封装键合工艺

封装键合铜线参数讨论版指摘

我从事半导体封装已经十一年了，主要从事封装前道BG, SAW, DB 和WB的制成维护与开发，现在，由于国际金价持续走高，铜线的封装比重增加，现在，就将我这些年对铜线的研究与大家分享。

1. 镀钯铜线与裸铜线的区别。

镀钯铜线是在裸铜线的表面镀了一层钯，钯是一种很稳定的金属，优点是不被氧化。所以与裸铜线相比，优点为，

1）. 镀钯铜线的存储时间更长，对存储的环境要求没有裸铜线高；

2). 钯线的焊接过程中，只需要N2保护就可以，裸铜线的焊接必须是N2，H2混合气（forming gas）;

3). 在焊接工艺控制中，钯线与裸铜线没有差异，都需要采用合理的参数来控制高硬度的铜球焊接（在下面将详细叙述铜线焊接的工艺参数）。

镀钯铜线的缺点是价格高，一般是裸铜线价格2-3倍。

2. 铜线的焊接，

2.1 第一点的焊接（ball bonding)

由于铜球的硬度远远高于金球，所以铜线ball bond焊接易出下列废品， NSOP,

Lift Metal,

Crater,

Golf Bond

为了控制这些废品，需要用特殊的参数加以控制，以下是控制要点，

1）. 焊接过程分阶段，一般分两个阶段就能焊接，对一些易产生lift metal或cratering的

一、 铜线键合工艺

A、铜线工艺对框架的特殊要求-------铜线对框架的的要求主要有以下几点： 1、 框架表面光滑，镀层良好；

2、 管脚共面性良好，不允许有扭曲、翘曲等不良现象

管脚粗糙和共面性差的框架拉力无法保证且容易出现翘丝和切线造成的烧球不良，压焊过程中容易断丝及出现tail too short ；

B、保护气体----安装的时候保证E-torch上表面和right nozzle 的下表面在同一个平面上．才能保证烧球的时候，氧化保护良好．同时气嘴在可能的情况下尽量靠近劈刀，以 保证气体最大范围的保护

. b* a# c! [3 b1 b; f E

2 b9 P\~7 pC、劈刀的选用——同金线相比较，铜线选用劈刀差别不是很大，但还是有一定的差异： 1、铜线劈刀T 太小2nd容易切断，造成拉力不够或不均匀

# c7 {- G! b* ^, 2、铜线劈刀CD不能太大，也不能太小，不然容易出现不粘等现象

- w0 d$ W; X; s7 A 3、铜线劈刀H与金线劈刀无太大区别（H比铜丝直径大8μm即可，太小容易从颈部拉断） 4、铜线劈刀CA太小线弧颈部容易拉断，太大易造成线弧不

集成电路封装中的引线键合技术 2007-03-29 13:17

集成电路封装中的引线键合技术

黄玉财1 程秀兰1 蔡俊荣2 上海交通大学微电子学院

（1. 上海交通大学微电子学院，上海200030 2. 星科金朋（上海）有限公司 201702）

摘要: 在回顾现行的引线键合技术之后,本文主要探讨了集成电路封装中引线键合技术的发展趋势。球形焊接工艺比楔形焊接工艺具有更多的优势，因而获得了广泛使用。传统的前向拱丝越来越难以满足目前封装的高密度要求，反向拱丝能满足非常低的弧高的要求。前向拱丝和反向拱丝工艺相结合，能适应复杂的多排引线键合和多芯片封装结构的要求。不断发展的引线键合技术使得引线键合工艺能继续满足封装日益发展的要求，为封装继续提供低成本解决方案。 关键词: 引线键合；球形焊接；楔形焊接；反向键合 分类号：TN305 文献标志码：B

Wire Bonding Technology in IC Packaging Huang Yucai1 Cheng Xiulan1 Cai Junrong2

(1. School of Microelectronics, Shanghai Jiao Tong University, S

BIPV封装工艺简介

BIPV封装目前有以下几种方式：

1、采用EVA封装

2、采用PVB封装

2.1 采用PVB为分装材料，层压机为封装设备。

2.2 采用PVB为封装材料，高压釜为封装设备，一次成型工艺。

2.3 采用PVB为封装材料，高压釜为封装设备，二次成型工艺。

众所周知，目前建筑上使用的夹胶玻璃全部为PVB材料，然做光伏的都知道，EVA的价格便宜，封装速率高，为什么建筑上一定要使用PVB呢？

EVA与PVB相比较，有以下三个严重的问题：

1、 耐紫外老化。（1）对于光伏组件来说，由于背板为白色，

且不要求透光（组件后面的采光），因此要求不是很严格（通俗点讲就是变黄了大不了少发点电，没太大的影响）。而PVB耐老化性能比EVA好，实践证明，PVB用在建筑上，经过一二十年，黄变很小。（2）紫外老化的第二个影响是与玻璃的剥离强度，EVA老化后，与玻璃玻璃强度降低，这如果用在建筑上是很危险的事情。

