三相无触点稳压器

无触点稳压器原理、分类

谈谈无触点稳压器的性能

产品的可靠性指标是其质量属性中极为重要的部分。产品的可靠性越高，所需维修保养的费用就越低，从而可尽量减少用户的开支，并保证用户设备的正常运行。同时，只有具有高可靠性的产品，才能在市场上具有真正的竞争力。

一、无触点稳压器产品可靠性的现状

在现代电源领域，要保证电源装置能做到精密地控制和可靠地运行，必须采用电力电子技术，在装置中使用电力半导体器件（可控硅）。电力半导体器件具有效率高、控制性能好、体积小、重量轻、使用可靠等许多优点。因此，采用电力电子技术对电力稳压器进行升级换代，已是大功率电力稳压器的主要发展方向。

整机无机械操作、无碳刷接触、无噪声调压、无瞬间断电、三相全部分调，响应速度极快，带雷电浪涌防护及具备所有的保护功能，工作稳定可靠，使稳压器实现了长期免维护。容量已做到2000KVA,补偿范围可达±50%，且效率高、运行可靠，系新一代绿色环保节能产品，经信息产业部产品质量监督检验中心对该产品进行检验，认定是目前国内最先进、容量最大的无触点稳压器。

随着无触点稳压器逐步被市场和用户认可，众多稳压器厂家随后也陆续推出结构各不相同的无触点稳压器。由于主电路结构的不同，它们的性能差异往往比较大；加之

动态跌落补偿的三相静态串联电压稳压器控制算法

摘要 许多工厂的典型的电能问题是由短暂的中断和电压过低引起的。解决这

个问题的一个常见方法是安装不间断电源UPS。然而这些不间断电源成本高，而且需要维修。一个节省成本的替代方法是使用静态串联稳压器额定功率负载的一小部分，稳压器与负载串联提供电压。该论文中提出的结构带有二极管桥式整流转换器的变压器耦合的电压源逆变器连接到AC电源。本文讨论了实施和控制的问题，并给出了稳定状态下的补偿能力曲线。提出了一种控制算法可以保证快速恢复动态电压，并对电网的故障类型, 干扰和谐波非常敏感。阐明了典型的单相和三相故障的特点。功率补偿器原型的动态性能在DSP上得到了验证。

1.引言

电能质量正在成为配电系统和工厂的一个越来越重要的考虑因素。预计这些问题在没有管制的电力系统环境中将更加普遍，那里频率和电能质量都有可能不同。现代发电厂的一个重要特征是提供高质量的电能，并且具有高可靠性，其中，计算机和其他灵敏电子设备的使用都很广泛。在供电的很多时候，中断供电的损失很大。

