浙江大学电子电路基础

北京联合大学2007专接本《电子电路基础》试卷（A）

注意：本试卷共六道大题。 题号 一 二 三 四 五 六 总分 30 10 24 20 11 5 题分 核分人 得分 复查人

一、 填空题(每空1分，共30分)

1．本征半导体中有两种载流子，一种是 电子 ，另一种是 空穴 。 2．在PN结形成过程中，载流子的 扩散 运动是载流子的浓度梯度作用产生的， 漂移 运动是内建电场作用产生的。

3. 场效应管是 多数 载流子参与导电的 电压 控制器件。 4. 当温度上升时，晶体管以下参数的变化趋势是；ICBO 增大 ;UBEO 减小 ; （填写：增大 、减小、不变） ? 增大 。5. 场效应管是通过改变 电压 来控制漏极电流的，所以场效应管是 电压 控制 电流 器件。

6. (12.375)10 等于二进制数的 1100.011 ，等于8进制数的 14.3 ,等于16进制数的 0E.6 。

7. 使逻辑函数F1?ABCD值为1的各变量取值是（按A、B、C、D顺序写） 0110 ；

电子电路基础练习题

一、填空题

1． PN结加正偏电压时, P区接_高_电位, N区接_低_电位, 此时电流_大_（大小高低）。

2． 常温下，硅二极管的开启电压（即：死区电压）约__0.5_V，导通电压约__0.7_V；锗二极管的开

启电压（即：死区电压）约_0.1_V，导通电压约_0.2__V。

3． 双极型三极管中有__二____种载流子导电, 是__电流_____控制器件. 4． 场效应三极管中有_一__________种载流子导电, 是__电压___控制器件.

5． 双极型半导体三极管工作在放大状态时, 发射结_正向_偏置, 集电结__反向_偏置.对于NPN

管，此时各引脚电位大小关系是Uc _> _ UB _>_UE ;而对于PNP管，此时各引脚电位大小关系是UC _<__ UB_< _ UE 。 6． 温度升高时, 三极管的电流放大系数?变大_, 在相同IB的情况下,UBE将变_小_，ICBO变 大 。 7． 单管放大电路中欲获较高的电压放大倍数且反相输出，应当选用_共射_组态放大器；欲获较高

的输入电阻，应当选用_共集_组态放大器；欲获较宽的通頻带，应当选用_共基_组态放大器。 （限答双极型三极管单管放大电路组态名称）。 9. 欲放大直流信号, 应采用_直接__耦合方式.

10. 多级放大电路级间耦合有 直接 耦合、 阻容 耦合和 变压器 耦合三种方式。

11. 二变量真值表中，输入有0则输出为1，输入全1则输出为0，其逻辑关系是 与非

电子电路基础习题册参考答案免费提供（第三版）全国中等职业技术

第一章 常用半导体器件

§1-1 晶体二极管

一、 填空题

1、物质按导电能力的强弱可分为 导体 、 绝缘体 和 半导体 三大类，最常用的半导体材料是 硅 和 锗 。

2、根据在纯净的半导体中掺入的 杂质 元素不同，可形成 N 型半导体和 P 型半导体。

3、纯净半导体又称 本征 半导体，其内部空穴和自由电子数 相等 。N型半导体又称 电子 型半导体，其内部少数载流子是 空穴 ；P型半导体又称 空穴 型半导体，其内部少数载流子是 电子 。

4、晶体二极管具有 单向导电性 ，即加正向电压时，二极管 导通 ，加反向电压时，二极管 截止 。一般硅二极管的开启电压约为 0.5 V，锗二极管的开启电压约为 0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为 0.7 V,锗二极管的正向压降约为 0.3 V。

