mos管过流保护电路

直流电路的过流保护设计方法

电子保护电路具有高速断流、恢复容易的特点，可应用于任何直流电路中作过流保护装置。而采用普通熔丝的保护电路，其过电流反应是较迟钝的，因而不能作为灵敏的保护装置。

原理：电子保护电路如附图所示。当微动开关Ｋ接通时，单向晶闸管ＳＣＲ导通，直流电路也导通。当用电量增大到超过规定的允许值时，检测电阻Ｒ１上的电压大于０．７Ｖ时，晶体管ＢＧ导通，此时晶体管集电极Ｃ和基极ｂ间的电压下降到低于３ＣＴ的维持电压，３ＣＴ关断，切断供电电路。

元件选择：当电路两端电压≤１００Ｖ时，ＢＧ用３ＤＤ１５Ｃ，单向晶闸管ＳＣＲ可用６Ａ／４００Ｖ。Ｒ１的阻值是根据电源所允许的电流确定的，即Ｒ１＝０．７／Ｉ（Ｉ为电源允许电流）。若电路的耗电是５Ｗ，Ｒ２阻值为０．３５Ω的线绕电阻，允许通过的电流为２Ａ。

集成运算放大器输出过流保护电路原理

图1所示为集成运算放大器输出过流保护电路，在因某种原因(如输出短路等)使集成运放输出过流时，保护电路即成恒流源，使集成运放不至因输山过流而损坏。

图中，场效应管3DJ7按在集成运放输出端，并采用近似恒流源的接法。当电路工作正常时，场效应管呈现低阻抗，基本不影响电路的输出电压范围。当电路输出端短路时，场效

MOS管驱动电路

首先，这都是由于疏忽造成的，一失足成千古恨。避免大家跟我犯同样的错误，所以就贴出来了！不能纯粹的将MOS管当做开关开哦。

我是学机械的，电路方面基础较差，可能分析不太正确，请见谅！

两幅图中，PWM为幅值为2.8V的方波信号，两幅图中，不同之处就是：负载的位置。一般MOS驱动电路采用图1，而我由于疏忽，再绘制电路原理图的时候就弄成了图2，那么负载的位置不同会带来什么样的影响呢？

图1中，PWM信号为高时（即VGS=2.8V），MOS管导通，MOS管D端同电源地导通，4.2V电压全部加载在负载上，这就是我们想要的。图2中，PWM信号为高时（MOS管G极电压为2.8V），MOS管部分导通，MOS管S极电压会比MOS管G极电压低0.6V左右（不同MOS管，有所不同，也就是MOS管最小导通电压），也就是说VS=2.2V左右，那么加载在负载两端的电压也就是2.2V左右了，这肯定不是我们想要的了。至于为什么，我觉得是：MOS管要导通必须满足条件VGS>最小导通电压（SI2302就是0.6V），而当VGS=0.6V左右时，只能部分导通，故MOS管D极和S极会有压降就很正常了。所以在设计MOS管驱动电路时，要多加小心，

MOS管驱动电路

首先，这都是由于疏忽造成的，一失足成千古恨。避免大家跟我犯同样的错误，所以就贴出来了！不能纯粹的将MOS管当做开关开哦。

我是学机械的，电路方面基础较差，可能分析不太正确，请见谅！

两幅图中，PWM为幅值为2.8V的方波信号，两幅图中，不同之处就是：负载的位置。一般MOS驱动电路采用图1，而我由于疏忽，再绘制电路原理图的时候就弄成了图2，那么负载的位置不同会带来什么样的影响呢？

图1中，PWM信号为高时（即VGS=2.8V），MOS管导通，MOS管D端同电源地导通，4.2V电压全部加载在负载上，这就是我们想要的。图2中，PWM信号为高时（MOS管G极电压为2.8V），MOS管部分导通，MOS管S极电压会比MOS管G极电压低0.6V左右（不同MOS管，有所不同，也就是MOS管最小导通电压），也就是说VS=2.2V左右，那么加载在负载两端的电压也就是2.2V左右了，这肯定不是我们想要的了。至于为什么，我觉得是：MOS管要导通必须满足条件VGS>最小导通电压（SI2302就是0.6V），而当VGS=0.6V左右时，只能部分导通，故MOS管D极和S极会有压降就很正常了。所以在设计MOS管驱动电路时，要多加小心，

