新宙邦半导体化学品

半导体制造中常用化学品

半导体制造过程中常用的酸

名称 氢氟酸 盐酸 硫酸

缓冲氧化层蚀刻（BOE） 氢氟酸和氟化铵溶液

磷酸 硝酸

符号 HF HCl H2SO4 HF/ NH4F H3PO4 HNO3

用途

刻蚀二氧化硅（SiO2）以及清洗石英器皿 湿法清洗化学品，2号标准清洗液的一部分，

用来去除硅中的重金属元素 “piranha”溶液（7份H2SO4和3份30%的双氧水）

用来清洗硅片

刻蚀二氧化硅薄膜（SiO2） 刻蚀氮化硅（Si3N4） 用HF和HNO3的混合溶液来 刻蚀磷硅酸盐玻璃（PSG）

半导体制造过程中常用的碱

名称 氢氧化钠 氢氧化铵 氢氧化钾 氢氧化四甲基铵

符号 NaOH NH4OH KOH TMAH

用途 湿法刻蚀 清洗剂 正性光刻胶显影剂 正性光刻胶显影剂

半导体制造过程中常用的溶剂

名称 去离子水 异丙醇 三氯乙烯 丙酮 二甲苯

符号 DI water IPA TCE Acetone Xylene

用途

广泛用于漂洗硅片和稀释清洗剂

通用的清洗剂

用于硅片和一般用途的清洗溶剂 通用的清洗剂（比IPA更强）

强的清洗剂，也可以用来去除硅片边缘光刻胶

半导体制造过程中常用的通用气体

性质

名称/符号 氮气/N2

半导体制造中常用化学品

半导体制造过程中常用的酸

名称 氢氟酸 盐酸 硫酸

缓冲氧化层蚀刻（BOE） 氢氟酸和氟化铵溶液

磷酸 硝酸

符号 HF HCl H2SO4 HF/ NH4F H3PO4 HNO3

用途

刻蚀二氧化硅（SiO2）以及清洗石英器皿 湿法清洗化学品，2号标准清洗液的一部分，

用来去除硅中的重金属元素 “piranha”溶液（7份H2SO4和3份30%的双氧水）

用来清洗硅片

刻蚀二氧化硅薄膜（SiO2） 刻蚀氮化硅（Si3N4） 用HF和HNO3的混合溶液来 刻蚀磷硅酸盐玻璃（PSG）

半导体制造过程中常用的碱

名称 氢氧化钠 氢氧化铵 氢氧化钾 氢氧化四甲基铵

符号 NaOH NH4OH KOH TMAH

用途 湿法刻蚀 清洗剂 正性光刻胶显影剂 正性光刻胶显影剂

半导体制造过程中常用的溶剂

名称 去离子水 异丙醇 三氯乙烯 丙酮 二甲苯

符号 DI water IPA TCE Acetone Xylene

用途

广泛用于漂洗硅片和稀释清洗剂

通用的清洗剂

用于硅片和一般用途的清洗溶剂 通用的清洗剂（比IPA更强）

强的清洗剂，也可以用来去除硅片边缘光刻胶

半导体制造过程中常用的通用气体

性质

名称/符号 氮气/N2

化学品操作规程SOP

一. 目的

使作业人员掌握化学品性质及安全（MSDS）、化学品设备CDM、阀门分流箱VMB、化学桶更换操作及应急反应措施，确保化学品房的正常工作及必要的安全保证，特制定本规程。

二. 适用范围

本规程适用于本厂化学品设备作业全过程。

三. 职责

1．运行巡检人员定时巡检抄表，并熟练掌握CDM控制屏及一些调压阀、流量

计的使用与操作，巡检时一旦发现异常，立即通知化学房相关负责人。

2．维护人员（或化学品相关负责人）不仅要掌握CDM、VMB的熟练操作（包括送液、换桶操作），还应对化学品的MSDS非常熟悉，发生化学品泄漏时做出相应的处理。

四. 操作

（一）供液操作

1. 首先确保供给工艺机台的液体是酸或碱，确保是满桶，确保抽风已开

（0.2KPa左右）；氮封压力满足：不大于0.1MPa；PRG压力：0.3MPa左右

（NaOH、KOH、H2SO4的PRG压力在0.4MPa左右）；VRG压力：0.5Mpa左右；

2. 穿戴合适的PPE：C级防化服、乳胶手套、防化靴、防毒面具（俗称“猪鼻子”）；准备相应的吸收棉；

3. 检查CDM内应打开手动阀是否已经打开（PMV、SMV、FIV、FOV），应打开的气

化学品操作规程SOP

一. 目的

使作业人员掌握化学品性质及安全（MSDS）、化学品设备CDM、阀门分流箱VMB、化学桶更换操作及应急反应措施，确保化学品房的正常工作及必要的安全保证，特制定本规程。

