Mos认证

试卷编号：8061 所属语言：计算机基础 试卷方案：excel 试卷总分：1410分 共有题型：1种

一、EXCEL操作 共141题 （共计1410分） 第1题 （10.0分）

--------------------------------------------------------------------- 请在打开的窗口中进行如下操作，操作完成后，请关闭Excel并保存工作簿。 --------------------------------------------------------------------- 在工作表Sheet1中完成如下操作：

1、利用公式计算校准分，校准分=（各课程得分×该课程的校准比例，然后求和）

2、计算平均分、总分。

3、插入一张工作表。将sheet1表中的A1：I28单元格区域复制到新插入的工作表中。

4、在sheet1表中以主关键字“总分”降序排序，总分相同以“英语成绩”降序排 序。

5、在sheet1表中利用自动序列在计算出名次。（1、2、3.。。。） 注：计算完毕后，调整列宽，使列标题完整显示。

6、在sheet1表中，将A29：M29单元格合并及居中，

试卷编号：8061 所属语言：计算机基础 试卷方案：excel 试卷总分：1410分 共有题型：1种

一、EXCEL操作 共141题 （共计1410分） 第1题 （10.0分）

--------------------------------------------------------------------- 请在打开的窗口中进行如下操作，操作完成后，请关闭Excel并保存工作簿。 --------------------------------------------------------------------- 在工作表Sheet1中完成如下操作：

1、利用公式计算校准分，校准分=（各课程得分×该课程的校准比例，然后求和）

2、计算平均分、总分。

3、插入一张工作表。将sheet1表中的A1：I28单元格区域复制到新插入的工作表中。

4、在sheet1表中以主关键字“总分”降序排序，总分相同以“英语成绩”降序排 序。

5、在sheet1表中利用自动序列在计算出名次。（1、2、3.。。。） 注：计算完毕后，调整列宽，使列标题完整显示。

6、在sheet1表中，将A29：M29单元格合并及居中，

单元1从文本文件导入数据

使用文件：01导入文本文件.txt，将此文件导入到Excel工作表中。 操作说明

1.启动Excel后，执行“数据”菜单的“导入外部数据”→“导入数据”。出现选取数据源对话窗口。

2.双击想要打开的文件。

3.出现“文本导入向导”，按“下一步”按钮。

4.导入数据的分隔符号有“Tap键、分号、逗号、空格、其他”等格式可以勾选，选择适合数据来源的分栏符选项来建立分栏后，单击“下一步”按钮。

5.可以在此指定各列数据格式，结束后单击“完成”按钮。

6.出现“导入数据”窗口，选择数据要放置的单元格位置，单击“确定”按钮。

7.完成结果如下。

单元2从外部导入数据

使用文件：02技能检定.mdb（Access数据库文件），将此文件倒入到到Excel工作表中。 操作说明

1.启动Excel后，执行“数据”菜单的“导入外部数据”→“导入数据”。出现选取数据源对话窗口。

2.出现“选取数据源”对话窗口，点选“02技能检定.mdb”，并按“打开”按钮。

3.指定数据存放位置后单击“确定”按钮。 4.完成结果如下。

单元3导入及导出XML文件

使用文件：03学生资料.xml（可扩展标记语言） 操作说明

1.导入XML文件之前要先新增X

MOS管驱动电路

首先，这都是由于疏忽造成的，一失足成千古恨。避免大家跟我犯同样的错误，所以就贴出来了！不能纯粹的将MOS管当做开关开哦。

我是学机械的，电路方面基础较差，可能分析不太正确，请见谅！

两幅图中，PWM为幅值为2.8V的方波信号，两幅图中，不同之处就是：负载的位置。一般MOS驱动电路采用图1，而我由于疏忽，再绘制电路原理图的时候就弄成了图2，那么负载的位置不同会带来什么样的影响呢？

