半导体四大天王

人们都知道四大天王是天神，在现实中是不存在的，而我家的小水池里却生活着2017版的四大天王”。说来有趣，这四大天王”原是刚孵出来的四只小乌龟，是妈妈的同学从北京送过来的，一起来看看它们吧！

老大叫石头英雄，虽然它的身子小小的，只有我的手掌心大，吃的也不多，可它的本事却不小呢！它平时经常修炼功夫，最拿手的当属石头功”。它经常一动不动趴那几个小时，尺子、木棍轮番上阵也对它无可奈何，你也只好不理它了。可你别以为四大天王”都这么懦弱，好戏还在后头呢！

二哥叫闪电小子，它是四大天王”中的运动健将，一分钟就能在小水池里游三圈。它一会儿朝东，一会儿朝西，快如闪电，如果你想在水池里抓住它，作文可没那么轻而易举。不过，它可不是四大天王”中最厉害的，还有比它更厉害的呢！

三弟叫鬼子魔王，它人小鬼大，既娇气，又淘气，经常在兄弟们面前耍威风。它最喜欢晒太阳”了，其实就是趴在石头上，摆了一个超俗的pose，高昂着头，像国王对臣民似的。虽然没人理它，但它并不善罢甘休，还把大哥当马骑”。不用说，它是四大天王”中最麻烦的。

四弟叫吃货一号，顾名思义，它是一个实实在在的美食家，

刘德华

族名：刘福荣 简称：华仔，Andy 英文姓名：Andy Lau

出生地点：香港新界大埔泰亨村 籍贯：广东新会

出生日期：1961年9月27日 民族：汉族 星座：天秤座 生肖：牛 身高：174cm 体重：68kg 血型：AB 国籍：中国 宗教：佛教

百米速度：年轻时11.3s 鞋码：42

学历：中学预科 、香港可立高中毕业，无线第十期艺人训练班 小学：黄大仙天主教小学 中学：啬色园可立中学

三围：38，30，36（转自腾讯娱乐资料库）40，29，37（转自南方网娱乐） 爱好：保龄球，羽毛球、桌球 语言：广东话、英语、国语(普通话) 嗜好：收集古董手表、绘画、书法、阅读 家庭状况：父母、三姐、一妹、一弟 喜欢的颜色：黑、白、灰 喜欢的服饰：牛仔衫裤 喜欢的人物：家人 喜欢的旅游地方：非洲

最喜欢的科目：中国历史、世界历史 最想做的事：慈善

喜爱的电影：《Seven》、《追魂交易》、《教父咪搞》 最爱的动漫：《龙珠》、《Batman》

喜爱的歌曲：《When a man loves a w

半导体器件的检测和选用

(1)二极管的检测与选用 1)二极管的检测根据PN结的单向导电性原理，最简单的方法是用万用表测其正、反向电阻。用万用表红表笔接二极管负极、黑袁笔接二极管正极，测得的是正向电阻，将红、黑表笔对调，测得的是反向电阻。 正向电阻测量：小功率锗管的正向电阻一般为lOOfl～lkC/,之间，硅管的正向电阻一般为几百欧到几千欧之间。 反向电阻测量：锗管和硅管的反向电阻一般都在几百千欧以上，且硅管比锗管大。 根据二极管的单向导电性，即二极管的正向电阻小，反向电阻大的特性，可以通过测量的方法确定二极管的正、负极。 由于二极管的伏安特性的非线性，测量时用不同的欧姆挡或灵敏度不同的万用表，所得的数据不同。测量时，对于小功率二极管，通常可选用万用表R×100或R×lk挡；对于中、大功率二极管通常应选用万用表R×1。或R×10挡。 如果测得正向电阻为无穷大，说明二极管内部断线，如果反向电阻值近似为零，说明管子内部短路（击穿），如果测得正反向电阻相差不多，说明管子性能差或失效。以上三种情况的二极管皆不能使用。 实际使用中应注意，硅管和锗管不能替换。同类型管子可以代替，其原则是，对于检波管，只要工作频率高于原来的管子就可代换；对于整流管，只要反向