2、 水汽渗透率。光伏组件都需要在边缘装上边框，里面用硅胶密封，主要是为了防 止水汽渗透进去，但是建筑上的夹胶玻璃边缘很少用硅胶密封的，很多幕墙、雨棚上，夹胶玻璃的边缘是完全裸露的。

3、 抗冲抵性能。这个很简单，举个例子，防弹玻璃就是多层玻璃加上多层PVB夹胶 而成的

BIPV封装工艺简介

BIPV封装目前有以下几种方式：

1、采用EVA封装

2、采用PVB封装

2.1 采用PVB为分装材料，层压机为封装设备。

2.2 采用PVB为封装材料，高压釜为封装设备，一次成型工艺。

2.3 采用PVB为封装材料，高压釜为封装设备，二次成型工艺。

众所周知，目前建筑上使用的夹胶玻璃全部为PVB材料，然做光伏的都知道，EVA的价格便宜，封装速率高，为什么建筑上一定要使用PVB呢？

EVA与PVB相比较，有以下三个严重的问题：

1、 耐紫外老化。（1）对于光伏组件来说，由于背板为白色，

且不要求透光（组件后面的采光），因此要求不是很严格（通俗点讲就是变黄了大不了少发点电，没太大的影响）。而PVB耐老化性能比EVA好，实践证明，PVB用在建筑上，经过一二十年，黄变很小。（2）紫外老化的第二个影响是与玻璃的剥离强度，EVA老化后，与玻璃玻璃强度降低，这如果用在建筑上是很危险的事情。

2、 水汽渗透率。光伏组件都需要在边缘装上边框，里面用硅胶密封，主要是为了防 止水汽渗透进去，但是建筑上的夹胶玻璃边缘很少用硅胶密封的，很多幕墙、雨棚上，夹胶玻璃的边缘是完全裸露的。

3、 抗冲抵性能。这个很简单，举个例子，防弹玻璃就是多层玻璃加上多层PVB夹胶 而成的

福景科技LED生產工藝及封裝技術报告

LED生產工藝及封裝技術

一、生產工藝

1.工藝：

a) 清洗：採用超聲波清洗PCB或LED支架，並烘乾。

b) 裝架：在LED管芯（大圓片）底部電極備上銀膠後進行擴張，將擴張後的管芯（大圓片）安置在刺晶台上，在顯微鏡下用刺晶筆將管芯一個一個安裝在PCB或LED支架相應的焊盤上，隨後進行燒結使銀膠固化。

c)壓焊：用鋁絲或金絲焊機將電極連接到LED管芯上，以作電流注入的引線。LED直接安裝在PCB上的，一般採用鋁絲焊機。（製作白光TOP-LED需要金線焊機）

d)封裝：通過點膠，用環氧將LED管芯和焊線保護起來。在PCB板上點膠，對固化後膠體形狀有嚴格要求，這直接關係到背光源成品的出光亮度。這道工序還將承擔點螢光粉（白光LED）的任務。

e)銲接：如果背光源是採用SMD-LED或其它已封裝的LED，則在裝配工藝之前，需要將LED銲接到PCB板上。

f)切膜：用沖床模切背光源所需的各種擴散膜、反光膜等。

g)裝配：根據圖紙要求，將背光源的各種材料手工安裝正確的位置。

h)測試：檢查背光源光電參數及出光均勻性是否良好。

包裝：將成品按要求包裝、入庫。

二、封裝工藝

1. LED的封裝的任務

是將外引線連接到LED芯片的電極上，同時保護好L

LED封装工艺流程

LED知识, LED芯片

一、导电胶、导电银胶

导电胶是IED生产封装中不可或缺的一种胶水，其对导电银浆的要求是导电、导热性能要好，剪切强度要大，并且粘结力要强。

UNINWELL国际的导电胶和导电银胶导电性好、剪切力强、流变性也很好、并且吸潮性低。特别适合大功率高高亮度led的封装。

特别是UNINWELL的6886系列导电银胶，其导热系数为：25.8 剪切强度为：14.7，堪称行业之最。

二、封装工艺

1. led的封装的任务

是将外引线连接到led芯片的电极上，同时保护好led芯片，并且起到提高光取出效率的作用。关键工序有装架、压焊、封装。

2. led封装形式

led封装形式可以说是五花八门，主要根据不同的应用场合采用相应的外形尺寸，散热对策和出光效果。led按封装形式分类有Lamp-led、TOP-led、Side-led、SMD-led、High-Power-led等。