图1中，PWM信号为高时（即VGS=2.8V），MOS管导通，MOS管D端同电源地导通，4.2V电压全部加载在负载上，这就是我们想要的。图2中，PWM信号为高时（MOS管G极电压为2.8V），MOS管部分导通，MOS管S极电压会比MOS管G极电压低0.6V左右（不同MOS管，有所不同，也就是MOS管最小导通电压），也就是说VS=2.2V左右，那么加载在负载两端的电压也就是2.2V左右了，这肯定不是我们想要的了。至于为什么，我觉得是：MOS管要导通必须满足条件VGS>最小导通电压（SI2302就是0.6V），而当VGS=0.6V左右时，只能部分导通，故MOS管D极和S极会有压降就很正常了。所以在设计MOS管驱动电路时，要多加小心，

GTM Electronics (Shanghai) Ltd.

MOS測試原理解析

By Antly_law

MOSFET-簡介?MOSFET定義及特點?MOSFET結構?MOSFET工作原理(NMOS)?MOSFET特性曲線(NMOS)?分立器件測試機

?MOSFET的直流參數及測試目的?MOSFET的交流參數?MOSFET Related

?廠內分析MOSFET異常方法?習題

DGSGTM_ENG 學習資料

2

MOSFET定義?MOSFET=Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor即金属-氧化层-半导体-场效晶体管.场效晶体管（field-effect transistor）。

?MOSFET是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的

?MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与

p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等

?

1.单极性器件(一种载流子导电)

?特點：

?2.输入电阻高(107 ?1015 ?，IGFET(絕緣柵型) 可高达1015?)?3.工艺简单、易集成、功耗小、体

MOS管驱动电路

首先，这都是由于疏忽造成的，一失足成千古恨。避免大家跟我犯同样的错误，所以就贴出来了！不能纯粹的将MOS管当做开关开哦。

我是学机械的，电路方面基础较差，可能分析不太正确，请见谅！

两幅图中，PWM为幅值为2.8V的方波信号，两幅图中，不同之处就是：负载的位置。一般MOS驱动电路采用图1，而我由于疏忽，再绘制电路原理图的时候就弄成了图2，那么负载的位置不同会带来什么样的影响呢？

图1中，PWM信号为高时（即VGS=2.8V），MOS管导通，MOS管D端同电源地导通，4.2V电压全部加载在负载上，这就是我们想要的。图2中，PWM信号为高时（MOS管G极电压为2.8V），MOS管部分导通，MOS管S极电压会比MOS管G极电压低0.6V左右（不同MOS管，有所不同，也就是MOS管最小导通电压），也就是说VS=2.2V左右，那么加载在负载两端的电压也就是2.2V左右了，这肯定不是我们想要的了。至于为什么，我觉得是：MOS管要导通必须满足条件VGS>最小导通电压（SI2302就是0.6V），而当VGS=0.6V左右时，只能部分导通，故MOS管D极和S极会有压降就很正常了。所以在设计MOS管驱动电路时，要多加小心，

GTM Electronics (Shanghai) Ltd.

MOS測試原理解析

By Antly_law

MOSFET-簡介?MOSFET定義及特點?MOSFET結構?MOSFET工作原理(NMOS)?MOSFET特性曲線(NMOS)?分立器件測試機

?MOSFET的直流參數及測試目的?MOSFET的交流參數?MOSFET Related

?廠內分析MOSFET異常方法?習題

DGSGTM_ENG 學習資料

2

MOSFET定義?MOSFET=Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor即金属-氧化层-半导体-场效晶体管.场效晶体管（field-effect transistor）。

?MOSFET是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的

?MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与

p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等

?

