江苏科技大学电工电子技术期末考试

预测试卷;

西南科技大学2012模拟电子技术期末试卷 试卷十

O绝密启用前O

班级：___________姓名：___________学号：___________

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每一小题２分，共２０分)

（1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（ ） A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度

D.晶体缺陷

(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态

(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管 D.PNP型硅管

(4 )温度上升时，半导体三极管的( ) A.β和ICEO增大，uBE下降 B.β和uBE增大,ICEO减小 C.β减小，ICEO和uBE增大

①

－

－8V 图1

③ －2.2V

D.β、ICEO和uBE均增大

(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.共集电极放大电路 B.共基极放大电路

预测试卷;

西南科技大学2012模拟电子技术期末试卷 试卷十

O绝密启用前O

班级：___________姓名：___________学号：___________

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每一小题２分，共２０分)

（1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（ ） A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度

D.晶体缺陷

(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态

(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管 D.PNP型硅管

(4 )温度上升时，半导体三极管的( ) A.β和ICEO增大，uBE下降 B.β和uBE增大,ICEO减小 C.β减小，ICEO和uBE增大

①

－

－8V 图1

③ －2.2V

D.β、ICEO和uBE均增大

(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.共集电极放大电路 B.共基极放大电路

西南科技大学 模拟电子技术试卷十

西南科技大学2012模拟电子技术期末试卷

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每一小题2分，共20分) （1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（ ） A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度 D.晶体缺陷

(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态

(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管 D.PNP型硅管

(4 )温度上升时，半导体三极管的( ) A.β和ICEO增大，uBE下降 B.β和uBE增大,ICEO减小

①

－2V －8V 图1

③ ② －2.2V

西南科技大学 模拟电子技术试卷十

C.β减小，ICEO和uBE增大 D.β、ICEO和uBE均增大

(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.共集电极放大电路 B.共基极放大电路 C.

第6章第1次 专业 学号 2009 姓名 一、填空题

1．变压器的主要功能有变换、变换和变换。 2．稳压二极管稳压工作时，是工作在其特性曲线的区。 3．稳压管是利用特性来稳压的，正向稳压。

4．在电子线路和自动控制系统中，常需要稳定的直流电压，直流稳压电源主要由、 整流 、 滤波 和 稳压 四部分电路组成。

5．电路如图1所示，二极管为理想元件，已知交流电压表V1的读数为100V，负载电阻RL=1 k ，开关S断开时直流电压表V2 =，电流表A=；开关S闭合时直流电压表V2 =，电流表A=。

图1

二、选择题

1．要得到P型杂质半导体，在本征半导体硅或锗的晶体中，应掺入少量的（ A ）。

A．三价元素 B．四价元素 C．五价元素 D．六价元素 2．稳压管电路如图2所示，稳压管DZ1的稳定电压UZ1 12V，DZ2的稳定电压为

。 UZ2 6V，则电压U0等于（ C ）

A．12 V B．20 V C．6 V D．

0 V

图2

题 答 要 不 内 线 名封姓密 号 学 级 班 业 专 院 学 题 答 要 不 内 线 封 密 江 苏 科 技 大 学

2010 － 2011 学年 第二学期

《电工电子技术1》课程试题

( A )卷

题号 一 二 三 四 五 六 七 八 总分 得分 一、选择题（12×2分）

1、如将两只额定值为220V/100W的白炽灯串联在220V的电源上，每只灯消耗的功率为（ C ），设灯电阻未变。

（A）100W （B）50W （C）25W 10Ω a 3Ω 10Ω － 10Ω 10Ω

＋

12V 2A US

＋ －

10Ω 10Ω

b 图2

图1

2、图1所示电路中，理想电流源两端的电压US为（ B ） （A）0V （B）－18V （C）－6V

3、图2所示电路中，电路两

《电工电子技术基础》期末考试试卷 (闭 卷)

题号 得分 评卷 一 40 二 10 三 10 四 10 五 15 六 15 七 八 总分 100 一、填空题（每空1分，共40分） 1、交流电的电流或电压在变化过程中的任一瞬间，都有确定的大小和方向，叫做交流电该时刻的 ，分别用小写字母 表示。 装 订 线 2、数字电路中只有 和 两个数码。 3、三相电源的中线一般是接地的，所以中线又称__ ___线。三相电源三相绕组的首端引出的三根导线叫做___ __线。 4、(1011)2 = ( )10。 5、电容和电阻都是电路中的基本元件，但它们在电路中所起的作用却是不同的，从能量上看，电容是_ ____元件，电阻是__ ____元件。 6、为了反映功率利用率把有功功率和视在功率的比值叫 。 7、正弦交流电的三要素是 、 和 。 8、实际电压源总有内

电子科技大学大学物理II期末考试要求

(1)静电场 掌握库仑定律，电场和电场强度，电场叠加原理， 电力线和电通量，高斯定律与散度，电场的环路 定理与旋度，电势差和电势，电势叠加原理，电 势梯度。 掌握导体的静电平衡，导体上的电荷分布，静电

