《模拟电子技术》(第2版)(微课视频版)

第2章 可控整流器与有 源逆变器

本章主要内容

整流器的结构形式、工作原理，分析整流器的工作波形， 整流器各参数的数量关系和设计方法; 整流器工作在逆变状态时的工作原理、工作波形。 变压器漏抗对整流器的影响、整流器带电动机负载时的 机械特性、触发电路等内容。

晶闸管触发电路

2.1 简

介

整流电路：整流器是将交流电变换为固定的或可调的直 流电。

按组成的器件可分为不可控、半控、全控三种 按电路结构可分为桥式电路和零式电路 按交流输入相数分为单相电路和多相电路

工频可控整流器

2.2 单相半波可控整流器

2.2.1 电阻性负载1. 工作原理

在实际应用中，某些负载基本上是电阻性的，如电阻

加热炉、电解和电镀等。电阻性负载的特点是电压与电流成正比，波形相同并且同相位，电流可以突变。

首先假设以下几点：(1) 开关元件是理想的，即开关 元件导通时，通态压降为零，关断时电阻为无穷大； (2) 变压器是理想的，即变压器漏抗为零，绕组的电 阻为零、励磁电流为零。

单相半波整流电路阻性负载演示

带电阻负载的工作情况

变压器T起变换电压和隔离的作用 电阻负载的特点：电压与电流成正比，两者波形相同 几个概念的解释：ud为脉动直流，波形只在u2正半周内出现，故称

《模拟电子技术基础》(第四版) 第2章

第二章 基本放大电路内容提要

第二章 内容提要

本章先以单管共射极放大电路为例，阐明放大电路的组成 原则以及实现放大作用的基本原理。然后介绍电子电路的 最常用的两种分析方法—图解法和微变等效电路法，并利 用上述方法分析单管共射极放大电路的静态工作点和动态 参数(电压放大倍数、输入电阻、输出电阻)。由于温度 变化将对半导体器件的参数产生影响，进而引起放大电路 静态工作点的变动，为此，介绍了一种分压式静态工作点 稳定电路。 此外，还介绍了共集电极和共基极放大电路。 在双极型三极管放大电路的基础上，介绍了 场效应管(单极型三极管)放大电路的特点 和分析方法。

《模拟电子技术基础》(第四版) 第2章

第二章 目录

2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.9 2.10

放大的概念 放大电路的主要性能指标 基本共射极放大电路 放大电路的分析方法 工作点稳定的放大电路 共集电极放大电路 共基极放大电路 三种接法的比较 复合管放大电路 场效应管放大电路

《模拟电子技术基础》(第四版) 第2章

2.1 放大的概念

要求——变化量幅度增大、波形失真小

放大

对象——变化量

实质——能量转换和控制

《模拟电子技术基础》(第四

《模拟电子技术基础》(第四版) 第2章

第二章 基本放大电路内容提要

第二章 内容提要

本章先以单管共射极放大电路为例，阐明放大电路的组成 原则以及实现放大作用的基本原理。然后介绍电子电路的 最常用的两种分析方法—图解法和微变等效电路法，并利 用上述方法分析单管共射极放大电路的静态工作点和动态 参数(电压放大倍数、输入电阻、输出电阻)。由于温度 变化将对半导体器件的参数产生影响，进而引起放大电路 静态工作点的变动，为此，介绍了一种分压式静态工作点 稳定电路。 此外，还介绍了共集电极和共基极放大电路。 在双极型三极管放大电路的基础上，介绍了 场效应管(单极型三极管)放大电路的特点 和分析方法。

《模拟电子技术基础》(第四版) 第2章

第二章 目录

2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.9 2.10

放大的概念 放大电路的主要性能指标 基本共射极放大电路 放大电路的分析方法 工作点稳定的放大电路 共集电极放大电路 共基极放大电路 三种接法的比较 复合管放大电路 场效应管放大电路

《模拟电子技术基础》(第四版) 第2章

2.1 放大的概念

要求——变化量幅度增大、波形失真小

放大

对象——变化量

实质——能量转换和控制

《模拟电子技术基础》(第四

电子技术基础 模拟部分第9章(2)

4. 稳幅措施

采用非线性元件 二极管 起振时

R2 R3 AV 1 3 R1

其 中R3是R3、D1和D2并 联支路的等效电阻

稳幅环节

稳幅原理

Vo

R3

AV

AV 3

AV FV 1 稳幅

end

电子技术基础 模拟部分第9章(2)

9.7 LC正弦波振荡电路

9.7.1 LC选频放大电路 9.7.2 变压器反馈式LC振荡电路 9.7.3 三点式LC振荡电路 9.7.4 石英晶体振荡电路

电子技术基础 模拟部分第9章(2)

9.7.1 LC选频放大电路

1. 并联谐振回路

1 ( R j L) j C Z 1 R j L j C

等效损耗电阻

一般有 R L 则

Z L C 1 R j( L ) C

1 LC

当 0 谐振时

1 LC

时， 电路谐振。 0

为谐振频率

阻抗最大，且为纯阻性 Z 0

R 1 1 L 0 RC R C

其中 Q 0 L 同时有

L Q Q 0 L RC 0C

为品质因数

Ic Q Is

即 I c I L I s

电子技术基础 模拟部分第9章(2)

9.7.1

自我检测题

一、填空题

2-1如果对键盘上108个符号进行二进制编码，则至少要 7 位二进制数码。 2-2共阳LED数码管应由输出 低 电平的七段显示译码器来驱动点亮，而共阴LED数码管应采用输出为 高 电平的七段显示译码器来驱动点亮。