MOS管驱动电路综述连载（一）

时间：2009-07-06 8756次阅读 【网友评论2条 我要评论】 收藏 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 1、MOS管种类和结构

MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。 至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。

对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主。

MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。

在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马

基于钟控神经元MOS管的新型采样保持电路

杭国强1,2, 李锦煊1, 王国飞1

(1. 浙江大学 信息与通信工程研究所, 浙江 杭州 310027; 2. 浙江省综合信息网技术重点实验室, 浙江 杭

州 310027)

摘要：提出一种新的采样保持电路，该电路采用钟控神经元MOS管. 电路引入了阈值补偿单元，克服了单管神经元MOS管跟随电路输出电压和输入电压有一个阈值电压损失这一缺点，提高了采样保持电路的精度. 由于引入阈值补偿技术，电路可以采用1.5V的低电压供电，并且由于采用具有高功能度的钟控神经元MOS管，电路的结构和功耗都比传统的采样保持电路有了很大的改良. 采用TSMC 0.35μm 双层多晶硅CMOS工艺参数的HSPICE模拟结果验证了所提出设计方案的正确性. 最后对仿真结果与已有的采样保持电路方案进行了分析与比较.

关键字：浮栅MOS；钟控神经元MOS；采样保持

A novel S/H circuit based on the clock-controlled

neuron-MOS transistor

HANG Guo-qiang1,2, LI Jin-xuan1, WANG Guo-fei1

(1. Institute of Informati

§2.3 保护电路一 过流保护电路

1 过流保护电路的功能和组成* 功能

发生过流时，立即某种方式消除过流，保护电路器 件不会损坏。* 产生过流的原因

①负载过载或输出短路 ②整流器件失效 ③开关管失效 ④干扰等因素造成的误导通

* 简单的保护方法 利用熔断器，但动作慢，不足以实现快速保护，一 般使用由电子元器件构成的保护电路。 * 组成电流信号检测电路 过流信号处理电路

封锁开关脉冲电路

2 过流保护电路的设计(1)电流传感器检测过流保护电路* 电流信号检测电路D R

RS CS C

US

①脉冲电流前沿尖峰是由次 级整流二极管的反向恢复造成的 变压器次级暂时短路引起的。 ②脉冲电流后沿尖峰是开关 管关断时的初级漏感和引线电感 造成的。 ③加两级滤波后脉冲电流的 前后沿尖峰明显减小。 * 过流信号处理电路

①过流一般都是不正常现 象，或者是故障，所以过流保护 应该是不可以自恢复的。US

R1 R3 U1REF

②实现方式，反馈自锁。

U

R2

③可自锁的处理电路 * 封锁开关脉冲电路US R1

D1

R4

R3 U1REF

把过流信号处理电路的输 出加到集成PWM控制器的保护信 号输入端即可。

U

R2

(2)功率开关管过流状态的自动识别* 根据：GTR、GTO、IGBT等

连接电路保护的设计

电子行业对更小型、更可靠电路保护器件的不懈追求，持续推动着产品的小型化发展趋势。电路保护器件制造商必须为OEM客户提供越来越小的保护器件，但是很明显，它们所要达到的目标不仅仅是缩小尺寸。真正的挑战在于：缩小元器件尺寸不能以牺牲电气特性为代价。先进的材料研究和技术一直是开发新器件的关键所在，新器件不仅要达到现有的性能水平，而且要使用更小型、更可靠、更方便的封装。

在设计方面，另一个重要的挑战是需要协同电路保护。由于人们常常把过流保护和过压保护看成是设计过程中两个互不相关的部分，因此最终的保护策略常常会选用成本偏高的多构件解决方案，而且会忽视不同保护器件之间的协同作用。协调使用这些器件，或者把过流和过压保护功能整合在单一器件上，能够有效减少元件数量，如果使用得当，还可以从更多方面改善性能，并提高系统可靠性。 下面举三个例子，说明泰科电子在电路保护材料和技术方面的创新如何帮助设计工程师节省宝贵的电路板空间，并满足不断发展的安全和性能标准要求。