在这个新的环境中,用户可能会找到能够经济地解决方案,以确保持续的高质量的电力供应。随着静态功率转换器的快速进步，在中压系统发展的带动下，许多基于电力电

低压差稳压器

单路固定输出LDO（低压差稳压器）

REG104FA-2.5KTTT：DMOS1000mA低压差稳压器

REG113EA-3.3/250：DMOS400mA低压差稳压器

REG113EA-3/250：DMOS400mA低压差稳压器

REG113EA-5/250：DMOS400mA低压差稳压器

TL750L05CLP：5V,低压差pnp,小电流稳压器

TL750L08CLP：8V,低压差pnp,小电流稳压器

TL750L12CLP：12V,低压差pnp,小电流稳压器

TPS71025D：极低压差PMOS稳压器

TPS71025P：极低压差PMOS稳压器

TPS7133QD：极低压差PMOS稳压器

TPS7133QP：极低压差PMOS稳压器

TPS7148QP：极低压差PMOS稳压器

TPS7150QD：极低压差PMOS稳压器

TPS7150QP：极低压差PMOS稳压器

TPS72118DBVT：微功耗,极低压差PMOS稳压器

TPS72218DBVR：微功耗,极低压差PMOS稳压器

TPS7233QP：微功耗,极低压差PMOS稳压器

TPS7248QP：微功耗,极低压差PMOS稳压器

TPS7250QD：微功耗,极低压差PMOS稳压器

TPS7250QDR：微功耗,极低压

LDO

一. LDO的基本介绍

LDO是low dropout regulator，意为低压差线性稳压器，是相对于传统的线性稳压器来说的。传统的线性稳压器，如78xx系列的芯片都要求输入电压要比输出电压高出2v~3V以上，否则就不能正常工作。但是在一些情况下，这样的条件显然是太苛刻了，如5v转3.3v,输入与输出的压差只有1.7v，显然是不满足条件的。针对这种情况，才有了LDO类的电源转换芯片。

LDO是一种线性稳压器。线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或FET，从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下100mV之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压的LDO（低压降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递设备）作为PNP。这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为200mV左右；与之相比，使用NPN复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为2V左右。负输出LDO使用NPN作为它的传递设备，其运行模式与正输出LDO的 PNP设备类似。

更新的发展使用 MOS 功率晶体管，它能够提供最低的压降电压。使用 功率MOS，通过稳压器的唯一电压压降是

浅析LDO稳压器工作电路及原理

便携式设备（电池供电）在过去十年间的快速增长，象原来的业界标准 LM340 和 LM317 这样的稳压器件已经无法满足新的需要。这些稳压器使用NPN 达林顿管，在本文中称其为NPN 稳压器（NPN regulators）。预期更高性能的稳压器件已经由新型的低压差（Low-dropout）稳压器（LDO）和准LDO稳压器（quasi-LDO）实现了。

NPN 稳压器（NPN regulators）

在NPN稳压器（图1：NPN稳压器内部结构框图）的内部使用一个 PNP管来驱动 NPN 达林顿管（NPN Darlington pass transistor），输入输出之间存在至少1.5V～2.5V的压差（dropout voltage）。这个压差为：

Vdrop ＝ 2Vbe ＋Vsat（NPN 稳压

器） （1）

LDO 稳压器（LDO regulators）

在LDO(Low Dropout)稳压器（图2：LDO稳压器内部结构框图）中，导通管是一个PNP管。LDO的最大优势就是PNP管只会带来很小的导通压降，满载（Full-load）的跌落电压的典型值小于

LM317是常见的可调集成稳压器，最大输出电流为2.2A，输出电压范围为1.25～37V。基本接法如下：

1，2脚之间为1.25V电压基准。为保证稳压器的输出性能，R1应小于240欧姆。改变R2阻值即可调整稳压电压值。D1，D2用于保护LM317。

Uo=(1+R2/R1)*1.25

LM317T应用电路一例

用LM317T制作可调稳压电源，常因电位器接触不良使输出电压升高而烧毁负载。如果增加一只三极管（如下图所示），在正常情况下，T1的基极电位为0，T1截止，对电路无影响；而当W1接触不良时，T1的基极电位上升，当升至0.7V时，T1导通，将LM317T的调整端电压降低，输出电压也降低，从而对负载起到保护作用。如去掉三极管、断开W1中心点连线，3.8V小电珠立刻烧毁，测输出电压高达21V。而加有T1时，小电珠亮度减小，此时 LM317T输出电压仅为2V，从而有效的保护了负载。

使W317稳压器从零伏起调·

用W317制作的稳压器，由于受集成块内电其电路的限制,最低输出电压为1．25V。而附图所示电路则可以使电压从0V开始调整。该电路和W317基本应用电路的不同之处是增加了—组负压辅助电源。稳压管DW正极对地电压为—1．25V，调压电位

