模拟电子技术期末

第四章 集成运算放大电路

自 测 题

一、选择合适答案填入空内。

（1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为 C 。 A．可获得很大的放大倍数 B. 可使温漂小 C．集成工艺难于制造大容量电容 （2）通用型集成运放适用于放大 B 。 A．高频信号 B. 低频信号 C. 任何频率信号

（3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的 C 。 A. 指标参数准确 B. 参数不受温度影响 C．参数一致性好

（4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 A 。 A．减小温漂 B. 增大放大倍数 C. 提高输入电阻

（5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 A 。 A．共射放大电路 B. 共集放大电路 C．共基放大电路

解：（1）C

填空题

1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V；锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。 2、二极管的正向电阻 小 ；反向电阻 大 。

3、二极管的最主要特性是 单向导电性 。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。

4、二极管最主要的电特性是 单向导电性 ，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 电阻 。

5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为 模拟 电子技术。

6、PN结反向偏置时，PN结的内电场 增强 。PN具有 具有单向导电 特性。

7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为 0.7 伏；其门坎电压Vth约为 0.5 伏。

8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由 多数 载流子的 扩散 运动形成。

9、P型半导体的多子为 空穴 、N型半导体的多子为 自由电子 、本征半

《模拟电子期末练习题》应用电子2班张昌文

《模拟电子技术》模拟试题一

填空题：（每空1分共40分）

1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。

2、漂移电流是（反向）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开；

4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变大），发射结压降（变小）。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共射极共集电极共基极共）、放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（直流）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（电流）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（A/1+AF ），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称

为（）信号。

12、

《模拟电子期末练习题》应用电子2班张昌文

《模拟电子技术》模拟试题一

填空题：（每空1分 共40分）

1、PN结正偏时（ 导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。

2、漂移电流是（ ）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变大），发射结压降（变小）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共）、（）、（）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等

西南交通大学2014－2015学年第(2)学期测试题

课程代码 0471003/2122200 课程名称 模拟电子技术

一、填空选择题:（共24分，每空2分）

UO2? 0V 。UO1? 1.3V ，V） 1.写出图示各电路的输出电压值（设二极管导通电压UD?0.7，

+VCC

R1C1R3R5VT2C31= -2V 。 2.电路如图所示，设二极管D1，D2，D3的正向压降忽略不计，则输出电压VTuO

VT3R7C4uOuIR42(a)－2V (b)0V (c)6V u I R(d)12V

C2R6 ?12VRd1( a )+VDDRd2VT2C1VT1RLuIRguORsC1RgR1C2C4R20VD1R+u-O6VD2

D3( c )

uS?2V题2图 题3图

3.多级放大电路如图所示，设电路中的所有电容器对交流均可视为短路。试指出电路中各个放大器件所组成的基本放大电路分别属于哪种组态。 VT1 CS VT2 CG 4.当场效应管

第一章

一、选择题（请选择一个最合适的答案填入括号内） 1. P型半导体中的多数载流子是（ ），N型半导体中的多数载流子是（ ）。

A. 自由电子 B. 空穴 C. 电荷

2. 当PN结正偏时，空间电荷区中载流子的扩散运动和漂流运动相比（ ）。

A. 前者强于后者 B. 后者强于前者 C.二者平衡 3. 二极管正向导通的条件是外加电压（ ）。

A. >0 B. >死区电压 C. >击穿电压 D. <死区电压 4. 把一个二极管直接同一个电动势为1.5V，内阻为零的电池正向连接，该管（ ）。

A. 击穿 B. 电流为零 C. 电流正常 D. 电流过大使管子烧坏 5. 在本征半导体中加入_____元素可形成N型半导体，加入_____元素可形成P型半导体。 A.五价 B.四价 C.三价 D. 二价 6. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将_____

A.增大 B.不变 C.减小 D. 置零

7. 工作在放大区的某三极管，如果当I

《 模 拟 电 子 技 术 》 练 习

填 空

1.半导体是一种导电能力介于 ________与 ________ 之间的物质 。 2.当外界温度、光照等发生变化时，半导体的______能力会发生很大变化。

3.在半导体中，参与导电的不仅有_________，而且还有_______，这是半导体区别导体导电的重要特征 。 4.N型半导体主要靠_______导电，P型半导体主要靠______导电 。 5.PN结正向偏置是将P区接电源的______极，N区接电源的_____极 。

6.PN结加正向电压时______，加反向电压时________，这种特性称为PN结的______________________________。 7.二极管的最主要特性是__________，使用时应考虑的两个主要参数是__________和______________。 8.在常温下，硅二极管的死区电压约为______V，导通后在较大电流下的正向压降约为________V，锗二极管的死区电压约为_______V，导通后在较大电流下的正向压降约为_______ V。

9.当加在二极管两端的反向电压过高时，二极管会被 ________ 。 10.用指针式万用表的两表棒分

模拟电子技术基础

一、基础题

1、在图中，RF反馈电路引入的是：

RFR1?ui?R2RLR A.并联电流负反馈 B.串联电压负反馈 C.并联电压负反馈 D.串联电流负反馈 答案A

2、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 答案×

3、在纯净的半导体中如果掺入三价元素，就是P型半导体。

答案√

4、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 答案×

5、双极性三极管的电流不仅有多子的运动，也要考虑少子的运动； 答案√

6、二极管的伏安特性上有一个死区电压，这个电压的大小与半导体的材料有关； 答案√

7、NPN晶体管的发射区和集电区都是N型半导体，所以发射极和集电极可以调换使用； 答案×

8、晶体管是电流控制元件； 答案√

9、发光二极管（LED）发光时一定是正向导通的； 答案√

10、将PN结的N区接电源的正极，P区接电源的负极，则为PN结的_______偏置。 答案：反向。

11、本征半导体就是完全纯净的、具有_______结构的半导体；用得最多的半导体材料就是_______和_______； 答案：晶体；硅；锗；

12、二极管具有_______导电性；稳压二极管是一种特殊的二极管，它一般工作在____

《模拟电子技术》模拟试题一

一、 填空题：（每空1分 共40分）

1、PN结正偏时（ ），反偏时（ ），所以PN结具有（ ）导电性。

2、漂移电流是（ ）电流，它由（ ）载流子形成，其大小与（ ）有关，而与外加电压（ ）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（ ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（ ），等

效成断开；

4、三极管是（ ）控制元件，场效应管是（ ）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（ ），集电结（ ）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（ ），发射结压降（ ）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（ ）、（ ）、（ ）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（ ）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（ ）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（ ），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（ ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（ ）BW，其中BW=（ ）， （

风电班 电子技术基础期末试题

一、 填空题（每空1分共20分）

1、最常用的半导体材料有 和

2、 锗二极管的导通电压降 硅二极管的导通电压降 3、 是最简单的半导体器件。

4、 有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明二极管 5、 有一硅二极管正反向电阻接近无穷大，表明二极管 6、 半导体二极管具有 性，可作为开关元件。

7、三极管在电路中有三种组态，即_____________组态 ，_____________ 组态，_____________ 组态。

8、三极管是一种( )控制的半导体器件.

9、数字信号的特点是在 和 上都是不连续变化的。 10、用二进制数表示文字、符号等信息的过程称为_____________。 11、最基本的三种逻辑运算是 、 、 。 12、逻辑函数常用的表示方法有 、 二、判断（10分）

1、半导体二极管只要加正向电压就能导通。（ ）

2、二极管代替换用时，硅材料关不能与锗材料管互换。（ ）