利用2Pro器件保护电话和VoIP设备

新的2Pro器件集成了过流和过压保护技术，可以用于保护电话通讯设备，防止损坏。该器件占位面积

单元1从文本文件导入数据

使用文件：01导入文本文件.txt，将此文件导入到Excel工作表中。 操作说明

1.启动Excel后，执行“数据”菜单的“导入外部数据”→“导入数据”。出现选取数据源对话窗口。

2.双击想要打开的文件。

3.出现“文本导入向导”，按“下一步”按钮。

4.导入数据的分隔符号有“Tap键、分号、逗号、空格、其他”等格式可以勾选，选择适合数据来源的分栏符选项来建立分栏后，单击“下一步”按钮。

5.可以在此指定各列数据格式，结束后单击“完成”按钮。

6.出现“导入数据”窗口，选择数据要放置的单元格位置，单击“确定”按钮。

7.完成结果如下。

单元2从外部导入数据

使用文件：02技能检定.mdb（Access数据库文件），将此文件倒入到到Excel工作表中。 操作说明

1.启动Excel后，执行“数据”菜单的“导入外部数据”→“导入数据”。出现选取数据源对话窗口。

2.出现“选取数据源”对话窗口，点选“02技能检定.mdb”，并按“打开”按钮。

3.指定数据存放位置后单击“确定”按钮。 4.完成结果如下。

单元3导入及导出XML文件

使用文件：03学生资料.xml（可扩展标记语言） 操作说明

1.导入XML文件之前要先新增X

IR2110驱动MOS IGBT组成H桥原理与驱动电路分析

3.3 电机驱动模块设计 3.3.1 H桥工作原理及驱动分析

要控制电机的正反转，需要给电机提供正反向电压，这就需要四路开关去控制电机两个输入端的电压。H桥驱动原理等效原理图图如图3-5所示，当开关S1和S3闭合时，电流从电机左端流向电机的右端，设此时的旋转方向为正向；当开关S2和S4闭合时，电流从电机右端流向电机左端，电机沿反方向旋转。 S1S4MotorS2S3GNDM 图3-5 H桥驱动原理等效电路图 常用可以作为H桥的电子开关器件有继电器，三极管，MOS管，IGBT管等。普通继电器属机械器件，开关次数有限，开关频率上限一般在30HZ左右，而且继电器内部为感性负载，对电路的干扰比较大，但继电器可以把控制部分与被控制部分分开，实现由小信号控制大信号，所以高压控制中一般会用到继电器。三极管属于电流驱动型器件，设基极电流为IB，集电极电流为IC，三极管的放大系数为β，电源电压VCC，集电极偏置电阻RC ，如果IB*β>=IC, 则三极管处于饱和状态，可以当作开关使用，集电极饱和电流IC =VCC/RC ，由此可见集电极的输出电流受到RC的限制，不适合应用于电流要求较高的场合。MOS管

试卷编号：8061 所属语言：计算机基础 试卷方案：excel 试卷总分：1410分 共有题型：1种

一、EXCEL操作 共141题 （共计1410分） 第1题 （10.0分）

--------------------------------------------------------------------- 请在打开的窗口中进行如下操作，操作完成后，请关闭Excel并保存工作簿。 --------------------------------------------------------------------- 在工作表Sheet1中完成如下操作：

1、利用公式计算校准分，校准分=（各课程得分×该课程的校准比例，然后求和）

2、计算平均分、总分。

3、插入一张工作表。将sheet1表中的A1：I28单元格区域复制到新插入的工作表中。

4、在sheet1表中以主关键字“总分”降序排序，总分相同以“英语成绩”降序排 序。

5、在sheet1表中利用自动序列在计算出名次。（1、2、3.。。。） 注：计算完毕后，调整列宽，使列标题完整显示。

6、在sheet1表中，将A29：M29单元格合并及居中，