模电期末试题

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数电模电 期末试题 - A(2)

标签:文库时间:2025-02-06
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------------------------ 《脉冲与数字电路》考试试卷(A卷)

(闭卷 时间120分钟)

考场登记表序号

题 号 一 二 三 四 五 总分 -- -号----学---- -- - -- 线- -- -- -- -- -- -- -- -名线--- -姓- - --- 订-- - - - - -- 装- - - - -- 超- 订 -- 勿- - - - -业题-- -- 专- -答--- -- -- -- -- -- -- -- -- -级----年----- -- - 装 -- -- - -- -- -- - -- -- -系---/-院---------

得 分 阅卷人

一、选择题(每题2分,共14分)

得分 1. JK触发器的状态转移方程为( B )。

A. Qn?1?JQn?KQn B. Qn?1?JQn?KQn

C. Qn?1?JQn?KQn D. Qn?1?JQn?KQn

2. 三变量函数F(A,B,C)=A+BC的最小项表示中不含下列哪项( A )。

模电期末汇总

标签:文库时间:2025-02-06
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1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为 0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V;锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V,导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。

2、二极管的正向电阻 小 ;反向电阻 大 。

3、二极管的最主要特性是 单向导电性 。PN结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。

4、二极管最主要的电特性是 单向导电性 ,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 电阻 。

5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为 模拟 电子技术。

6、PN结反向偏置时,PN结的内电场 增强 。PN具有 具有单向导电 特性。

7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为 0.7 伏;其门坎电压Vth约为 0.5 伏。 8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由 多数 载流子的 扩散 运动形成。

9、P型半导体的多子为 空穴 、N型半导体的多子为 自由电子 、本征半导体的载

模电期末试卷

标签:文库时间:2025-02-06
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《模拟电子技术》考试试卷(01)

一、填空题(本大题共4小题,每空1分,共10分)

1.PN结正向偏置时 ,反向偏置时 ,所以PN结具有 导电性。

2.有三个单管BJT放大电路,已知其电压增益分别为Av1=20,Av2=-10,Av3=1,则可知它们分别为 放大电路、 放大电路、 放大电路。

3.乙类互补功率放大电路存在 失真,可以利用 类互补功率放大电路来克服。

4. 负反馈将使输出电阻减小, 负反馈将使输出电阻增加。 一、1.导通,截止,单向;2.共基极,共发射极,共集电极;3.交越,甲乙类;4.电压,电流。

二、单项选择题(本大题共5小题,每小题2分,共10分)

1.对BJT下列说法正确的是 。

A.发射极和集电极可以调换使用,因为BJT发射区和集电区的结构对称 B

模电期末试卷

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《模拟电子技术》考试试卷(01)

一、填空题(本大题共4小题,每空1分,共10分)

1.PN结正向偏置时 ,反向偏置时 ,所以PN结具有 导电性。

2.有三个单管BJT放大电路,已知其电压增益分别为Av1=20,Av2=-10,Av3=1,则可知它们分别为 放大电路、 放大电路、 放大电路。

3.乙类互补功率放大电路存在 失真,可以利用 类互补功率放大电路来克服。

4. 负反馈将使输出电阻减小, 负反馈将使输出电阻增加。 一、1.导通,截止,单向;2.共基极,共发射极,共集电极;3.交越,甲乙类;4.电压,电流。

二、单项选择题(本大题共5小题,每小题2分,共10分)

1.对BJT下列说法正确的是 。

A.发射极和集电极可以调换使用,因为BJT发射区和集电区的结构对称 B

模电试题(题库)

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模电试题库

一、填空题。

1、由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、温度升高时,三极管的β将 (增加、减小、不变)。

3、要让三极管工作在放大区,发射结要求 ,集电结要 (正偏或反偏)。

4、当差分放大器两边的输入电压为ui1=7mV,ui2=-3mV,输入信号的差模分量为 ,共模分量为 。

5、在放大电路中,如果要想提高输出电阻,减小输入电阻的要求,应引入 反馈。 6、直流稳压电源一般是由_________、、________、_________四部分组成。

7、乙类推挽放大器,由于三极管的死区电压造成的失真现象,这种失真称为 。

8、 在RC桥式正弦波振荡电路中,当满足相位起振条件时,则其中电压放大电路的放大倍数要略大于 才能起振。

9、放大器级间耦合方式有三种:

耦合; 耦合; 耦合;在集成电路中通常采用 耦合。

10、负反馈能够改善放大电路的性能,例如它可以提高增益的稳定性,

模电期末复习提纲

标签:文库时间:2025-02-06
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期末复习提纲

一、复习大纲:

