模拟电子技术答案详解

模拟电子技术

习题答案

电工电子教学部

2012.2

1

2 第一章 绪论

一、填空题：

1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量，即 电信号 。

2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。

3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。

4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。

5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。

6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。

7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。

8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。

9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。

10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。

11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量 的能力。

12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示，其表达式分别是

dB lg 20v A =电压增益 、dB

湖南人文科技学院 通控 系通信专业07级 2008---2009学年第一学期模拟电子技术课程自测试卷(B)答案 考核方式: （闭卷) 考试时量：120 分钟 题 号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 合分人 复查人 实得分 得分 评卷 人

一、填空题：（每空1分，共20分）

名姓1、掺杂半导体按掺入杂质元素的不同，可分为 N 型半导体和 P 型半导体。 2、已知晶体三极管的额定功耗PCM=120mW，当VCE=5V时，为使晶体三极管安全工 作，其集电极电流不能超过24mA。

3、如图1所示的功率放大电路处于乙类工作状态，其静 号学态损耗为 0 ；电路的最大输出功率为1V2cc2?R，每个晶体

L 管的管耗为最大输出功率的0.2倍，每个晶体管承受的最 大电压为2VCC。

图1

师4、在深度负反馈时，放大电路增益AF与反馈系数F间的关系为AF=1/F。

教课5、直流稳压电源中，电容滤波和电感滤波适用于不同的情况，当负载电阻为

模拟电子技术

习题答案

电工电子教学部

2012.2

1

2 第一章 绪论

一、填空题：

1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量，即 电信号 。

2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。

3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。

4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。

5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。

6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。

7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。

8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。

9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。

10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。

11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量 的能力。

12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示，其表达式分别是

dB lg 20v A =电压增益 、dB

湖南人文科技学院 通控 系通信专业07级 2008---2009学年第一学期模拟电子技术课程自测试卷(B)答案 考核方式: （闭卷) 考试时量：120 分钟 题 号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 合分人 复查人 实得分 得分 评卷 人

一、填空题：（每空1分，共20分）

名姓1、掺杂半导体按掺入杂质元素的不同，可分为 N 型半导体和 P 型半导体。 2、已知晶体三极管的额定功耗PCM=120mW，当VCE=5V时，为使晶体三极管安全工 作，其集电极电流不能超过24mA。

3、如图1所示的功率放大电路处于乙类工作状态，其静 号学态损耗为 0 ；电路的最大输出功率为1V2cc2?R，每个晶体

L 管的管耗为最大输出功率的0.2倍，每个晶体管承受的最 大电压为2VCC。

图1

师4、在深度负反馈时，放大电路增益AF与反馈系数F间的关系为AF=1/F。

教课5、直流稳压电源中，电容滤波和电感滤波适用于不同的情况，当负载电阻为

1、填空题（0.5分×20=10分）

（1）N型半导体中有 2 种载流子，其中 自由电子 是多子。

（2）共集电极放大电路的信号是从基极输入，从 发射极 输出，输入与输出的相位关系是 同相 关系。

（3）场效应晶体管可以分为两大类：分别是 结型（FJFET）和 绝缘栅型（IGFET） 。

（4）集成运算放大器的输入极一般采用 差分放大电路 电路，输出级一般采用 功率放大电路电路。 （5）使输入电阻增大的是 串联 负反馈，使输出电阻减小的是 电压 负反馈。

（6）根据通带和阻带所处的频率区域不同，一般将滤波器分成4类，分别是 高通 ， 低通 ， 带通 和 带阻 。

（7）正弦波自激振荡的幅度平衡条件和相位平衡条件分别是AF=1 和 ψA+ψF=2nπ，n=0,±1,… 。 （8）乙类功率放大电路容易产生的失真称为 交越（非线性） 失真。

（9）直流稳压电路中，滤波电路的作用是 将脉动的直流电压变换为平滑的直流电压 。

（10）单相桥式整流

1. 填空

（1）N型半导体是在本征半导体中掺入 ；P型半导体是在本征半导体中掺

入 。

（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流会 。 （3）PN结的结电容包括 和 。

（4）晶体管的三个工作区分别是 、 和 。在放大

电路中，晶体管通常工作在 区。

（5）结型场效应管工作在恒流区时，其栅---源间所加电压应该 。（正偏、反

偏） 答案：（1）五价元素；三价元素；（2）增大；（3）势垒电容和扩散电容；（4）放大区、截止区和饱和区；放大区；（5）反偏。 2. 判断下列说法正确的与否

（1）本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。 （ ） （2）P型半导体带正电，N型半导体带负电。 （ ） （3）结型场效应管外加的栅---源电压应使栅---源间的耗尽层承受反向电压，才能保证 RGS大的特点。

第一章 常用半导体器件 1

习 题 答 案

〖题1.1〗 （1）杂质浓度，温度（2）呈电中性，呈电中性（3）等于，大于，变窄，小于，变宽（4）反向击穿（5）增大，增大，减小（6）左移，上移，加宽（7）、发射结，集电结（8）一种载流子参与导电，两种载流子参与导电，压控，流控。

〖题1.2〗 二极管电路如图T1.2所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出端电压UO 。设二极管的导通压降为UD=0.7V。

ADBADR10V5VCB?UO??R5V10VUO?(a)B1D1A?R12V9V?UOB1B2(b)D1D2R10V15VUOAB2D2??(c)(d)图 T1.2

解：（a）UO=UA－UD=－5V－0.7V=－5.7V （b）UO=UB=UC=－5V （c）UO=UA=－0.7V （d）UO=UA=－9.3V

〖题1.3〗 二极管电路如图T1.3 (a) 所示，已知ui?10sin?t(mV) ，E?1.2V，

?ui?电容C和直流电源E对交流视为短路，二极管的伏安特性曲线如图T1.3(b)所

练习一

一、填空(16分)

1．半导体二极管的主要特性是___________ 。

2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。

3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。 4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。

5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。

6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。 二、选择正确答案填空(24分)

1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是( )。 A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。 A．P沟道增强型MOS管 B．P沟道结

第一章 常用半导体器件 1

习 题 答 案

〖题1.1〗 （1）杂质浓度，温度（2）呈电中性，呈电中性（3）等于，大于，变窄，小于，变宽（4）反向击穿（5）增大，增大，减小（6）左移，上移，加宽（7）、发射结，集电结（8）一种载流子参与导电，两种载流子参与导电，压控，流控。

〖题1.2〗 二极管电路如图T1.2所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出端电压UO 。设二极管的导通压降为UD=0.7V。

ADBADR10V5VCB?UO??R5V10VUO?(a)B1D1A?R12V9V?UOB1B2(b)D1D2R10V15VUOAB2D2??(c)(d)图 T1.2

解：（a）UO=UA－UD=－5V－0.7V=－5.7V （b）UO=UB=UC=－5V （c）UO=UA=－0.7V

（d）UO=UA=－9.3V

〖题1.3〗 二极管电路如图T1.3 (a) 所示，已知ui?10sin?t(mV) ，E?1.2V，

?ui?电容C和直流电源E对交流视为短路，二极管的伏安特性曲线如图T1.3(b)所

《模拟电子期末练习题》

填空题：

1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。

2、漂移电流是（反向）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷

大），等效成断开；

4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（增加），发射结压降（减小）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共射极）、（共基极）、（共集电极）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（直流）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（电流）

负反馈。

9、负反馈放大电路的放大倍数AF=（A/（1+AF）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/F）。 10、P型半导体中空穴为（多数）载流子，自由电子为（少数）载流子。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极

性相反的两个信号，称为（差模）信号。

12、为了消除乙