1.单极性器件(一种载流子导电)

?特點：

?2.输入电阻高(107 ?1015 ?，IGFET(絕緣柵型) 可高达1015?)?3.工艺简单、易集成、功耗小、体

SR调度周期和Drx参数试验报告 1．试验背景 根据VoLTE网络质量提升百日会战的要求，为提升VoLTE语音DT测试指标，提升用户感知，对可能提升测试指标的相关参数进行分析研究，找出适合于网络需求的参数值，提升DT测试中各项指标。 目前的集团的考核要求为： VOLTE接通率(%) >=97 >=98 VOLTE掉话率(%) =<1 =<0.7 呼叫建立时延(s) =<4 =<3 MOS>=3 占比(%) >=85 >=90 eSRVCC成功率(%) >=97 >=98 eSRVCC切换用户面时延(ms) =<350 =<300 RTP丢包率 =<0.7 =<0.5 此次参数试验主要是针对VoLTE语音DT测试指标中的MOS相关的参数cellSrPeriod和drxProfile2drxLongCycle。 2. 参数试验内容及要求 2.1参数介绍和试验方案 本次主要针对VoLTE业务专载QCI1的Drx相关参数、SR调度周期等参数进行组合试验验证。 修改参数如下： 参数名称 cellSrPeriod qciTab1drxProfileIndex drxProfile2drxLongCycle 参数取值范围 5ms (0), 10ms (1), 20ms (2), 40ms (3),

MOSFET作为功率开关管，已经是是开关电源领域的绝对主力器件。虽然MOSFET作为电压型驱动器件，其驱动表面上看来是非常简单，但是详细分析起来并不简单。下面我会花一点时间，一点点来解析MOSFET的驱动技术，以及在不同的应用，应该采用什么样的驱动电路。

首先，来做一个实验，把一个MOSFET的G悬空，然后在DS上加电压，那么会出现什么情况呢？很多工程师都知道，MOS会导通甚至击穿。这是为什么呢？因为我根本没有加驱动电压，MOS怎么会导通？用下面的图，来做个仿真：

去探测G极的电压，发现电压波形如下：

G极的电压居然有4V多，难怪MOSFET会导通，这是因为MOSFET的寄生参数在捣鬼。

这种情况有什么危害呢？实际情况下，MOS肯定有驱动电路的么，要么导通，要么关掉。问题就出在开机，或者关机的时候，最主要是开机的时候，此时你的驱动电路还没上电。但是输入上电了，由于驱动电路没有工作，G级的电荷无法被释放，就容易导致MOS导通击穿。那么怎么解决呢？在GS之间并一个电阻.

那么仿真的结果呢:

几乎为0V.

什么叫驱动能力，很多PWM芯片，或者专门的驱动芯片都会说驱动能力，比如384X的驱动能力为1A，其含义是什么呢？

假如驱动是个理想脉冲源，那么其

MOS管的那些事儿

2012.11.15

呵呵，让我们来看看MOS管，分辨一下 他们怎么区别，怎么用吧。 我们在笔记本主板维修中见到的MOS管 几乎都是绝缘栅增强型，这里也就只说说它 的那些事儿吧。 而且，我们不谈原理，只谈应用。

我们分“电路符号”和“实物”两部分来看吧

电路符号：1 2 3 4 三个极怎么判定 区别他们是N沟道还是P沟道 寄生二极管的方向如何判定 它能干吗用呢

5

简单吗？那我们来做个挑错游戏吧

实物：12 3

三个极怎么分辨它是N沟道还是P沟道的呢 能量出它是好是坏吗

电路符号

电路符号篇

电路符号

开始之前，一个小测试：请回答： 哪个脚是S(源极)?哪个脚是D(漏极)? G(栅极)呢？ 是P沟道还是N沟道MOS? 如果接入电路， D极和S极，哪一个该接输 入，哪个接输出？ 你答对了吗？

电路符号

再来一个，试试看：哪个脚是S(源极)?

哪个脚是D(漏极)?G(栅极)呢？ 是P沟道还是N沟道MOS? 依据是什么？ 如果接入电路， D极和S极，哪一个该接输 入，哪个接输出？ 这次怎么样？

电路符号 1 三个极怎么判定 ？

MOS管符号上的三个脚的辨认要抓住关键地方 。S极G极，不用说比较好认。 S极， 不论是P沟道还是N沟道， 两根线相交的就是；

G极

D极