5.锗二极管开启电压小，通常用于 检波电路 ，硅二极管反向电流小，在 整流电路

及电工设备中常

北京邮电大学高等函授教育

通信技术、计算机技术专业专科（ 二 年级）

《电子电路基础》综合练习题及解答

第一部分 习题

一. 判断题（用√表示正确；用×表示不正确，并改正） （ ） 1、通过半导体中的电流为电子电流与空穴电流之和。

（ ） 2、在本征半导体中掺入少量的磷元素，可以形成N型半导体，它的多子是自

由电子。

（ ） 3、PN结内电场方向由P区指向N区，P区的电位要高于N区的电位。 （ ） 4、PN结指的是P型半导体与N型半导体两者交界面处的势垒区。在无外加

电压作用下，其扩散电流和漂移电流两者方向相反、大小相等。

（ ） 5、PN结正向偏置时其结电容以扩散电容为主；反向偏置时以势垒电容为主，

它随反向偏压的增大其值减小。

（ ） 6、半导体二极管具有单向导电特性，它的反向电流越小，表明管子的单向导

电性越好。

（ ） 7、耗尽型场效应管与增强型场效应管的主要区别，从导电特性来看，当VGS

＝0时，ID≠0为增强型管，ID＝0为耗尽型管。

（ ） 8、场效应管与晶体三极管一样，它们都是电流控制的电子器件。 （ ） 9、场效应管与晶体三极管一样，它们只有一种载流子参与导

《电子电路基础》综合练习题及解答

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通信技术、计算机技术专业专科（ 二 年级）

《电子电路基础》综合练习题及解答

第一部分 习题

一. 判断题（用√表示正确；用×表示不正确，并改正） （ ） 1、通过半导体中的电流为电子电流与空穴电流之和。

（ ） 2、在本征半导体中掺入少量的磷元素，可以形成N型半导体，它的多子是自

由电子。

（ ） 3、PN结内电场方向由P区指向N区，P区的电位要高于N区的电位。 （ ） 4、PN结指的是P型半导体与N型半导体两者交界面处的势垒区。在无外加

电压作用下，其扩散电流和漂移电流两者方向相反、大小相等。

（ ） 5、PN结正向偏置时其结电容以扩散电容为主；反向偏置时以势垒电容为主，

它随反向偏压的增大其值减小。

（ ） 6、半导体二极管具有单向导电特性，它的反向电流越小，表明管子的单向导

电性越好。

（ ） 7、耗尽型场效应管与增强型场效应管的主要区别，从导电特性来看，当VGS

＝0时，ID≠0为增强型管，ID＝0为耗尽型管。

（ ） 8、场效应管与晶体三极管一样，它们都是电流控制的电子器件。 （ ） 9、场效应管与晶体三极管一样，它

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地大《电子电路基础》在线作业二

一、单选题（共 15 道试题，共 60 分。）

1. 在差动式放大电路中，差模输入信号等于两个输入端信号的____ . 和值 . 差值 . 平均值 . 乘积值 正确答案：

2. 场效应管是一种____ . 电压控制器件 . 电流控制器件 . 双极型器件 . 少子工作的器件 正确答案：

3. 为了稳定静态工作点，应引入____；为了稳定放大倍数，应引入____；为了改变输入电阻和输出电阻，应引入____；为了展宽频带，应引入____，下列说法正确的是____ . 直流负反馈；交流负反馈；交流负反馈；直流负反馈 . 交流负反馈；交流负反馈；直流负反馈；直流负反馈 . 直流负反馈；交流负反馈；交流负反馈；交流负反馈 . 交流负反馈；直流负反馈；直流负反馈；直流负反馈 正确答案：

4. 常温下，硅二极管的开启电压约____V，导通后在较大电流下的正向压降约____V；锗二极管的开启电压约____V，导通后在较大电流下的正向压降约____V，下列说法正确的是____。 . 0.3V；0.7V；0.1V

电子电路基础 科 课 时 计 划§ 第 1 章 常用半导体器件 § 1-1 晶体二极管 § 旧课回顾 ① 同学们还记得上学期我们有没有学过半导体器件 ? 我们学习过那些晶体 管？ ② 自然物质的铁和铜与塑料、玻璃在导电性能方面有何区别？ § 教学目的 (5 分钟) ① 了解本征、杂质半质体的导电特性及 PN 结中截流子的运动； ② 掌握半导体的伏安特性及其主要参数，理解稳压管的原理及应用，了解 PN 结的电容效应。 一、半导体的基础知识 1.什么是半导体 导体：铁、铝、钢(金属材料) 按导电能力分 绝缘体：木(塑料、木材、陶瓷等) 硅 Si 半导体：导电介于导体与绝缘体之间 锗 Ge 2.本征半导体 本征半导体--化学成分纯净的半导体。 自由电子(带负电，可移动) 内部存数量相等的两种截流子 空穴(带正电，不可移动) 3.杂质半导体 在纯净半导体(本征半导体)中掺入微量合适的杂质元素，可使半导体的 导电能力大大增强。 杂质半导体分： (1)N 型半导体-又称电子型半导体，其内部自由电子数量多于空穴数量，即 自由电子是多数截流子(多子) ,空穴是少数截流子(少子) 。 (负电多于正电) (2)P 型半导体

