光刻版和掩膜版区别

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光学光刻掩膜版论文黄武 20114912

标签:文库时间:2025-02-15
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IC制备中光刻制版技术及原理

姓名:黄武 20114912 班级:电子信息特色实验班 指导老师:张玲

1制版概述

信息产业是国民经济的先导产业,微电子技术更是信息产业的核心。由1906年的电子管开始,到1956年硅台面晶体管问世,再到1960年世界第一块硅集成电路制作成功,此后集成电路的发展一发不可收拾,小规模集成电路(SSI)中规模集成电路(MSI),大规模集成电路(LSI),超大规模集成电路(VLSI),甚大,巨大规模集成电路(ULSI,GLSI)。这几十年以来集成电路的发展趋势是尺寸越来越小,速度越来越快,电路规模越来越大,功能越来越强,衬底硅片尺寸越来越大。这些都是大规模与超大规模集成电路的小型化、高速、低成本、高效率生产等特点所带来的结果。集成电路在近年也已广泛应用于家用电器,汽车配件,航天航空,军事武器制导等等。为了达到集成电路的量产以减小成本,IC制版技术就显得十分重要了。

1.1制版的意义

制版就是制作光刻的掩膜版。平面管、集成电路和采用平面工艺的其他半导体器件,都要用光刻技术来进行定域扩扩散与沉积,以获得一定形状的二极管、三极管和一定数值的电感、电容。掩膜版在光刻过程中相当于印刷中的模板,它可以重复不断的协助我们将所

海德能膜和陶氏膜区别

标签:文库时间:2025-02-15
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反渗透膜污染的清洗方法

反渗透膜污染的清洗方法清洗反渗透膜时建议采用膜专用的清洗液。确定清洗液前对污染物进行化学分析是十分重要的,对分析结果的详细分析比较,可保证选择最佳的清洗剂及清洗方法,应记录每次清洗时清洗方法及获得的清洗效果,为在特定给水条件下,找出最佳的清洗方法提供依据。

对于无机污染物建议使用柠檬酸清洗液;对于硫酸钙及有机物建议使用三聚磷酸钠、EDTA四钠盐清洗液;对于严重有机物污染建议使用三聚磷酸钠、十二烷基苯磺酸钠清洗液。所有清洗液可以在最高温度为华氏104 度(摄氏40℃)下清洗60 分钟,所需用品量以每100 加仑(379 升)中加入量计,配制清洗液时按比例加入药品及清洗用水,应采用不含游离氯的反渗透产品来配制溶液并混合均匀。

陶氏膜与海德能膜的区别

一. 产品命名不同

海德能有以下型号:

1、超低压大通量海德能反渗透膜ESPA系列

2、低压高脱盐海德能反渗透膜CPA系列

3、海水淡化用海德能反渗透膜SWC系列

4、低污染高脱盐海德能反渗透膜LFC系列

5、食品级浓缩分离用海德能反渗透膜QUALSEP DairyRO系列

6、卫生级反渗透膜SanRO系列/ 卫生级热消毒型反渗透膜SanRO-HS系列

7、超低压大通量纳滤膜ESNA系列

8、高耐氧化性

海德能膜和陶氏膜区别

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反渗透膜污染的清洗方法

反渗透膜污染的清洗方法清洗反渗透膜时建议采用膜专用的清洗液。确定清洗液前对污染物进行化学分析是十分重要的,对分析结果的详细分析比较,可保证选择最佳的清洗剂及清洗方法,应记录每次清洗时清洗方法及获得的清洗效果,为在特定给水条件下,找出最佳的清洗方法提供依据。

对于无机污染物建议使用柠檬酸清洗液;对于硫酸钙及有机物建议使用三聚磷酸钠、EDTA四钠盐清洗液;对于严重有机物污染建议使用三聚磷酸钠、十二烷基苯磺酸钠清洗液。所有清洗液可以在最高温度为华氏104 度(摄氏40℃)下清洗60 分钟,所需用品量以每100 加仑(379 升)中加入量计,配制清洗液时按比例加入药品及清洗用水,应采用不含游离氯的反渗透产品来配制溶液并混合均匀。

陶氏膜与海德能膜的区别

一. 产品命名不同

海德能有以下型号:

1、超低压大通量海德能反渗透膜ESPA系列

2、低压高脱盐海德能反渗透膜CPA系列

3、海水淡化用海德能反渗透膜SWC系列

4、低污染高脱盐海德能反渗透膜LFC系列

5、食品级浓缩分离用海德能反渗透膜QUALSEP DairyRO系列

6、卫生级反渗透膜SanRO系列/ 卫生级热消毒型反渗透膜SanRO-HS系列

7、超低压大通量纳滤膜ESNA系列

8、高耐氧化性

在ENVI中进行掩膜处理

标签:文库时间:2025-02-15
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ENVI里如何利用矢量对影像进行掩膜

