硅片清洗制绒

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硅片表面制绒

标签:文库时间:2024-08-26
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制绒

目录 简介

? 分类单晶制绒 ? 多晶酸制绒

制绒目的和作用

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编辑本段简介

制绒,光伏行业术语,处理硅片的一种工艺方法,硅太阳能电池片生产的首道工序。

编辑本段分类

按硅原料分类状况可分为单晶制绒与多晶制绒; 按腐蚀液的酸碱性可分为酸制绒与碱制绒。

单晶制绒

原理 单晶硅片在一定浓度范围的碱溶液中被腐蚀时是各向异性的,不同晶向上的腐蚀速率不一样。 利用这一原理,将特定晶向的单晶硅片放入碱溶液中腐蚀,即可在硅片表面产生出许多细小的金字塔状外观,这一过程称为单晶碱制绒。

多晶酸制绒

原理 常规条件下,硅与单纯的HF、HNO3(硅表面会被钝化,二氧化硅与HNO3不反应)认为是不反应的。但在两种混合酸的体系中,硅则可以与溶液进行持续的反应,主要反应原理及步骤如下: 1.硅的氧化 硝酸/亚硝酸(HNO2)将硅氧化成二氧化硅(主要是亚硝酸将硅氧化) Si+4HNO3=SiO2+4NO2+2H2O (慢反应) Si+2HNO3=SiO2+2NO+2H2O (慢反应) 二氧化氮、一氧化氮与水反应,生成亚硝酸,亚硝酸很快地将硅氧化成二氧化硅 2NO2+H2O=HNO2+HNO3 (快反应

硅片表面制绒

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制绒

目录 简介

? 分类单晶制绒 ? 多晶酸制绒

制绒目的和作用

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编辑本段简介

制绒,光伏行业术语,处理硅片的一种工艺方法,硅太阳能电池片生产的首道工序。

编辑本段分类

按硅原料分类状况可分为单晶制绒与多晶制绒; 按腐蚀液的酸碱性可分为酸制绒与碱制绒。

单晶制绒

原理 单晶硅片在一定浓度范围的碱溶液中被腐蚀时是各向异性的,不同晶向上的腐蚀速率不一样。 利用这一原理,将特定晶向的单晶硅片放入碱溶液中腐蚀,即可在硅片表面产生出许多细小的金字塔状外观,这一过程称为单晶碱制绒。

多晶酸制绒

原理 常规条件下,硅与单纯的HF、HNO3(硅表面会被钝化,二氧化硅与HNO3不反应)认为是不反应的。但在两种混合酸的体系中,硅则可以与溶液进行持续的反应,主要反应原理及步骤如下: 1.硅的氧化 硝酸/亚硝酸(HNO2)将硅氧化成二氧化硅(主要是亚硝酸将硅氧化) Si+4HNO3=SiO2+4NO2+2H2O (慢反应) Si+2HNO3=SiO2+2NO+2H2O (慢反应) 二氧化氮、一氧化氮与水反应,生成亚硝酸,亚硝酸很快地将硅氧化成二氧化硅 2NO2+H2O=HNO2+HNO3 (快反应

半导体硅片的化学清洗技术69651

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半导体硅片的化学清洗技术

一. 硅片的化学清洗工艺原理

硅片经过不同工序加工后,其表面已受到严重沾污,一般讲硅片表面沾污大致可分在三类:

A. 有机杂质沾污:可通过有机试剂的溶解作用,结合超声波清洗技术来

去除。

B. 颗粒沾污:运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径≥

0.4 μm颗粒,利用兆声波可去除≥ 0.2 μm颗粒。

C. 金属离子沾污:必须采用化学的方法才能清洗其沾污,硅片表面金属杂质沾污有两大类:

a. 一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。

b. 另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着(尤如“电镀”)到硅片表面。

硅抛光片的化学清洗目的就在于要去除这种沾污,一般可按下述办法进行清洗去除沾污。

a. 使用强氧化剂使“电镀”附着到硅表面的金属离子、氧化成金属,溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。

b. 用无害的小直径强正离子(如H+)来替代吸附在硅片表面的金

属离子,使之溶解于清洗液中。

c. 用大量去离水进行超声波清洗,以排除溶液中的金属离子。

自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用,1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺,近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来,例如:

⑴ 美国FS

光伏太阳能硅片清洗工艺的探索

标签:文库时间:2024-08-26
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光伏太阳能清洗工艺

光伏太阳能硅片清洗工艺的探索

杜虎明,牛进毅,王莉,马斌

(中国电子科技集团公司第二研究所,山西太原030024)

