32位的Cortex?-M3CPU

?72MHz，1.25DMips/MHz（Dhrystone2.1），0等待周期的存储器 ?支持单周期乘法和硬件除法 ■存储器

?从32K字节至512K字节的闪存程序存储器（STM32F103xx中的第二个x表示FLASH容量，其中：“4”=16K，“6”=32K，“8”=64K，B=128K，C=256K，D=384K，E=512K） ?从6K字节至64K字节的SRAM ■时钟、复位和电源管理 ?2.0至3.6伏供电和I/O管脚

?上电/断电复位(POR/PDR)、可编程电压监测器(PVD) ?内嵌4至

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STM32F103xx增强型系列由意法半导体集团设计，使用高性能的ARMCortex-M332位的RISC内核，工作频率为72MHz，内置高速存储器(高达128K字节的闪存和20K字节的SRAM)，丰富的增强I/O端口和联接到两条APB总线的外设。所有型号的器件都包含2个12位的ADC、3个通用16位定时器和一个PWM定时器，还包含标准和先进的通信接口：多达2个I2C和SPI、3个USART、一个USB和一个CAN。

1、结构与功能

■内核：ARM32位的Cortex?-M3CPU

?72MHz，1.25DMips/MHz（Dhrystone2.1），0等待周期的存储器 ?支持单周期乘法和硬件除法 ■存储器

?从32K字节至512K字节的闪存程序存储器（STM32F103xx中的第二个x表示FLASH容量，其中：“4”=16K，“6”=32K，“8”=64K，B=128K，C=256K，D=384K，E=512K） ?从6K字节至64K字节的SRAM ■时钟、复位和电源管理 ?2.0至3.6伏供电和I/O管脚

?上电/断电复位(POR/PDR)、可编程电压监测器(PVD) ?内嵌4至

RCC （Reset and Clock Control）配置

这里介绍RCC 的 时钟控制功能

在STM32F103上，由于小组所有的板子都使用用 同样的芯片，同样的晶振，以及同样的库函数，即使我们不去理解RCC，仍然可以将大多数功能调试出来。但如果使用不同型号的芯片，例如用STM32F407 与 STM32103 进行通信，如果不去弄清楚RCC，在调试中可能会遇到麻烦。

下面就我调试STM32F407的这段时间，介绍一下RCC的部分功能。文档的前半部分是关于RCC的部分功能描述，后半部分是关于库函数的使用。

时钟结构

（原图请参考STM32F407 参考手册RCC部分）

STM32F407最高层是SYSCLK系统时钟，由其生成了 AHB时钟，再由AHB时钟生成APB时钟。

SYSCLK系统时钟可以由3个基本的时钟源获得：HSE（外部高速晶振）或HSI（内部高速晶振）或PLL锁相环倍频。

例如：

板子上焊了8MHz的晶振，则 HSE = 8MHz。如果焊了25MHz的，则HSE = 25MHz。 HSI是芯片内部自带的晶振，其大小由芯片型号决定，如STM32F407的HSI是16MHz。

PLL倍频的功能是：将HSE或HSI

《智能仪表》网络作业

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STM32F103xx增强型系列由意法半导体集团设计，使用高性能的ARMCortex-M332位的RISC内核，工作频率为72MHz，内置高速存储器(高达128K字节的闪存和20K字节的SRAM)，丰富的增强I/O端口和联接到两条APB总线的外设。所有型号的器件都包含2个12位的ADC、3个通用16位定时器和一个PWM定时器，还包含标准和先进的通信接口：多达2个I2C和SPI、3个USART、一个USB和一个CAN。

1、结构与功能

■内核：ARM32位的Cortex?-M3CPU

?72MHz，1.25DMips/MHz（Dhrystone2.1），0等待周期的存储器 ?支持单周期乘法和硬件除法 ■存储器

?从32K字节至512K字节的闪存程序存储器（STM32F103xx中的第二个x表示FLASH容量，其中：“4”=16K，“6”=32K，“8”=64K，B=128K，C=256K，D=384K，E=512K） ?从6K字节至64K字节的SRAM ■时钟、复位和电源管理 ?2.0至3.6伏供电和I/O管脚

?上电/断电复位(POR/PDR)、可编程电压监测器(PVD) ?内嵌4至