如何将矢量转化成ROI以及如何使用掩摸工具都是处理影像常用的手段,在这里将两者串联在一起,讲叙了利用矢量范围圈定区域对影像进行掩膜的方法,这在实际应用也非常实用. 我们在进行分类的时候有时候会遇到把背景也分到图像中去,比如说像:

这样的图片。这时,我们可以利用掩膜来对其进行处理,从而来消除背景的影像。

具体操作步骤如下:

1.首先,打开要进行掩膜处理的遥感影像。

2.在打开的遥感影像上选择Overlay->Region of interest选择感兴趣。

3、准备好矢量和待掩膜的影像,ENVI不支持将线状的矢量转换为面状的掩膜,线状矢量转换为只能转换成线状的ROI,面状的矢量可以直接转换为面状ROI。要对影像的一个区域淹膜,所以这里矢量这里需要面文件。确保影像与矢量能够叠加,如果不能叠加,需要将影像与矢量进行配准。 4、将矢量数据转换为ROI:

(1)使用Vector->Open Vector打开矢量数据;

(2)在Vector显示窗口中的File菜单下选择Export Active Layer to ROIs (3)选择与ROI对应的文件;

(4)选择每条记录生成一个ROI;

(5)在在主图像窗口里点击右键

在ENVI中进行掩膜处理

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ENVI里如何利用矢量对影像进行掩膜

如何将矢量转化成ROI以及如何使用掩摸工具都是处理影像常用的手段,在这里将两者串联在一起,讲叙了利用矢量范围圈定区域对影像进行掩膜的方法,这在实际应用也非常实用. 我们在进行分类的时候有时候会遇到把背景也分到图像中去,比如说像:

这样的图片。这时,我们可以利用掩膜来对其进行处理,从而来消除背景的影像。

具体操作步骤如下:

1.首先,打开要进行掩膜处理的遥感影像。

2.在打开的遥感影像上选择Overlay->Region of interest选择感兴趣。

3、准备好矢量和待掩膜的影像,ENVI不支持将线状的矢量转换为面状的掩膜,线状矢量转换为只能转换成线状的ROI,面状的矢量可以直接转换为面状ROI。要对影像的一个区域淹膜,所以这里矢量这里需要面文件。确保影像与矢量能够叠加,如果不能叠加,需要将影像与矢量进行配准。 4、将矢量数据转换为ROI:

(1)使用Vector->Open Vector打开矢量数据;

(2)在Vector显示窗口中的File菜单下选择Export Active Layer to ROIs (3)选择与ROI对应的文件;

(4)选择每条记录生成一个ROI;

(5)在在主图像窗口里点击右键

erdas操作-掩膜、BCF批处理、平均光谱值 - 图文

标签:文库时间:2025-02-15
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Erdas操作

1. erdas如何将shp转化成aoi

? 在erdas的Viewer中加载shp文件。

? Viewer中鼠标点击shp文件,该文件变黄色高亮。

? 在Viewer菜单栏中单击AOI,在AOI下拉菜单中选择Copy Selection to AOI ? 在Viewer菜单栏中单击File,在File下拉菜单中选择Save->AOI Layer as

保存

2. 怎么在erdas中看光谱曲线

打开一幅影像,点击黑色箭头所指图标---选择spectral----点击红色箭头所指的图标,即可查询地物的光谱特征曲线。

3. Erdas中计算平均光值

光谱均值(Spectrum Average)计算的是每一个波段的像元集的平均光谱值。光谱均值常 用来作为遥感影像分类的统计量,也可以保存到光谱库中,用以后续的比较分析。参与计算 的像元集在空间上可以是不连续的,并且没有像元数量的限制。处理后的图像每一个波段只 有一个数值,即该波段参与计算像元的均值。 《遥感原理与应用》实验之高光谱图像处理 10

(1)在ERDAS 主窗口中,选择Interpreter 图标/Basic HyperSpectral Tools/ Spectrum Ave

光刻技术

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Harbin Institute of Technology

精密和超精密加工技术论文

论文名称: 光刻技术及其应用 课程名称: 精密和超精密加工技术 专 业: 机械设计制造及其自动化 班 级: 1208104 姓 名: 孙文熙 学 号: 1120810404

哈尔滨工业大学

光刻技术及其应用

摘要:集成电路制造中利用光学- 化学反应原理和化学、物理刻蚀方法,将电路图形传递到单晶表面或介质层上,形成有效图形窗口或功能图形的 工艺技术。随着半导体技术的发展,光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2~3个数量级(从毫米级到亚微米级),已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术;使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级范围。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。本文就光刻技术的概念和工艺过程进行介绍,并对其发展与应用进行展望。

关键字:光刻技术,工艺流程,步骤,应用。

一、光刻技术的概念

光刻技术是在一片平整的硅片上构建半导体MOS管和电路的基

PCV, PP,PE, BOPP, OPP 膜 什么区别?