屏蔽；了解电介质的极化；掌握电位移矢量，电介质中的高斯定律，电容器及电容，电场的能量；

了解传导电流，电源及电动势，稳恒电流。

电子科技大学大学物理II期末考试要求

(2)稳恒磁场 掌握磁场和磁感应强度，磁场叠加原理，磁力线和磁 通量，磁场的高斯定律与散度，匀速运动点电荷的磁 场，毕奥一萨伐尔定律，安培环路定理与旋度。 掌握安培力，安培定律；带电粒子在磁场中的运动， 洛仑兹力；霍耳效应。 了解磁介质及其磁化；掌握磁场强度矢量，磁介质中 的环路定理；了解铁磁质。 (3)电磁感应及麦克斯韦方程组 掌握法拉第电磁感应定律；动生电动势，感生电动势 和感应电场，互感，自感；磁场的能量。 掌握位移电流；麦克斯韦方程组；了解电磁波的基本 性质，电磁波的能量，坡印廷矢量。

电子科技大学大学物理II期末考试要求

(1)早期量子理论 了解黑体辐射；掌握光电效应，光子与光的二象性， 康普顿散射，原子的核模型，玻尔的原子理论，激 光理论初步。

《电工与电子技术》期末考试试题

一、选择题（25分每小题1分） 1.理想二极管的反向电阻为（ ）。

A.零 B.无穷大 C.约几百千欧 D.以上都不对

2.在换路瞬间，下列各项中除( )不能跃变外，其他全可跃变。 A.电感电压 B.电容电压 C.电容电流 D.电阻电流

3.在电感性负载两端并联一定值的电容，以提高功率因素，下列说法正确的是（ ）。

A.减少负载的工作电流 B.减少负载的有功功率 C.减少负载的无功功率 D.减少线路的功率损耗 4.稳压二极管的动态电阻rZ 是指 （ ）。

A.稳定电压UZ与相应电流IZ 之比

B.稳压管端电压变化量?UZ 与相应电流变化量?IZ 的比值

C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值 D.以上都不对

5.当三相交流发电机的三个绕组连接成星形时，若线电压

则相电压 uC=？ A.2202sin(?t?30)V

B.3802sin(?t?30)V

D.2202sin(?t?30)

uBC?3802sin(?t?180)V，

C. 3802sin(?t?120)V

6.两个完全相同的交流铁心线圈，分别工作在电压

电子科技大学大学物理II期末考试要求

(1)静电场 掌握库仑定律，电场和电场强度，电场叠加原理， 电力线和电通量，高斯定律与散度，电场的环路 定理与旋度，电势差和电势，电势叠加原理，电 势梯度。 掌握导体的静电平衡，导体上的电荷分布，静电

屏蔽；了解电介质的极化；掌握电位移矢量，电介质中的高斯定律，电容器及电容，电场的能量；

了解传导电流，电源及电动势，稳恒电流。

电子科技大学大学物理II期末考试要求

(2)稳恒磁场 掌握磁场和磁感应强度，磁场叠加原理，磁力线和磁 通量，磁场的高斯定律与散度，匀速运动点电荷的磁 场，毕奥一萨伐尔定律，安培环路定理与旋度。 掌握安培力，安培定律；带电粒子在磁场中的运动， 洛仑兹力；霍耳效应。 了解磁介质及其磁化；掌握磁场强度矢量，磁介质中 的环路定理；了解铁磁质。 (3)电磁感应及麦克斯韦方程组 掌握法拉第电磁感应定律；动生电动势，感生电动势 和感应电场，互感，自感；磁场的能量。 掌握位移电流；麦克斯韦方程组；了解电磁波的基本 性质，电磁波的能量，坡印廷矢量。

电子科技大学大学物理II期末考试要求

(1)早期量子理论 了解黑体辐射；掌握光电效应，光子与光的二象性， 康普顿散射，原子的核模型，玻尔的原子理论，激 光理论初步。

2015电子科技大学 图论考试复习题

关于图论中的图，以下叙述不正确的是

A．图中点表示研究对象，边或有向边表示研究对象之间的特定关系。 B．图论中的图，画边时长短曲直无所谓。

C．图中的边表示研究对象，点表示研究对象之间的特定关系。

D．图论中的图，可以改变点与点的相互位置，只要不改变点与点的连接关系。

一个图中最长的边一定不包含在最优生成树内。

下面哪个图形不与完全二分图K3,3同构？ A． B． C． D．

有10条边的5顶单图必与K5同构。

完全二分图Km,n的边数是 A．m B．n C．m?n D．mn

无向完全图Kn的边数为 A．n B．n2 C．n(n?1) D．n(n?1)/2

若一个无向图有5个顶点，如果它的补图是连通图，那么这个无向图最多有 条边。

对于两个图，如果顶点数目相等，边数相等，次数相等的顶点数目也相等，则这两个图同构。

有15个顶的单图的边数最多是 A．105 B．210 C．21 D．45

图G如右，则dacbeb

A．是G中的一条道路 baB．是G中的一条道路但不