电子科技大学大专

电子科技大学（英文名：University of Electronic Science and Technology of China, UESTC，原成都电讯工程学院），简称电子科大或成电（得名于原校名成都电讯工程学院），教育部直属全国重点大学，国家“211工程”和“985工程”重点建设高校。学校坐落于四川省会成都，于1956年由上海交通大学、南京工学院（现东南大学）、华南工学院（现华南理工大学）三所院校的电子信息类学科合并创建而成，为中国最早的七所重点国防院校之一，现为中华人民共和国教育部直属高等学校。 1956年（成都电讯工程学院）

编辑本段学校地址

沙河校区：四川省成都市建设北路二段四号 清水河校区：四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 九里堤校区：四川省成都市九里堤北路15号

编辑本段历史沿革

电子科技大学是中央部属高校，教育部直属的全国重点大学，1997年首批成为国家“211工程”重点建设大学；国家“985工程”重点建设大学的行列。 与哈工大、上海交大并列为“我国最早的七所重点国防院校之一”。全国72所教育部直属高等学校之一。 学校坐落于“天府之国”四川的省会，西南经济、文化、交通中心——成都市。

桂林电子科技大学 第二届三次教职工代表大会

代表名单

正式代表：（ 233人 ）

第一代表团 12人 （机电工程学院）

团长：黄美发 副团长：孙亮波

杨道国 程 华（女） 宋宜梅（女） 莫秋云（女） 孙永厚 范兴明 李 震 李彩林 龚雨兵 古天龙

第二代表团18人（信息与通信学院）

团长：苏朝善 副团长：丰 硕

林基明 刘庆华（女） 何 宁 姜 兴（女） 叶 进（女） 符 强 王守华 张法碧 张向利（女） 王卫东 赵中华 马春波 赵秋明 欧阳宁 何志毅 周怀营

第三代表团15人（计算机科学与工程学院）

团长：胡 琳 副团长：黄廷辉

方进一 王 鑫 邓珍荣（女） 石 华（女） 刘建明 张文辉（女） 钟艳如（女） 黄廷磊 黄文明 常 亮 湛永松 张华成 李思敏

4

第四代表团12人（艺术与设计学院）

团长：黄永安 副团长：黎成茂

武有能 叶德辉 汤志坚 龚东庆 彭馨弘（女） 窦建玲（女） 葛俊杰 陈旭（女） 刘翠玉（女） 黄家城

第五代表团 12人（商学院）

团长：董雄报 副团

篇一：这才是真正的电子科技大学

这才是真正的电子科技大学（一个成电学生的感悟）

2013-03-04 07:53阅读：1,741

这篇博文我想了很久，起初是想用一贯的调侃语气来写的，但是反复掂量觉得不妥，那天强子说，刚入大一，学长的最初指导非常重要，所以为了能让大家有点感觉，我选择比较正式的语气来写。按理说这篇博文我写是太早了，因为我本人都没有做好当学长的准备，就算是自己对大学的一点点小感悟吧，送给将要到来的你们。

首先，欢迎来到电子科技大学，UESTC。你可以简称为电子科大，或者成电。但是不要简称为电科大，习惯而已。UESTC的意思，是University of Electronic Science and Technology of China，最后两个词是of China，不是of Sichuan，或者of Chengdu。成电的意思，是成都电讯工程学院，是学校的前身，也代表当年傲世全国的霸气。

我知道的一点是，电子科大是很多没有考上清华的人的第二选择，或者说，是保底选择。现在在看日志的你，也许就是其中的一员。但是不管怎么样，大学是一个新的开始，你会发现，你引以为豪的高考成绩，其实实在是没有一点点参考价值。况且，在这里似乎你还不敢说你的高考成绩就

电子科技大学UESTC实习报告

电子科技大学 通信与信息工程学院

生 产 实 习

学号：2010013040010

电子科技大学UESTC实习报告

一、实习目的和任务

基于ADS软件的低通滤波器设计

二、实习内容和要求

实习要求：1、在老师的指导下，安装ADS软件，学习ADS软件的基本应用。

2、掌握ADS软件应用之后，利用ADS软件完成低通滤波器的设计和仿真应用。 设计指标：截止频率：1.2GHz； 设计方案：

利用椭圆函数滤波器设计并仿真，经过优化后，结果调出来的波形能达到指标，但波形会形成带阻波形，只能实现在一定范围内低通。所以不选。

利用切比雪夫滤波器设计并仿真，经过优化调试后可用。 利用ADS自带的集总方式得出切比雪夫低通滤波器的阶数如下图

可得阶数n=11

之后直接利用集总生成切比雪夫滤波器，然后用如下图的功能把切比雪夫滤波器中的电感、电容转换为微带线

低通滤波器集总参数模型如图

原理图设计并加T型接口如图

电子科技大学UESTC实习报告

转换过程中把电介质设为2.2，基板厚度设为0.8mm(这里使用的是已经验证可用)。把转换完的11阶微带电路复制到另一个新建设计面页，连成如下图所示，并连成如下电路，参数、变量什么的都设完后自动优化加手动都达不到理想波形，通过讨论

2?|?|1 输入随即信号X(t)的自相关函数RX(?)?a?be式中a,b为正常数，试

求单位冲击响应h(t)?e??tU(t)的系统输出均值（??0）。

2 设线性系统的单位冲击响应h(t)?te?3tU(t)，其输入是具有功率谱密度为4V2/Hz的白噪声与2V直流分量之和，试求系统输出的均值、方差和均方值。 3 设有限时间积分器的单位冲击响应h(t)?U(t)?U(t?0.5)，它的输入是功率谱密度为10V2/Hz的白噪声，试求系统输出的均值、均方值、方差、和输入输出互相关函数。