2-3采用54LS138完成数据分配器的功能时，若把S1作为数据输入端接D，则应将使能端S2接 低 电平，S3接 低 电平。

2-4对N个信号进行编码时，需要使用的二进制代码位数n要满足条件 N≤2n 。 二、选择题

2-5一个8选1的数据选择器，其地址输入端有几个 B 。 A、1 B、3 C、2 D、4

2-6可以用 B、C 电路的芯片来实现一个三变量组合逻辑函数。 A、编码器 B、译码器 C、数据选择器

2-7要实现一个三变量组合逻辑函数，可选用 A 芯片。 A、74LS138 B、54LS148 C、74LS147 三、判断题

2-8 54/74LS138是输出低电平有效的3线－8线译码器。( ? )

2-9当共阳极LED数码管的七段（a~g）阴极

习 题 7

7.1 确定图7.1所示电路的漏极电流。

+VDDRDVP= -6VIDSS=3mAVGS2VRD-VDDVTVGS3VVTVP= 6VIDSS= -12mA(a)(b)

图7.1 习题7.1图

(a) UGSQ=－2V，ID?IDSS(1?UGS2)?3?(1?)?1.33(mA) UP6(b) UGSQ=3V，ID=－12×(1－3/6)=－3(mA)

7.2 电路如图7.2所示，MOSFET的UT = 2V，K = 50mA/V2，确定电路Q点的IDQ和

UDSQ值。

UGSQ?Rg2Rg1?Rg2?VDD?15?24?3.13(V)

100?15IDQ?K(UGSQ?UT)2?50?(3.13?2)2?63.9(mA) UDSQ?VDD?IDQRd?24?63.9?0.2?11.2(V)

7.3 试求图7.3所示每个电路图的UDS，已知|IDSS| = 8mA。

(a) UGSQ=0(V) IDQ=IDSS=8(mA) UDSQ=VDD－IDQRd = 12－8×1=4(V) (b) UGSQ=0(V) IDQ=IDSS=8(mA) UDSQ=VDD－IDQRd = 15－8×1.2=

第2次作业

一、单项选择题（本大题共100分，共 40 小题，每小题 2.5 分）

1. 由开关组成的逻辑电路如图2所示，设开关接通为“1”，断开为“0”，电灯亮为“1”，电灯暗为“0”，则该电路为( )。

A. “与”门 B. “或”门 C. “非”门

2. 若晶闸管的控制电流由大变小，则正向转折电压（ ）。 A. 由大变小 B. 由小变大 C. 保持不变

3. 在电动机的继电器接触器控制电路中，热继电器的功能是实现（ ）。 A. 短路保护 B. 零压保护 C. 过载保护

4. 集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( )。 A. 减小温漂 B. 增大放大倍数 C. 提高输入电阻

5. 三相异步电动机的旋转方向决定于( )。 A. 电源电压大小 B. 电源频率高低 C. 定子电流的相序

6. 在电动机的继电器接触器控制电路中，热继电器的正确连接方法应当是( )。

A. 热继电器的发热元件串接在主电路内，而把它的动合触点与接触器的线圈串联接在控制电路内

B. 热继电器的发热元件串联接在主电路内，而把它的动断触点与接触器的线圈串联接在控制电路内

C. 热继电器的发热元件并接在主电路内，而把它的动断触点与接触器的线圈并联接在控制电路内

7.

数字电子技术基础(第3版)练习答案 周良权 方向乔编高等教育出版社

第1章 数字电路基础

1.1 (1001010)2=1×26+1×23+1×21=(74)10 (111001)2=1×25+1×24+1×23+1×20=(57)10 1.2 (54)10=(110110)2 (47)10=(101111)

1.3 (58A)16 =(0101 1000 1010)2=1×210+1×28+1×27+1×23+1×21 =1024+256+128+10=(1418)10 或(58A)16=5×162+8×161+10×160=(1418)10

(CE)16 =(1100 1110)2=27+26+14=128+64+14=(206)10 =(0010 0000 0110)8421BCD 1.4 1.5 1.6 1.7 (×) 1.8 (×) 1.9 (√)

6 0

0 LSB 1 1 0 1

1 MSB

5 0

1

第一章 电路的基本概念和基本定律

1.1 在题1.1图中，各元件电压为 U1=-5V，U2=2V，U3=U4=-3V，指出哪些元件是电源，哪些元件是负载？

解：元件上电压和电流为关联参考方向时，P=UI；电压和电流为非关联参考方向时，P=UI。P>0时元件吸收功率是负载，P<0时，元件释放功率，是电源。

本题中元件1、2、4上电流和电流为非关联参考方向，元件3上电压和电流为关联参考方向，因此

P1=-U1×3= -（-5）×3=15W； I2=-4A2P2=-U2×3=-2×3=-6W； I3=-1A- U2 ++P3=U3×（-1）=-3×（-1）=3W； ++1U13U34U4P4=-U4×（-4）=-（-3）×（-4）=-12W。 ---元件2、4是电源，元件1、3是负载。

I1=3A

题1.1图1.2 在题1.2图所示的RLC串联电路中，已知

uC?(3e?t?e?3t)V 求i、uR和uL。

解：电容上电压、电流为非关联参考方向,故

4Ω+uR -+1/3Fi??cduc1d????3et?e?3t???e?t?e3t?A dt3dti1H电阻、电感上电压、电流为关联参考方向

+-uR?Ri?4?e?t?e?3t?V

uL?L

1.3 在题1.3图中，已知I=2

《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）

一.选择题

1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N型半导体。

A.二 B.三 C.四 D.五

2、在P型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。

A.大于 B.等于 C.小于 3、本征半导体温度升高以后， C 。

A.自由电子增多，空穴数基本不变 B.空穴数增多，自由电子数基本不变

C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 D.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。

A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿

7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏

C. 前者正偏、后者也正偏 D. 前者反偏、后者正偏

8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。