电子技术基础与技能第三版答案
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模拟电子技术基础第三版课后习题答案
模拟电子技术基础第三版
一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C
三、UO1≈1.3V UO2=0 UO3≈-1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈-2V 四、UO1=6V UO2=5V
五、根据PCM=200mW可得:UCE=40V时IC=5mA,UCE=30V时IC≈6.67mA,UCE
=20V时IC=10mA,UCE=10V时IC=20mA,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。
六、1、
IB
IC
VBB UBE
26μA
Rb
IB 2.6mA
UCE VCC ICRC 2V
UO=UCE=2V。
2、临界饱和时UCES=UBE=0.7V,所以
IC
IB
VCC UCES
2.86mA
RcIC
28.6μA
Rb
VBB UBE
45.4k
IB
七、T1:恒流区;T2:夹断区;T3:可变电阻区。 1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 ui和uo的波形如图所
模拟电子技术基础第三版课后习题答案
模拟电子技术基础第三版
一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C
三、UO1≈1.3V UO2=0 UO3≈-1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈-2V 四、UO1=6V UO2=5V
五、根据PCM=200mW可得:UCE=40V时IC=5mA,UCE=30V时IC≈6.67mA,UCE
=20V时IC=10mA,UCE=10V时IC=20mA,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。
六、1、
IB
IC
VBB UBE
26μA
Rb
IB 2.6mA
UCE VCC ICRC 2V
UO=UCE=2V。
2、临界饱和时UCES=UBE=0.7V,所以
IC
IB
VCC UCES
2.86mA
RcIC
28.6μA
Rb
VBB UBE
45.4k
IB
七、T1:恒流区;T2:夹断区;T3:可变电阻区。 1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 ui和uo的波形如图所
模拟电子技术童诗白第三版答案
第一章常用半导体器件
自测题
一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 解:(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)× 二、选择正确答案填入空内。 解:(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压UD=0.7V。 解:UO1≈1.3V,UO2=0,UO3≈-1.3V,UO4≈2V,UO5≈1.3V, UO6≈-2V。
四、已知稳压管的稳压值UZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA。求图T1.4所示电路中UO1和UO2各为多少伏。
解:UO1=6V,UO2=5V。 五、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5所示,其集电极最大耗散功率PCM
=200mW,试画出它的过损耗区。
解:根据PCM=200mW可得:UCE=40V时IC=5mA,UCE=30V时IC≈6.67mA,UCE=20V时IC=10mA,UCE=10V时IC=20mA,将各点连接成曲线,即为临界过损耗线,如解图T1.5所示。临界过损耗线的左边为过损耗区。
解图T1.5
六、电路如图T1.6
所示,VCC=15V,β=100,UBE=0.7V。试问:
(1)Rb=50kΩ时,uO=?
模拟电子技术基础简明教程(第三版) 杨素行 课后答案
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。解:在20℃时的反向电流约为:2?3?10?A?1.25?A在80℃时的反向电流约为:23?10?A?80?A+
习题1-3某二极管的伏安特性如图(a)所示:①如在二极管两端通过1k?的电阻加上1.5V的电压,如图(b),此时二极管的电流I 和电压U各为多少?②如将图(b)中的1.5V电压改为3V,则二极管的电流和电I/mA压各为多少?3+ U -解:根据图解法求解①电源电压为1.5V时1.5?U?I21I1.5V1k?(b)I?0.8A,3?U?II?2.2A,U?0.7V②电源电压为3V时U?0.8V0 0.5 11.52U/V(a)可见,当二极管正向导通后,如电源电压增大,则二极管的电流随之增大,但管子两端的电压变化不大。
习题1-4已知在下图中,uI= 10sinωt (V),RL=1k?
模拟电子技术基础简明教程(第三版) 杨素行 课后答案
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。解:在20℃时的反向电流约为:2?3?10?A?1.25?A在80℃时的反向电流约为:23?10?A?80?A+
习题1-3某二极管的伏安特性如图(a)所示:①如在二极管两端通过1k?的电阻加上1.5V的电压,如图(b),此时二极管的电流I 和电压U各为多少?②如将图(b)中的1.5V电压改为3V,则二极管的电流和电I/mA压各为多少?3+ U -解:根据图解法求解①电源电压为1.5V时1.5?U?I21I1.5V1k?(b)I?0.8A,3?U?II?2.2A,U?0.7V②电源电压为3V时U?0.8V0 0.5 11.52U/V(a)可见,当二极管正向导通后,如电源电压增大,则二极管的电流随之增大,但管子两端的电压变化不大。
习题1-4已知在下图中,uI= 10sinωt (V),RL=1k?