第46卷 第2期 微 电 子 学 Vol. 46, No. 2

2016年4月 Microelectronics

一种大电流LDO稳压器设计

杨燕1, 赵健雄2, 陈祝2

（成都信息工程大学 通信工程学院，成都 610225）

摘要：本文设计了一种最大输出电流为3A的LDO电路。通过优化误差放大器，采用两个NMOS作为调整管，具有上拉和下拉大电流负载能力。采用20uF的陶瓷电容以保证足够快的负载瞬态效应，在空载时仅消耗80uA的负载电流。该芯片驱动高达3A的负载电流，极大地提高了LDO的带载能力，并保持了良好的系统稳定性。具有快速的瞬态响应和较小的输出纹波。 关键词：LDO；大电流；上拉和下拉

中图分类号：TN432

文献标识码：A

Design of LDO regulator with a large output current

YAN Yang1,

DSFDG

低频两相函数信号发生器（B题）

摘要：本系统基于FPGA来开发DDS函数发生器，以凌阳单片机SPAICE061A为控制核心，并由D/A转换器、四阶巴特沃思低通滤波器、电流电压转换器、lcd12864液晶显示器和波形移位等模块组成，单片机负责显示、键盘识别和频率控制字与相位控制字的串行输出。系统可输出单相正弦波、两相正弦波和调频信号波，具有输出波频率预置和步进、两相输出波相位差可预置和步进等功能。综合测试证明，本系统实现了赛题的所有要求。

关键词：低频两相 FPGA DDS 单片机 步进

一、引言

目前广泛采用的频率合成技术主要有直接合成、锁相频率合成和直接数字合成三种方式。随着数字技术的飞速发展，高精度大动态范围DAC 的出现和广泛应用，用数字控制方法从一个参考频率源产生多种频率的技术，即直接数字频率合成(DDS) 技术异军突起。DDS技术是一种新型全数字频率合成技术，可直接从相位出发合成所需的波形。它在相对带宽、频率转换时间、相位连续性、正交输出、高分辨力等方面具有显著的特性。本系统即是基于直接频率合成(DDS)技术产生低频两相函数信号发生器的设计与制作，整个系统以单片机和CycloneII系列FPGA为控制核心，先把欲产生信号波的波形数

工学硕士学位论文

(同等学力)

三相三电平 VIENNA 整流器的研究

刘平

哈尔滨工业大学

2006 年 6 月

国内图书分类号：TM461.5 国际图书分类号：621.3

工学硕士学位论文

(同等学力)

三相三电平 VIENNA 整流器的研究

硕 士 研 究 生： 刘平 导 师： 陈希有教授 工学

硕士 电工理论与

申请学位级别：

新技术 黑河学院

学 科 、专 业：

2006 年 6月 哈

所 在 单 位：

尔滨工业大学

答 辩 日 期： 授予学位单位：

Classified Index：TM461.5 U.D.C.：621.3

A Dissertation for the Master Degree in Engineering

(Equivalent Education Level)

THE RESEARCH OF THE THREE-PHASE THREE-LEVEL VIENNA RECTIFIER

Candidate： Supervisor：

Academic Degree Applied for： Specialty： Affiliation： Date of Defence：

Liu Ping

Prof. Chen

工学硕士学位论文

(同等学力)

三相三电平 VIENNA 整流器的研究

刘平

哈尔滨工业大学

2006 年 6 月

国内图书分类号：TM461.5 国际图书分类号：621.3

工学硕士学位论文

(同等学力)

三相三电平 VIENNA 整流器的研究

硕 士 研 究 生： 刘平 导 师： 陈希有教授 工学

硕士 电工理论与

申请学位级别：

新技术 黑河学院

学 科 、专 业：

2006 年 6月 哈

所 在 单 位：

尔滨工业大学

答 辩 日 期： 授予学位单位：

Classified Index：TM461.5 U.D.C.：621.3

A Dissertation for the Master Degree in Engineering

(Equivalent Education Level)

THE RESEARCH OF THE THREE-PHASE THREE-LEVEL VIENNA RECTIFIER

Candidate： Supervisor：

Academic Degree Applied for： Specialty： Affiliation： Date of Defence：

Liu Ping

Prof. Chen