初试科目：半导体物理学

参考书：半导体物理学 顾祖毅 田立林 富力文 电子工业出版社 考试大纲：

第一章 半导体的晶格结构和缺陷 1 半导体的基本特性 2 常见半导体材料

3 主要半导体器件及其可选用的材料 4 常见半导体的结构类型 5 名词解释

化学键 共价键 离子键 分子键 金属键 晶格缺陷 间隙式杂质 代位式杂质 反晶格缺陷 层错 扩散系数 晶粒间界 第二章 半导体中的电子状态

1 在周期性势场中，电子薛定谔方程的解为布洛赫函数，即波函数：

?1(r)?uk(r)eik?r

uk(r)?uk(r?an)

布洛赫函数不是单色平面波。K为波矢，描述电子共有化运动。平面波因子e表明晶体中不再是局域化的，扩展到整个晶体之中，反映了电子的共有化运动。uk(r)反映了周期性势场对电子运动的影响，说明晶体中电子在原胞中不同位置上出现的几率不同。uk(r)的周期性说明晶体中不同原胞的各等价位置上出现的几率相同。

2 电子在周期场中运动的量子力学处理有几种近似的方法？试简述之。

（1）近自由电子近似 （2）紧束缚近似

3 由于共有化运动，晶体中电子可以看成是整个晶体共有的，因此孤立原子的能

发光材料的发展及研究

庞雪

（贵州大学 大数据与信息工程学院）

摘要： 发光材料是光电信息功能材料领域的研究热点之一。本文着重是关于现有的纳米发光材料、小分子有机电致发光材料、树枝状有机电致发光材料、芴类电致发光材料的发展与研究情况。介绍了国内外在研究发光材料方面所取得的一些最新进展,并对一些有待进一步研究的问题做了展望。 关键词： 发光材料

Abstract： The development of luminescent materials is one of the forefronts and hot areas of the optoelectronic information materials. This paper is about the existing

luminescence

surface

modification,

organic

small

molecular

electroluminescent materials, dendrimers electroluminescent materials, fluorene-based electroluminescent materials develop

篇一：世界四大尴尬部门——中国环保部

黑龙江中公教育：

昨天，“中国特色社会主义与中国梦宣传教育系列报告会”第一场在人民大会堂举行，环境保护部部长周生贤围绕环境保护有关问题作了报告。报告中周生贤调侃中国环保部是世界四大尴尬部门之一。(7月10日，京华时报)

“水里和陆地的不是一个部门管，一氧化碳和二氧化碳不是一个部门管。”“我听说世界上有四大尴尬部门，中国的环保部就是其中之一。”环保部部长的一席话并非调侃，而是真实的透露出当前国内环保部门以及环保事业所面临的无奈。

近年来，伴随着环境污染问题接连浮出水面，环境保护成为热门词汇越来越受到公众的重视。正因如此，拿环保局长“开涮”逐渐开始流行网络，从“请环保局长下河游泳”到“悬赏游泳”，环保局长成为独自担当社会情绪的“出气筒”，环保部门也“荣膺”世界四大尴尬部门之一。

实际上，让我们平心静气地面对环保问题，便能发现治污重任绝不是环保部门一家能够独自完成的。来自职责定位和执行现实的错位，造成环保部门“看得见管不到”、“有问题治不了”的窘境；导致环保局长“站得住的顶不住，顶得住的站不住”的困境。在现实工作中，环保部门就像一个消防员，哪里起火了就去哪里。由此看来，荣膺“世界四大尴尬部门”绝不仅仅是环保局一家的尴尬！

1. （ D ）下面关于有效质量的叙述错误的是 。 A. 有效质量概括了半导体内部势场的作用

B. 有效质量直接把外力f和电子的加速度联系起来

C. 有效质量的引入使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及到半导体内部势场的作用

D. 不是所有的有效质量都可以直接由实验测定

2. （ D ）对于只含一种杂质的非简并ｐ型半导体，费米能级随温度上升而 。 A. 上升 B. 下降 C. 不变

D. 经过一极值后趋近Ei

3. （ C ）一块半导体寿命τ=15μs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的 。 A.1/4 ； B.1/e ； C.1/e2 ； D.1/2 4. （ A ）不是深杂质能级特点的是 。 A. 杂质能级离带边较近 B. 多次电离（多重能级） C. 有可能成为两性杂质 D. ED，EA 可与Eg相比拟