第一章 绪论

1.基本要求

1.了解信号、频谱、模拟电路与数字电路等一些基本概念。

2.理解电压放大电路、电流放大电路、互阻放大电路和互导放大电路的基本概念,理解放大电路的模型。

3.掌握放大电路的输入电阻、输出电阻、增益、通频带等主要性能指标。

2. 重点:电压放大电路、电流放大电路、互阻放大电路和互导放大电路的输入电阻、输出电阻、增益及每种电路的应用场合

第二章 运算放大器

1.基本要求

1)了解集成运放电路的组成及成为线性电路的条件。

2)熟练掌握运用虚短和虚断的概念来分析基本运放电路。

3)熟练掌握比例、加减、积分运算电路。

2. 重点:虚短和虚断的概念,理想运放所组成的电路的分析方法,并结合比例、加减、积分运算电路理解如何分析。(大题出题点)。

第三章 二极管及其基本电路

1.基本要求

1. 了解本征半导体、空穴及其导电作用,

2. 理解P型半导体和N型半导体中的多子与少子及其决定因素以及与本征半导体导电的区别

3. 了解PN结的形成,掌握PN的单向导电性和V-I特性,理解PN结的反向击穿现象

4. 了解半导体二极管的结构,掌握它的V-I特性曲线。

5. 掌握二极管的正向V-I特性建模,并会分析和计算由二极管组成的不同电路。(P78-P

模电期末复习题

标签:文库时间:2025-02-06
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一、填空题

1. 当输入信号为零时,输出信号不为零且产生缓慢波动变化的现象称

为 。差分放大电路对之具有很强的 作用。

2. 双极型半导体三极管按结构可分为 型和 型两种,它们的符号分别_______和

3. 当有用信号频率高于1kHz时,为滤除低频信号,应采用截止频率为 的 通滤波电路。

4. 当温度升高时,由于二极管内部少数载流子浓度 ,因而少子漂移而形成的反向电流 ,二极管反向伏安特性曲线 移。

5. 用低频信号去改变高频信号的 ,称为调幅,经过调幅后的高频信号称 信号 ,把没有调幅的等幅高频信号称为 信号,它是运载 信号的工具。 6. PN结的内电场对载流子的扩散运动起 作用,对漂移运动起 作用。 7. 比较器 电平发生跳变时的 电压称为门限电压,过零电压比较器的门限电压是 。

8. 负反馈对输出电阻的影响取决于 端的反馈类型,电压负反馈能够 输出电阻,电流负反馈能够 输出电阻。

9.

2015模电期末考题

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学院 姓名 学号 任课老师 考场教室__________选课号/座位号

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……

电子科技大学2015-2016学年第 一 学期期 末 考试 卷

课程名称: 模拟电路基础 考试形式: 闭卷 考试日期:20 16年 月 日 考试时长:120分钟 本试卷试题由_五_部分构成,共_5_页。

题号 得分 一 二 三 四 五 合计 得分分 一、填空题(每空1分,共30分)

1. 耦合方式是指多级放大器级与级之间、信号源与放大器之间、放大器与负载之间的连接

方式,或者说信号传输方式。常见的耦合方式有:直接耦合、阻容耦合、变压器耦合 和光电耦合。

2. 当输入电压为正弦波时,在ui过零点附近输出电压将产生失真,这种失真称为交越失真。消除这种失真常采用 互补输出级 电路。

3. 在半导体制造工艺的基础上,把整个电路中的元器件制作在一块硅基片上,构成特定功能的电子电路,称为集成运放电路。集成运放电路主要由输入级、中间级、

模电期末复习提纲

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期末复习提纲

一、复习大纲:

第一章 绪论

1.基本要求

1.了解信号、频谱、模拟电路与数字电路等一些基本概念。

2.理解电压放大电路、电流放大电路、互阻放大电路和互导放大电路的基本概念,理解放大电路的模型。

3.掌握放大电路的输入电阻、输出电阻、增益、通频带等主要性能指标。

2. 重点:电压放大电路、电流放大电路、互阻放大电路和互导放大电路的输入电阻、输出电阻、增益及每种电路的应用场合

第二章 运算放大器

1.基本要求

1)了解集成运放电路的组成及成为线性电路的条件。

2)熟练掌握运用虚短和虚断的概念来分析基本运放电路。

3)熟练掌握比例、加减、积分运算电路。

2. 重点:虚短和虚断的概念,理想运放所组成的电路的分析方法,并结合比例、加减、积分运算电路理解如何分析。(大题出题点)。

第三章 二极管及其基本电路

1.基本要求

1. 了解本征半导体、空穴及其导电作用,

2. 理解P型半导体和N型半导体中的多子与少子及其决定因素以及与本征半导体导电的区别

3. 了解PN结的形成,掌握PN的单向导电性和V-I特性,理解PN结的反向击穿现象

4. 了解半导体二极管的结构,掌握它的V-I特性曲线。

5. 掌握二极管的正向V-I特性建模,并会分析和计算由二极管组成的不同电路。(P78-P

安徽建筑工业学院模电期末试题

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安徽建筑大学模电期末考试题

安 徽 建 筑 工 业 学 院 试 卷( 试卷 A)(2011—2012 学年第一学期) 考试课程:模电 A1 班级:10 自动化及电气班学号:

共 3 页姓名:

第 1 页

阅卷教师 复核教师

一.填空题,将正确答案填写在横线上(每题 2 分,共 12 分)

-10 V,-9.3 V,则这只三极管是( ) 。 A.NPN 型硅管 B. NPN 型锗管 1.若三级放大电路中 Au1, Au2 增益为 30dB,Au3 增益为 20dB,则 D. PNP 型锗管 总电压增益为 dB, 折合为 __________倍。 2. 稳压二极管稳压时,其工作在_________状态,发光二极管发

C.

PNP 型硅管

光时,其工作在_______偏置。 3. 产生正弦波振荡的幅值平衡条件是________,相位平衡条件是 __________。 4.理想运算放大器的开环电压放大倍数为_______,输出电阻为 ________。 5.电流串联负反馈放大电路的输入电阻______,___________稳 定。 6. 石 英 晶 体 有 ______ 个 谐 振 频 率 , 其 中 fp 称 为 _______________