专业：______信息工程___ 姓名：_________

地点：____东4-216_____

课程名称：_______电子电路设计_______ 指导老师：_____李锡华_______ 成绩：__________________ 实验名称：_OrCAD软件的练习使用 __ 实验类型：___电子电工____ 同组学生姓名：（缺席）

一、实验目的和任务 掌握OrCAD套件中Capture和PSpice A/D软件的常用菜单和命令的使用 掌握Capture软件电路输入和编辑的方法 学习OrCAD套件中PSpice A/D软件分析设置、仿真、波形查看的方法 学习半导体特性、电路特性的仿真方法 二、实验原理/设计与仿真 实验一 二极管特性的仿真分析

实验报告

学号：______ 日期：___11.25______

二极管的伏安特性是指流过二极管的电流iD与加于二极管两端的电压uD之间的关系或曲线。主要特点是单向导电性和非线性，并且易受温度影响。仿真电路原理图如下：

实验二 桥式整流电路（瞬态分析）

桥式整流器是利用二极管的单向导通性进行整流的最常用的电路，常用来将交流电转变为直流电。

实验三 稳压二极管电路（瞬态分析）

稳压二极管，英

4.3高频功率放大器的动态特性分析 4.3.1 高频功率放大器的动态特性及方程（课本P60）

晶体管的静态特性是在集电极未接负载阻抗的条件下得到的三极管集电极

uiu电流C与电压BE和CE的关系曲线

iC＝f(uBE,uCE)，这是晶体管本身所固有的。

本章4.2.2节中介绍的晶体管的输入特性曲线、正向传输特性曲线和输出特性曲线都是未接负载时的静态特性曲线。 谐振功放的动态特性：当基极加入激励信号，并且集电极接上负载阻抗时，三

uiu极管集电极电流C与电压BE和CE的关

i＝f(u,u)CBECE系曲线称为谐振功放的动

态特性。

谐振功率放大器的动态特性曲线就是

gUC当负载和晶体管（可用和BZ表示）

确定后，瞬时工作点Q(iC,uCE)在输入信号

作用下移动的轨迹，有时也叫负载线。 ? 可以证明：当静态特性曲线折线化后，且放大器负载处于谐振状态，即R负载为纯电阻?，则动态特性曲线也为一条直线。 1 放大区动态特性

工作于丙类放大状态的高频谐振功率放大器??90i，集电极电流C为周期性

脉冲，属于非线性电路，因此

动态特性曲线不是一条直线，而是曲线。 工程上采用折线法作近似估算，并结合实验调整来解决问题。要将实际是一条

特性的放大区，动态特性为一条直线，

u?UiC

4.3高频功率放大器的动态特性分析 4.3.1 高频功率放大器的动态特性及方程（课本P60）

晶体管的静态特性是在集电极未接负载阻抗的条件下得到的三极管集电极

uiu电流C与电压BE和CE的关系曲线

iC＝f(uBE,uCE)，这是晶体管本身所固有的。

本章4.2.2节中介绍的晶体管的输入特性曲线、正向传输特性曲线和输出特性曲线都是未接负载时的静态特性曲线。 谐振功放的动态特性：当基极加入激励信号，并且集电极接上负载阻抗时，三

uiu极管集电极电流C与电压BE和CE的关

i＝f(u,u)CBECE系曲线称为谐振功放的动

态特性。

谐振功率放大器的动态特性曲线就是

gUC当负载和晶体管（可用和BZ表示）

确定后，瞬时工作点Q(iC,uCE)在输入信号

作用下移动的轨迹，有时也叫负载线。 ? 可以证明：当静态特性曲线折线化后，且放大器负载处于谐振状态，即R负载为纯电阻?，则动态特性曲线也为一条直线。 1 放大区动态特性

工作于丙类放大状态的高频谐振功率放大器??90i，集电极电流C为周期性

脉冲，属于非线性电路，因此

动态特性曲线不是一条直线，而是曲线。 工程上采用折线法作近似估算，并结合实验调整来解决问题。要将实际是一条

特性的放大区，动态特性为一条直线，

u?UiC