3. led封装工艺流程

4．封装工艺说明

1.芯片检验

镜检：材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑（lockhill）

芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求

电极图案是否完整

2.扩片

由于led芯片在划片后依然排列紧密间距很小（约0.1mm），不利于

后工序的操作。我们采用扩片机对黏

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（10）申请公布号

CN105598613A

（43）申请公布日 2016.05.25（21）申请号CN201510950549.1

（22）申请日2015.12.18

（71）申请人中国电子科技集团公司第二研究所

地址030024 山西省太原市和平南路115号

（72）发明人姬臻杰;赵喜清;王晓奎;王彩萍

（74）专利代理机构山西科贝律师事务所

代理人陈奇

（51）Int.CI

B23K37/02;

H01L21/60;

权利要求说明书说明书幅图

（54）发明名称

全自动引线键合机焊头

（57）摘要

本发明公开了一种全自动引线键合机焊

头，解决了在引线楔焊中存在的微小力输出稳定

性差和控制调节难的问题。包括电机固定架

（19）、音圈电机、工业控制机和引线键合超声

换能器，在引线键合超声换能器的右端设置有压

电陶瓷（10），在引线键合超声换能器的左端连

接有劈刀（11），音圈电机定子（6）是倒置地固

MEMS封装用局部激光键合法及其实现

半导体光电 2008年6月第29卷第3期成 立等: MEMS封装用局部激光键合法及其实现

材料、结构及工艺

MEMS封装用局部激光键合法及其实现

成 立,王 玲,伊廷荣,植万江,范汉华,王振宇

(江苏大学电气与信息工程学院,江苏镇江212013)

摘 要: 对常规激光键合在Si 玻璃键合工艺中因高温而引起的负面效应进行了分析,从而设计出芯片表面活化预键合与激光键合工艺相结合的方法。该方法已用于微电子机械系统(MEMS)样片封装实验中。实验过程是:先用一种特殊的化学方法形成亲水表面,然后将Si和玻璃置于室温下进行预键合,最后取波长1064nm、光斑直径500 m、功率70W的Nd YAG激光器作局部激光加热。结果表明,该方法在不施加外力下能实现无损伤低温键合,同时拉伸实验也说明了样片键合强度达到2.6~3.0MPa,从而既保证了MEMS芯片的封装质量又降低了其封装成本。

关键词: 微电子机械系统;局部激光键合;表面活化;预键合;固体激光器

中图分类号:TN305.2 文献标识码:A 文章编号:1001-5868(2008)03-0345-04

LocalLaserBondingMethodand

LED芯片封装工艺中焊接缺陷研究

２００９年第２８卷第ｌＯ期传感器与微绦统（ＴｒａｎＳｄｕｃｅｒａｎｄＭｉｃｒｏｓｙｓｔｅｍＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ）

５５

ＬＥＤ芯片封装工艺中焊接缺陷研究冰

余大海，文矗梅，李乎，蔡有海

（重庆大学巍毫王疆学院爱毫皴拳及系统教骞部耄赢实验室，耋痰４０００４４）

摘要：介绍了发光二极管（ＬＥＤ）封装工艺中常见焊接缺陷与Ｗ能存在的危害。对污染物造成的焊接缺陷作了具体研究，理论分析了因缺陷引入的接触电阻和隧道电阻，测量了正常情况和缺陷焊接时ＬＥＤ的

光谱和光生电流，并提出了存在缺陷焊接的ＬＥＤ的等效电路，对实验结果进行了分柝。结果表明：ＬＥＤ发生焊接块陵澈戆发光强度、宠生电浚臻显院蓬鬻淆况枣，霹泼遥过蒺ｌ试ＬＥＤ芯片黪发毙强度或惫燕邀漉

达到检测ＬＥＤ焊接缺陷的精的。该研究对提离ＬＥＤ封装的可靠性和提出检测ＬＥＤ焊接缺陷的方法舆有

重要意义。

关键词：ＬＥＤ封装；焊接缺陷；接触电阻；隧邋电阻中图分类鼍：ＴＮ３１２

文献标识码：Ａ

文章编号：１０００－９７８７（２００９）１０－００５５－０３

Ｒｅｓｅａｒｃｈ

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ｗｅｌｄｉｎｇｆａｕｌｔｄｕｒｉｎｇＬＥＤｃｈｉｐｓｐａｃｋａｇｉｎｇ宰

ＹＵＤａ—ｈａｉ，ＷＥＮＹｕ—ｍｅｉ，ＬＩＰｉｎｇ，ＣＡＩ