5.（ B ）对于补偿的半导体材料，下列叙述正确的是 。 A.载流子浓度取决于杂质浓度较大者，载流子迁移率取决于电离杂质总浓度 B.载流子浓

太阳能电池培训手册(上)

第一章 太阳电池的工作原理和基本特性

1.1 半导体物理基础

1.1.1 半导体的性质

世界上的物体如果以导电的性能来区分，有的容易导电，有的不容易导电。容易导电的称为导体，如金、银、铜、铝、铅、锡等各种金属；不容易导电的物体称为绝缘体，常见的有玻璃、橡胶、塑料、石英等等；导电性能介于这两者之间的物体称为半导体，主要有锗、硅、砷化镓、硫化镉等等。众所周知，原子是由原子核及其周围的电子构成的，一些电子脱离原子核的束缚，能够自由运动时，称为自由电子。金属之所以容易导电，是因为在金属体内有大量能够自由运动的电子，在电场的作用下，这些电子有规则地沿着电场的相反方向流动，形成了电流。自由电子的数量越多，或者它们在电场的作用下有规则流动的平均速度越高，电流就越大。电子流动运载的是电量，我们把这种运载电量的粒子，称为载流子。在常温下，绝缘体内仅有极少量的自由电子，因此对外不呈现导电性。半导体内有少量的自由电子，在一些特定条件下才能导电。

半导体可以是元素，如硅（Si）和锗（Ge），也可以是化合物，如硫化镉（OCLS）和砷化镓（GaAs），还可以是合金，如GaxAL1-xAs，其中x为0-1之间的任意数。许多有机化合物，如

第八章 金属/半导体接触和MESFET

自从Lilienfeld和Heil在1930年提出场效应晶体管（FET）的概念起，直到20世纪50年代半导体材料工艺发展到一定水平后才做出了可以实际工作的器件。所谓场效应就是利用电场来调制材料的电导能力，从而实现器件功能。除了前面讨论过的MOS、MNOS、MAOS、MFS等都属于场效应器件外,还发展了结型场效应管(J-FET), 肖特基势垒栅场效应管（MES FET）等。本章从金属与半导体接触出发，讨论MES FET的结构和工作原理。

8.1. 肖特基势垒和欧姆接触 8.1.1. 肖特基势垒

当金属和半导体接触时，由于金属的功函数与半导体的功函数不同，在接触的界面处存在接触电势差，就会形成势垒，通常称为肖特基势垒。下面以金属与n型半导体接触为例来讨论肖特基势垒的特性。

(1) 理想情况：假定接触处的半导体表面不存在表面态，图8.1(a)是金属与半导体接触前的能带图(非平衡条件下，其中qφm和qφ

S

分别为金属和半导体的功

1

图8.1

函数，qχ为半导体的电子亲和（势）能。功函数定义为将一个电子从Fermi能级移到材料外面（真空能级）所需要的能量，电子亲和能是将一个电子从导带底移到真空能

簡介

在積體電路製造過程中，常需要在晶圓上定義出極細微尺寸的圖案(Pattern)，這些圖案主要的形成方式，乃是藉由蝕刻(Etching)技術，將微影

(Micro-lithography)後所產生的光阻圖案忠實地轉印至光阻下的材質上，以形成積體電路的複雜架構。因此蝕刻技術在半導體製造過程中佔有極重要的地位。 廣義而言，所謂的蝕刻技術，包含了將材質整面均勻移除及圖案選擇性部份去除的技術。而其中大略可分為濕式蝕刻(Wet Etching)與乾式蝕刻(Dry Etching)兩種技術。

早期半導體製程中所採用的蝕刻方式為濕式蝕刻，即利用特定的化學溶液將待蝕刻薄膜未被光阻覆蓋的部分分解，並轉成可溶於此溶液的化合物後加以排除，而達到蝕刻的目的。濕式蝕刻的進行主要是藉由溶液與待蝕刻材質間的化學反應，因此可藉由調配與選取適當的化學溶液，得到所需的蝕刻速率(Etching Rate)，以及待蝕刻材料與光阻及下層材質良好的蝕刻選擇比(Selectivity)。 然而，隨著積體電路中的元件尺寸越做越小，由於化學反應沒有方向性，因而濕式蝕刻是等向性(Isotropic)的，此時，當蝕刻溶液做縱向蝕刻時，側向的蝕刻將同時發生，進而造成底切(Undercut)現象，