4 设系统的单位冲击响应为h(t)??(t)?2e?2tU(t)，其输入随机信号的自相关

?2|?|函数RX(?)?16?16e，试求系统输出的（总）平均功率和交流平均功率。

5 电路如图题5所示。设输入白噪声的自相关函数RX(?)?S0?(?)，试求电路输出的平均功率。

4Ω31Ω+X(t)+Y(t)1F81F6-图题5

6 某系统的传递函数

H(?)?j??aj??b-

??|?|若输入平稳随机信号的自相关函数为RX(?)?e，输出记为Y(t)，试求互

相关函数RXY(?)。（??b）。

7 某控制系统如图题7所示。若输入宽平稳随机信号的功率谱密度

SX(s)?

篇一：全国MBA院校学费一览表

全国MBA院校学费一览表

北京大学光华管理学院

国际MBA项目12.8万，全日制MBA班10.8万，在职MBA班12.8万元清华大学

国际MBA项目13.8万，全日制MBA班9.8万元，在职MBA班12.8万元复旦大学

国际MBA项目13万，在职MBA项目12万，Asia MBA项目15万上海财经大学

在职MBA项目7.8万，全日制MBA项目8.8万

上海交通大学

在职MBA项目11.8万，全日制MBA项目12.8万，CLFM项目15.8万中国人民大学

IMBA（国际MBA）11.8万，全日制MBA项目9.8万元，在职MBA项目10.8万中山大学管理学院

全日制班（含国际班、双语班）9万，在职班（含国际班、双语班）9 万中山大学岭南学院

国际MBA项目10万，在职MBA项目9万

南开大学MBA项目

国际班MBA项目12.8万，全日制MBA班10.8万，在职MBA班12.8万西北大学MBA项目 4万元人民币

北京理工大学MBA项目5.5万元人民币

中央民族大学MBA项目5万元/人

南京航空航天大学MBA项目 5.5万元，教材费1000元

上海外国语大学MBA项目 7万元人民币（含资料费）

天津大学MBA项目 6万元

对外经济贸易大学MBA项目 7

导师介绍

机电工程学院各学科博、硕士研究生导师（按姓氏笔划排序）

工程力学（080104）

硕士生导师：仇原鹰 徐亚兰 陈贵敏 杨 勇

机械制造及其自动化（080201）

博士生导师：仇原鹰 李团结 苏玉鑫 陈建军 郑 飞 段宝岩 贾建援 周德俭（兼）

硕士生导师：马洪波 马 娟 王芳林 李 凯 杜淑幸 邵晓东 陈建军 郑 飞 段江涛 赵 克 殷 磊 崔明涛 曹鸿钧 陈永琴 孔宪光 仝勖峰 许 威 杨东武

机械电子工程（080202）

博士生导师：段宝岩 郑晓静 仇原鹰 王 龙 李志武 邵晓东 陈建军 周孟初 贾建援 黄 进 王从思 陈贵敏 邱 扬 田文超 平丽浩(兼) 周德俭(兼) 杜敬利 Alessandro Giua Witold Pedrycz

硕士生导师：马伯渊 仇原鹰 王从思 田文超

第一次试验

1.画出公式y=cos(x)*(5=8*sin(x))+x*e –x 分别画在0-2x内取1000个的曲线图，和x=【-3,3】取0.01间隔的曲线图

x1=linspace(0,2*pi,100);

y1=cos(x1).*(5+8*sin(x1))+x1.*exp(-x1); subplot(2,1,1); plot(x1,y1); x2=-3:0.01:3;

y2=cos(x2).*(5+8*sin(x2))+x2.*exp(-x2); subplot(2,1,2); plot(x2,y2)

2.画出公式x=cos（t+a），y=sin（2t），其中a=0，π/6，π/3，π/2，在4个子图中画出曲线

t=-10:0.001:10; c1=0;

x1=cos(t+c1); y1=sin(2*t); subplot(2,2,1); plot(x1,y1); c2=pi/6;

x2=cos(t+c2); y2=sin(2*t); subplot(2,2,2); plot(x2,y2); c3=pi/3;

x3=cos(t+c3); y3=sin(2*t); subplot(2,2,3); plot(x3,y3); c4=pi/2

第二章 PN结

填空题

1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为NA=1.5×1016cm-3，则室温下该区的平衡多子浓度pp0与平衡少子浓度np0分别为（ ）和（ ）。

2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（ ）电荷，N区一侧带（ ）电荷。内建电场的方向是从（ ）区指向（ ）区。

3、当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为（ ）。由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（ ）。

4、PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（ ），内建电场的最大值就越（ ），内建电势Vbi就越（ ），反向饱和电流I0就越（ ），势垒电容CT就越（ ），雪崩击穿电压就越（ ）。

5、硅突变结内建电势Vbi可表为（ ），在室温下的典型值为（ ）伏特。

6、当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（ ），势垒区的势垒高度会（ ）。 7、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（ ），势垒区的势垒高度会（ ）。 8、在P型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度np与外加电压V之间的关系可表示为（ ）。若P型

软件工程专业类课程

实验报告 课程名称：系统分析与设计（含UML） 学 院：信息与软件工程学院 专 业：嵌入式系统 学生姓名：XXXXXX 学 号：201222XXXXX 指导教师：周XXXX 评 分：

日 期：2014年11 月12 日

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目录

目录 ................................................................................................................................................................. 2 实验1 .............................................................................................................................................................. 3 1.1实验名称 .....................................................