二. 适用范围

本规程适用于本厂化学品设备作业全过程。

三. 职责

1．运行巡检人员定时巡检抄表，并熟练掌握CDM控制屏及一些调压阀、流量

计的使用与操作，巡检时一旦发现异常，立即通知化学房相关负责人。

2．维护人员（或化学品相关负责人）不仅要掌握CDM、VMB的熟练操作（包括送液、换桶操作），还应对化学品的MSDS非常熟悉，发生化学品泄漏时做出相应的处理。

四. 操作

（一）供液操作

1. 首先确保供给工艺机台的液体是酸或碱，确保是满桶，确保抽风已开

（0.2KPa左右）；氮封压力满足：不大于0.1MPa；PRG压力：0.3MPa左右

（NaOH、KOH、H2SO4的PRG压力在0.4MPa左右）；VRG压力：0.5Mpa左右；

2. 穿戴合适的PPE：C级防化服、乳胶手套、防化靴、防毒面具（俗称“猪鼻子”）；准备相应的吸收棉；

3. 检查CDM内应打开手动阀是否已经打开（PMV、SMV、FIV、FOV），应打开的气

危险化学品安全 管理条例2011年12月1日实施

危险化学品法规的历程

1987年2月17日国务院发布的《化学危险物 品安全管理条例》(七章 四十二条) 2002年1月9日国务院第52次常务会议通过， 现予公布《危险化学品安全管理条例》 ,自200 2年3月15日起施行。(七章 七十四条) 《危险化学品安全管理条例》已经2011年2月16日 国务院第144次常务会议修订通过，现将修订后的 《危险化学品安全管理条例》公布，自2011年12月 1日起施行。 (八章 一百〇二条)

修订法规的突出问题

一是2003年、2008年国务院进行了两次机构改革， 有关部门在危险化学品安全管理方面的职责分工发 生了变化。 二是危险化学品安全管理中暴露出一些薄弱环节， 如使用危险化学品从事生产的企业发生事故较多， 可用于制造爆炸物品的危险化学品公共安全问题较 为突出等。 三是执法实践中反映出现行条例的一些制度不够完 善，如对有的违法行为的处罚机关规定不够明确， 对有的违法行为的处罚与行为的性质和危害程度不 完全适应等。

部门职责分工发生变化

在有关部门职责分工方面，修改后的条例主要有三 个方面的变化：一是把现行条例中提到的“经济贸 易综合管理部门”、“经济贸易管理

三聚磷酸钠Sodium Tripolyphosphate 氧化铁黄iron oxide yellow 氧化铁红iron oxide red

1,1,1-三氯乙烷1,1,1-TrichloroEthane 氯化铵Ammonium Chloride 苯酚PHENOL

甲氧苄氨嘧啶TRIMETHOPRIM 磷酸三钙tricalcium phosphate

酒石酸苯甲曲秦Phendimetrazine Tartrate 碳酸氢钠sodium bicarbonate 氯四环素盐酸Chlortetracycline HCl

三水合氨卡青霉素Ampicillin Trihydrate micronized 山梨糖醇Sorbitol Powder

一水葡萄糖Dextrose Monohydrate 碳化钙calcium carbide 柚皮甙Naringin

叶绿素铜钠盐sodium copper 苏打灰soda ash

酒石酸盐tartrate

鉻酸銨AMMONIUM CHROMATE 苦味酸PIC

危险化学品概念和分类原则

一、危险化学品的概念

化学品中具有易燃、易爆、毒害、腐蚀、放射性等危险特性，在生产、储存、运输、使用和废弃物处置等过程中容易造成人身伤亡、财产毁损、污染环境的均属危险化学品。

二、危险化学品的分类原则

险化学品目前常见并用途较广的约有数千种，其性质各不相同，每一种危险化学品往往具有多种危险性，但是在多种危险性中，必有一种主要的即对人类危害最大的危险性。因此在对危险化学品分类时，掌握“择重归类”的原则，即根据该化学品的主要危险性来进行分类。

危险化学品的分类

按我国目前已公布的法规、标准，有三个国标：GB6944-86《危险货物分类和品名编号》、GB12268-90《危险货物品名表》、GB13690-92《常用危险化学品分类及标志》、将危险化学品分为八大类，每一类又分为若干项。即