要:对两种不同清洗方法的工作原理、清洗效果和适用范围等特点进行了分析。不同的工艺

应采用不同的清洗方法才能获得最佳效果。介绍了硅片清洗机的清洗工艺和腐蚀工艺。指出了硅片清洗工艺的发展趋势。

关键词:硅片清洗;清洗工艺;表面清洗中图分类号:TN305.97

%%%%%%%文献标识码:B%%%%%%文章编号:1004-4507(2010)060037-03

StudyofMethodsforCleaningSiliconWafers

DUHuming,NIUJinyi,WANGLi,MABin

(CETCNo.2ResearchInstitute,Taiyuan030024,China)

Abstract:Thepaperintroducedtwomethodsforcleaningsiliconwafers,andtheirworkingprinciples、cleaningeffectandapplicationscope.Itispointedoutthatdifferentappropriatemethodsshouldbe

硅片生产流程

标签:文库时间:2024-08-26
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硅片生产流程及主要设备

作为一种取之不尽的清洁能源,太阳能的开发利用正引起 人类从未有过的极大关注。商业化太阳能电池采用的是无毒性的晶硅,单晶和多晶硅电池的特点是光电转换效率高、寿命长且稳定性好。硅片是晶体硅光伏电池加工成本中最昂贵的部分, 随着 半导体制造技术的不断成熟完善,硅片制造成本不断降低。硅片 切割是太阳能光伏电池制造工艺中的关键部分,太阳能电池所 用硅片的切割成本一直居高不下,要占到太阳能电池总制造成本 的30%以上。 所以降低这部分的制造成本对于提高太阳能对传统 能源的竞争力至关重要。 目前硅片的切割方法都是围绕如何减小切缝损失、降低切割厚度、增大切片尺寸及提高切割效率方面进行的。

1.工艺流程 :硅锭(硅棒)--切块(切方)--倒角抛光--粘胶--切片--脱胶清洗--分选检验、包装

2.工艺简介

切块/切方:将硅锭或者硅棒切成适合切片的尺寸,一般硅锭切成25 块(主 流)。

倒角抛光:将晶柱的圆面棱角研磨成符合要求的尺寸,对表面进行抛光处理,从而获得高度平坦的晶片。

粘胶:用粘附剂把晶柱固定在由铝板和玻璃板组成的夹具上,自然硬化或用 恒温炉使其硬化。

切片:把晶柱切割成硅片,切割的深度要达到夹具上的玻璃板,

以便在之后 的程序中把硅片和玻璃板

硅片生产过程详解

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培训目的:

1、 确定硅片生产过程整个目标; 2、 为工艺过程确定一典型流程; 3、 描述每个工艺步骤的目的;

4、 在硅片生产过程中,硅片性能的三个主要关系的确定。

简介

硅片的准备过程从硅单晶棒开始,到清洁的抛光片结束,以能够在绝好的环境中使用。期间,从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外,整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始,最终在10级净空房内完成。

工艺过程综述

硅片加工过程包括许多步骤。所有的步骤概括为三个主要种类:能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的性能;能减少不期望的表面损伤的数量;或能消除表面沾污和颗粒。硅片加工的主要的步骤如表1.1的典型流程所示。工艺步骤的顺序是很重要的,因为这些步骤的决定能使硅片受到尽可能少的损伤并且可以减少硅片的沾污。在以下的章节中,每一步骤都会得到详细介绍。

表1.1 硅片加工过程步骤

1. 2. 3. 4.

切片

激光标识 倒角 磨片

5. 腐蚀 6. 背损伤

7. 边缘镜面抛光 8. 预热清洗

9. 抵抗稳定——退火 10. 背封 11. 粘片 12. 抛光

13. 检查前清洗 14. 外观

贡绒埃萨老师开示

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贡绒埃萨老师开示--大乘入楞伽经 73 录音文字内容 圆?怀?(423248586) 19:30:07 老师好 平凡?人?(16815445) 19:30:10 老师好 安?逸?(945236665) 19:30:11

呆?华?(932093495) 19:30:31 老师好 白玛丹?登?(415472584) 19:30:31 师父好 zqx74110?5?(938360307) 19:30:43 老师好 贡绒埃?萨?(97857901) 19:31:07