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塑料类专业术语 ABS塑料

英文名称:Acrylonitrile Butadiene Styrene

比重:1.05克/立方厘米,适于制作一般机械零件,减磨耐磨零件,传动零件和电讯零件.

具有以下性能:

1、综合性能较好,冲击强度较高,化学稳定性,电性能良好.

2、与372有机玻璃的熔接性良好,制成双色塑件,且可表面镀铬,喷漆处理. 3、有高抗冲、高耐热、阻燃、增强、透明等级别。

4、流动性比HIPS差一点,比PMMA、PC等好,柔韧性好。

PE塑料(聚乙烯)

英文名称:Polyethylene

比重:0.94-0.96克/立方厘米 成型收缩率:1.5-3.6% 成型温度:140-220℃ 干燥条件:--- 物料性能

耐腐蚀性,电绝缘性(尤其高频绝缘性)优良,可以氯化,辐照改性,可用玻璃纤维增强.低压聚乙烯的熔点,刚性,硬度和强度较高,吸水性小,有良好的电性能和耐辐射性;高压聚乙烯的柔软性,伸长率,冲击强度和渗透性较好;超高分子量聚乙烯冲击强度高,耐疲劳,耐磨.

低压聚乙烯适于制作耐腐蚀零件和绝缘零件;高压聚乙烯适于制作薄膜等;超高分子量聚乙烯适于制作减震,耐磨及传动零件. 成型性能

1.结晶料,吸湿小

手动缠绕膜机—电动围绕膜包装机 区别在哪里

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我公司这四款常规手动缠膜机,电动缠绕膜机主框架材料是由4*6镀锌方管焊接烤漆而成,优势承重力强200kg随便使用无压力,旋转转盘凯比奇包装采用铁板切割而成不必担忧坏掉表面已做防滑处理,这两款CM-36D,CM-40D电动缠绕膜机可调速度缠绕拉力均可调节完全可以满足90%以上的用户使用,部分特殊要求的用户可根据用户的量,尺寸可按需求定制。

凯比奇PACK牌/手动缠膜机/电动缠膜机规格书:

凯比奇提供几款缠膜机:

1、目前本公司做了4款缠膜机设备,2款手动式缠膜机,2款电动式缠膜机,我们做这四款缠膜设备主要是针对中小型企业,由于包装绕箱数量不是很多,购买一台大型的缠绕膜机需要两到三万元钱但使用的频率又很低,假如没有缠膜机,完全依靠人工缠绕效率又低员工又喜欢抱怨,主要目前的人工高,不好请人。

2、我们这几款手动式缠膜机别看外观普通,造型简单,但功能颗不差哟,例如这两款CM-300S/CM-360S手工旋转式缠绕膜机,虽然简单,但假设公司就一个员工需要包裹一些纸箱,纸盒,使用我们这款手动拉膜器效果非常好,假如没有这款手动缠绕膜机很多人是将拉伸膜丢弃地上然后在包裹货物这样的缠绕方式包装的不美观费膜等等,还不如购买一台凯比奇公司这款CM-300S/CM-360S

光刻技术 - 图文

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● 最困难的部分——“真正的”半导体工艺 一颗CPU/GPU的基本制造流程

晶圆生产线(图片源自ZDNet)

在不考虑多次掺杂顺序、栅极形成于热处理前还是热处理后以及CMP(化学机械研磨)等细节性问题的前提下,半导体的制作流程大体上可以被概括为这样一个链条:单晶硅锭生长—wafer切割—覆胶—光刻—清洗—蚀刻—清洗—覆胶—光刻—清洗—多次掺杂—多次沉积—芯片切割—封测。

半导体制造过程实际上是一个“自下而上”进行的二维单向过程,人们通过蚀刻形成沟道,透过掺杂形成栅极,经由沉积敷设导线,因为每个过程都需要破坏或者改变一部分wafer表面区域的结构,而且这种破坏和改变都是不可逆的,如果提前破坏了后续步骤需要加工的区域,整个芯片将无法完成。所以半导体芯片的制造必须而且只能按照设计好的顺序,从最底层向上逐级进行这一系列的破坏和改变。这样的特点,造就了以“覆胶遮盖—光刻—清洗暴露—区域处理”为核心半导体芯片制造的独特过程。

简单的芯片制造工艺流程(Intel提供)

对芯片的加工起点是从最基本的沟道形成开始的,在长成单晶硅锭并切割好wafer之后,我们首先要在wafer表面敷上一层对特定波长光线非常敏感的溶胶。接下来,我们会用事先标记好需