第一类：爆炸品，爆炸品指在外界作用下（如受热、摩擦、撞击等）能发生剧烈的化学反应，瞬间产生大量的气体和热量，使周围的压力急剧上升，发生爆炸，对周围环境、设备、人员造成破坏和伤害的物品。爆炸品在国家标准中分5项，其中有3项包含危险化学品，另外2项专指弹药等。 第1项：具有整体爆炸危险的物质和物品，如高氯

新《危险化学品安全管理条例》的理解

【修改背景】《危险化学品安全管理条例》是2002年3月15日起施行的。近年来，危险化学品安全管理中出现了一些新情况新问题：一是2003年、2008年国务院进行了两次机构改革，有关部门在危险化学品安全管理方面的职责分工发生了变化。二是危险化学品安全管理中暴露出一些薄弱环节，如使用危险化学品从事生产的企业发生事故较多，可用于制造爆炸物品的危险化学品公共安全问题较为突出等。三是执法实践中反映出现行条例的一些制度不够完善，如对有的违法行为的处罚机关规定不够明确，对有的违法行为的处罚与行为的性质和危害程度不完全适应等。这次对条例进行修改，就是为了适应这些新情况新问题，更加有效地加强对危险化学品的安全管理。

国务院第144次常务会议已经审议通过了新修订的《危险化学品安全管理条例》，这是继2002年修订之后的修订，由74条增加到101条，改动的地方比较多。现在从以下几个方面进行理解。

一、新旧条例不同点相比，新条例重要改动的有六处。 第一，危险化学品的定义，《条例》第三条规定：危险化学品是指具有毒害、腐蚀、爆炸、燃烧、助燃等性质，对人体、设施、环境具有危害的剧毒化学品和其他化学品。而新的危险化学品

目录将由安监总局会同国务院有关

新《危险化学品安全管理条例》的理解

【修改背景】《危险化学品安全管理条例》是2002年3月15日起施行的。近年来，危险化学品安全管理中出现了一些新情况新问题：一是2003年、2008年国务院进行了两次机构改革，有关部门在危险化学品安全管理方面的职责分工发生了变化。二是危险化学品安全管理中暴露出一些薄弱环节，如使用危险化学品从事生产的企业发生事故较多，可用于制造爆炸物品的危险化学品公共安全问题较为突出等。三是执法实践中反映出现行条例的一些制度不够完善，如对有的违法行为的处罚机关规定不够明确，对有的违法行为的处罚与行为的性质和危害程度不完全适应等。这次对条例进行修改，就是为了适应这些新情况新问题，更加有效地加强对危险化学品的安全管理。

国务院第144次常务会议已经审议通过了新修订的《危险化学品安全管理条例》，这是继2002年修订之后的修订，由74条增加到101条，改动的地方比较多。现在从以下几个方面进行理解。

一、新旧条例不同点相比，新条例重要改动的有六处。 第一，危险化学品的定义，《条例》第三条规定：危险化学品是指具有毒害、腐蚀、爆炸、燃烧、助燃等性质，对人体、设施、环境具有危害的剧毒化学品和其他化学品。而新的危险化学品

目录将由安监总局会同国务院有关

初试科目：半导体物理学

参考书：半导体物理学 顾祖毅 田立林 富力文 电子工业出版社 考试大纲：

第一章 半导体的晶格结构和缺陷 1 半导体的基本特性 2 常见半导体材料

3 主要半导体器件及其可选用的材料 4 常见半导体的结构类型 5 名词解释

化学键 共价键 离子键 分子键 金属键 晶格缺陷 间隙式杂质 代位式杂质 反晶格缺陷 层错 扩散系数 晶粒间界 第二章 半导体中的电子状态

1 在周期性势场中，电子薛定谔方程的解为布洛赫函数，即波函数：

?1(r)?uk(r)eik?r

uk(r)?uk(r?an)

布洛赫函数不是单色平面波。K为波矢，描述电子共有化运动。平面波因子e表明晶体中不再是局域化的，扩展到整个晶体之中，反映了电子的共有化运动。uk(r)反映了周期性势场对电子运动的影响，说明晶体中电子在原胞中不同位置上出现的几率不同。uk(r)的周期性说明晶体中不同原胞的各等价位置上出现的几率相同。

2 电子在周期场中运动的量子力学处理有几种近似的方法？试简述之。

（1）近自由电子近似 （2）紧束缚近似

3 由于共有化运动，晶体中电子可以看成是整个晶体共有的，因此孤立原子的能