于名和相之分别,乃二自性之性相, 清净智慧真如性,则是圆成之性相。 格桑卓?玛?(838691272) 19:31:16 老师好

通知:管理员 [圆怀] 禁止所有人使用文字聊天。 贡绒埃?萨?(97857901) 19:32:50

乃由父母和合故,阿赖耶与意相伴, 犹如酥油罐中鼠,伴随红白一起生。 贡绒埃?萨?(97857901) 19:48:13

淡、浓、疮疱丑陋样,业令种种相展现; 业风、大种作用下,犹如水果般出现。 贡绒埃?萨?(97857901) 19:58:55

五以及五更有五,以及九种之疮窍, 齿、甲、身毛做遮蔽,能够活动并出生 贡绒埃?萨?(97857901) 20:06:

怎样清洗化学桶?化学桶清洗策略、化学桶清洗方法说明

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怎样清洗化学桶?化学桶清洗策略

化学桶清洗方法说明

随着科学技术的发展,由起初只生产纯碱、硫酸等少数几种无机产品和主要从植物中提取茜素制成染料的有机产品,逐步发展为一个多行业、多品种的生产部门,出现了一大批综合利用资源和规模大型化的化工企业。如今将化学桶重复利用,充分使用更加符合广大用户的想法,但是我们知道,有些化学用品十分不易清除,倘若没有合适的机器或者方法,更是很难将化学用品轻松清除,上海杰尼机电技术有限公司所研制的化学桶高压清洗机,为广大客户解决化学桶清洗的难题。

化学桶的清洗并不是简单的用水清洗,相对于盛装其他液体,人力清洗化学桶需要更加完备的准备,准备必要的急救药品和劳保用品。急救药品一般有如下几种:2~3%的重碳酸钠和碳酸钠溶液;饱和石灰水;1~2%的硼酸水溶液;1~2%的醋酸或盐酸水溶液;蒸馏水等。劳保用品有:橡皮手套、围裙;防护眼睛;工作服;毛巾;药棉;洗眼用的器具等。所以相对而言,利用工具清洗无疑是既高效又安全的清洗方式。

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上海杰尼机电技术有限公司(JINY)是专业从事高压清

硅片生产过程详解

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培训目的:

1、 确定硅片生产过程整个目标; 2、 为工艺过程确定一典型流程; 3、 描述每个工艺步骤的目的;

4、 在硅片生产过程中,硅片性能的三个主要关系的确定。

简介

硅片的准备过程从硅单晶棒开始,到清洁的抛光片结束,以能够在绝好的环境中使用。期间,从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外,整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始,最终在10级净空房内完成。

工艺过程综述

硅片加工过程包括许多步骤。所有的步骤概括为三个主要种类:能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的性能;能减少不期望的表面损伤的数量;或能消除表面沾污和颗粒。硅片加工的主要的步骤如表1.1的典型流程所示。工艺步骤的顺序是很重要的,因为这些步骤的决定能使硅片受到尽可能少的损伤并且可以减少硅片的沾污。在以下的章节中,每一步骤都会得到详细介绍。

表1.1 硅片加工过程步骤

1. 2. 3. 4.

切片

激光标识 倒角 磨片

5. 腐蚀 6. 背损伤

7. 边缘镜面抛光 8. 预热清洗

9. 抵抗稳定——退火 10. 背封 11. 粘片 12. 抛光

13. 检查前清洗 14. 外观

在线清洗

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2#烯烃E-GT-201/501在线清洗方案

一、前言

2014年1月7日装臵对E-GT-201、501进行在线清洗,但是由于E-GT-201在最小调速、FRC-910全关的情况下,抽气仍然高达140t/h。当SS温度降至385时,HS温度已达到270℃,为了防止HS温度过低损伤E-GT-601停止在线清洗。

装臵对E-GT-201在最小调速下,抽气仍然高达140t/h的原因进行分析,可能存在以下两个问题:

1、抽气阀由于故障,没有完全打开,进入低压缸蒸汽量较少,E-GT-201做功能力较差,蒸汽用量较大,抽气相对较大。

2、E-GT-201低压侧叶轮结垢较严重,导致叶轮流道减小,蒸汽流通量大幅减少,造成E-GT-201做功能力较差,蒸汽用量较大,抽气相对较大。 针对以上两个问题,装臵将采取以下两个方案进行处理:

1、降低老区系统负荷,对E-GT-201调速杠杆系统进行检查确认是否处于

正常工作状态,并使调速杠杆建立新的动态平衡。如果调速系统存在问题,待原因分析清楚后进行处理。

2、如果确认E-GT-201调速系统工作正常,生产处做E-GT-201 140 t/h HS

抽气防空蒸汽平衡,如果全部放开后,2#烯烃及锅炉蒸汽系统能够正常运行,则在E