电路模拟电子技术基础-查丽斌(第三版)随书课后答案1.0
电路模拟电子技术基础-查丽斌(第三版)随书课后答案
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模拟电子技术(模电课后习题含答案)(第三版)
模拟电子技术(模电课后习题含答案)(第三版)希望能对大家有帮助~ -------来自肇庆学院某学子一下午的心血!
第1章 常用半导体器件
1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小
(3)工作在放大区的某三极管,如果当IB 从12 uA 增大到22 uA 时,IC 从lmA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。
A.83 B.91 C.100
(4)当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将( A ) 。
A.增大; B.不变; C.减小 1.3电路如图P1.2 所示,已知ui压可忽略不计。
10sin t(V),试画出ui与uo的波形。设二极管导通电
图P1.2 解图P1.2
解:ui与uo的波形如解
数字电子技术基础简明教程第三版1-3章(含答案)
第一章(选择、判断各20题,填空、思考27题)
一、选择题
1.以下代码中为无权码的为 。
A. 8421BCD码 B. 5421BCD码 C. 余三码 D. 格雷码 2.以下代码中为恒权码的为 。
A.8421BCD码 B. 5421BCD码 C. 余三码 D. 格雷码 3.一位十六进制数可以用 位二进制数来表示。 A. 1 B. 2 C. 4 D. 16 4.十进制数25用8421BCD码表示为 。
A.10 101 B.0010 0101 C.100101 D.10101 5.在一个8位的存储单元中,能够存储的最大无符号整数是 。 A.(256)10 B.(127)10 C.(FF)16 D.(255)10 6.与十进制数(53.5)10等值的数或代码为 。
A.(0101 0011.0101)8421BCD B.(35.8)16 C.(110101.1)2 D.(65.4)8 7.矩形脉冲信号的参数有
《数字电子技术(第三版)》3. 布尔代数与逻辑函数化简
《数字电子技术(第三版)》PPT课件
数字电子技术
《数字电子技术(第三版)》PPT课件
第3章 布而代数与逻辑函数化简学习要点: 学习要点: 三种基本运算,基本公式、定理和规则。 逻辑函数及其表示方法。 逻辑函数的公式化简法与卡诺图化简法。 无关项及其在逻辑函数化简中的应用。
《数字电子技术(第三版)》PPT课件
3.1 基本公式和规则3.1.1 逻辑代数的公式和定理 (1)常量之间的关系与运算: 0 0 = 0
0 1 = 0
1 0 = 0
1 1 = 1
或运算: 0 + 0 = 0非运算: 1 = 0
0 +1=10 =1
1+ 0 =1
1+1=1
(2)基本公式
A + 0 = A 0-1 律: A 1 = A互补律: A + A = 1
A +1 = 1 A 0 = 0
A A = 0
双重否定律: A = A
等幂律: A + A = A
A A = A
《数字电子技术(第三版)》PPT课件
(3)基本定理
A B = B A 交换律: A + B = B + A ( A B) C = A ( B C ) 结合律: ( A + B) + C = A + ( B + C )
A 0 0
模拟电子技术基础简明教程(第三版)(余孟尝主编)(一,二章答
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。解:在20℃时的反向电流约为:2?3?10?A?1.25?A在80℃时的反向电流约为:23?10?A?80?A习题1-4已知在下图中,uI= 10sinωt (V),RL=1k?,试对应地画出二极管的电流iD、电压uD以及输出电压uO的波形,并在波形图上标出幅值。设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。uI/V+ u10D-++0uIii?tD/mA-DRuLD-10(a)u0I/V?t0?tu-10o/V100?t- 1 -
习题1-3某二极管的伏安特性如图(a)所示:①如在二极管两端通过1k?的电阻加上1.5V的电压,如图(b),此时二极管的电流I 和电压U各为多少?②如将图(b)中的1.5V电压改为3V,则二极管的电流和电压各为多少?I/mA解:根据图解法求解3+ U -①电源电压为1.5V时21