电子技术基础期末考试试题

风冈县中等职业技术学校 模拟电子技术试卷十

模拟电子技术测验 试卷十

班级：___________姓名：___________学号：___________

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每一小题２分，共２０分)

（1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（ ） A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度

D.晶体缺陷

(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态

(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管

① ③

D.PNP型硅管 －2V ② －2.2V (4 )温度上升时，半导体三极管的( ) －8V A.β和ICEO增大，uBE下降

图1

B.β和uBE增大,ICEO减小 C.β减小，ICEO和uBE增大 D.β、ICEO和uBE均增大

(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.

《电子技术基础》期末考试题

班级 姓名

题号 得分 一 二 三 总分 一、填空题（在“ ”上填上正确答案，每空1.5分，共48分）

1. 晶体二极管加一定的 电压时导通，加 电压时截止，这一导电特性称为二极管的 特性。

2. PN 结处于导通状态时电阻_______，处于截止状态时电阻_________。

3. 用万用表“R x 1K \挡测试二极管,若所测得电阻较大时,则黑笔接触的是二极管的_______极,与红管接触的是二极管的_______极。

4. 场效应管是一种_____控制器件,是_______电压来控制漏极电流。场效应管有_______场效应管和_______场效应管两大类,每类又有P沟道和_______沟道的区分。

5. 试判断下图中各三极管处于何种工作状态，并指出管型。

管型 （1）_______（2）_______（3）_______（4）_______ 工作状态 （1）_______（2）_ （3）_______（4）_______

6. Iceo称为三极管

风冈县中等职业技术学校 模拟电子技术试卷十

模拟电子技术测验 试卷十

班级：___________姓名：___________学号：___________

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每一小题２分，共２０分)

（1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（ ） A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度

D.晶体缺陷

(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态

(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管

① ③

D.PNP型硅管 －2V ② －2.2V (4 )温度上升时，半导体三极管的( ) －8V A.β和ICEO增大，uBE下降

图1

B.β和uBE增大,ICEO减小 C.β减小，ICEO和uBE增大 D.β、ICEO和uBE均增大

(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.

《电工与电子技术》期末考试试题

一、选择题（25分每小题1分） 1.理想二极管的反向电阻为（ ）。

A.零 B.无穷大 C.约几百千欧 D.以上都不对

2.在换路瞬间，下列各项中除( )不能跃变外，其他全可跃变。 A.电感电压 B.电容电压 C.电容电流 D.电阻电流

3.在电感性负载两端并联一定值的电容，以提高功率因素，下列说法正确的是（ ）。

A.减少负载的工作电流 B.减少负载的有功功率 C.减少负载的无功功率 D.减少线路的功率损耗 4.稳压二极管的动态电阻rZ 是指 （ ）。

A.稳定电压UZ与相应电流IZ 之比

B.稳压管端电压变化量?UZ 与相应电流变化量?IZ 的比值

C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值 D.以上都不对

5.当三相交流发电机的三个绕组连接成星形时，若线电压

则相电压 uC=？ A.2202sin(?t?30)V

B.3802sin(?t?30)V

D.2202sin(?t?30)

uBC?3802sin(?t?180)V，

C. 3802sin(?t?120)V

6.两个完全相同的交流铁心线圈，分别工作在电压

《电工电子技术基础》期末考试试卷 (闭 卷)

题号 得分 评卷 一 40 二 10 三 10 四 10 五 15 六 15 七 八 总分 100 一、填空题（每空1分，共40分） 1、交流电的电流或电压在变化过程中的任一瞬间，都有确定的大小和方向，叫做交流电该时刻的 ，分别用小写字母 表示。 装 订 线 2、数字电路中只有 和 两个数码。 3、三相电源的中线一般是接地的，所以中线又称__ ___线。三相电源三相绕组的首端引出的三根导线叫做___ __线。 4、(1011)2 = ( )10。 5、电容和电阻都是电路中的基本元件，但它们在电路中所起的作用却是不同的，从能量上看，电容是_ ____元件，电阻是__ ____元件。 6、为了反映功率利用率把有功功率和视在功率的比值叫 。 7、正弦交流电的三要素是 、 和 。 8、实际电压源总有内

哈工大2004年春季学期

班号 姓名 题号 分数

一、填空或选择（20分）

1、N型半导体是在半导体中掺入 五 价杂质，其中多数载流子是 电子 。 2、在模拟放大电路中，三极管一般工作在输出特性的 放大 区；在数字电路中它一般工作在 饱和 区或 截止 区，此时也称它工作在 开关 状态。

3、电路如下图所示，TG为CMOS传输门，G为TTL与非门，则C=0, P= 0 ；C=1时，P= /A 。 基 础 电 子 技 术 试 题

一 二 三 四 五 六 七 八 总分 BCATG1C4、乙类功放电路如下图所示。已知

10k?&PVCC?12V，RL?8?，UCES?0，ui为正弦电压，

则负载上可能得到的最大输出功率为 9W ；每个管子的管耗至少应为 1.8W 。

?VCCT1viT2?VCCRL

5、当温度升高时，双极性三极管的β将 增加 ，反向饱和电流ICEO 增加 ，正向结压降UBE 减小 ，晶体管的共射输入特性曲线将 左移 ，输出特性曲

浙江大学2007–2008学年春学期

《 数字电子技术基础 》课程期末考试试卷

开课学院： 电气学院 ，考试形式：闭、开卷，允许带___计算器___入场 考试时间：2008年 4 月 17 日,所需时间： 120 分钟

考生姓名： _____学号： 专业： ______主考教师： 题序 得分 评卷人 一 二 三 四 五 六 七 八 总 分 一、（27分） 填空写出下列各题的正确答案： 1、（2分）数制、码制转换：

(1) ( 478 )10 = （ ）2 =( ) 8421BCD

2、（2分）已知某单位有2356个人，若要求用一串二进制码给每人分配一个ID号，则至少需要（ ）位二进制进行编码？

3、（2分）某与非门电路的低电平最大输出值是0.4V，高电平输出最小值是2.5V，开门电平和关门电平约等于阀值电平VT=1.4V，则它的低电平输入噪声容限是（ ），高电平输入噪声容限是（ ）。

4、（2分）（在选择处打√）三态与门

电力电子技术试题

第1章 电力电子器件

1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。

2.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 3.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 4.电力二极管的工作特性可概括为_正向电压导通，反相电压截止_。

5.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 6.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 7.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

8.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。

9.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。

10.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、

电力电子技术试题

第1章 电力电子器件

1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。

2.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 3.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 4.电力二极管的工作特性可概括为_正向电压导通，反相电压截止_。

5.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 6.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 7.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

8.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。

9.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。

10.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、

电力电子技术试题

第1章 电力电子器件

1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。

2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。

3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于IH。

10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_小于__Ubo。 12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的