焊接mos贴片教程

单元1从文本文件导入数据

使用文件：01导入文本文件.txt，将此文件导入到Excel工作表中。 操作说明

1.启动Excel后，执行“数据”菜单的“导入外部数据”→“导入数据”。出现选取数据源对话窗口。

2.双击想要打开的文件。

3.出现“文本导入向导”，按“下一步”按钮。

4.导入数据的分隔符号有“Tap键、分号、逗号、空格、其他”等格式可以勾选，选择适合数据来源的分栏符选项来建立分栏后，单击“下一步”按钮。

5.可以在此指定各列数据格式，结束后单击“完成”按钮。

6.出现“导入数据”窗口，选择数据要放置的单元格位置，单击“确定”按钮。

7.完成结果如下。

单元2从外部导入数据

使用文件：02技能检定.mdb（Access数据库文件），将此文件倒入到到Excel工作表中。 操作说明

1.启动Excel后，执行“数据”菜单的“导入外部数据”→“导入数据”。出现选取数据源对话窗口。

2.出现“选取数据源”对话窗口，点选“02技能检定.mdb”，并按“打开”按钮。

3.指定数据存放位置后单击“确定”按钮。 4.完成结果如下。

单元3导入及导出XML文件

使用文件：03学生资料.xml（可扩展标记语言） 操作说明

1.导入XML文件之前要先新增X

焊接符号培训教程

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抱米花

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表面安装元件（贴片元件）的手工拆焊与焊接技术

操作时一般电路板的地线要接地，电烙铁要接地线，仪器仪表要接地线，操作者要戴防静电腕带。拆焊与焊接时电路板要处理的一面向上放平，另一面与桌面最好有一定的距离以利于底面的散热，用专用电路板支架更好。热风枪的热气流一般情况下要垂直于电路板。如果处理的元件旁边或另一面有耐热差的元件，对于焊接在板上的，如振铃器、连接器、SIM卡座、涤纶电容和备用电池等，可以用薄金属片、胶带或纸条挡住热气流，还可以使热气流适度倾斜，对于键盘膜片、液晶显示器及塑料支架等可以直接取下的要取下。热风枪嘴与电路板的距离一般在1~2厘米。如果焊点焊锡太少要用烙铁往上带锡，不要将焊锡丝放到焊点上用烙铁加热的方法加锡，以免焊锡过多引起连锡。焊点表面要光亮圆滑，焊锡不要过多过少，一般保证焊锡表面不上凸略下凹即可（如图）。如果烙铁头氧化不挂锡要用专用的湿泡沫塑料或湿的餐巾纸擦净，不要用刀刮或用锉锉，也不要将烙铁头直接放进焊油盒接触焊油。焊接可以在显微镜或放大镜下进行，焊完后还要在显微镜或放大镜下检查有无虚焊和连锡，检查有焊片的焊点时可以在显微镜或放大镜下用针小心拨动确认有无虚焊。如果焊点无论是电路板上的还是元件上的表面已经腐蚀变黑，要用针或小

电子焊接工艺培训张维莉 2011.8.15

本次学习内容一、焊接基础知识 二、烙铁结构知识及烙铁使用方法 三、焊接工艺要求 四、焊接后的检验方法

概述随着电子元器件的封装更新换代加快，由原 来的直插式改为了平贴式，连接排线也由 FPC软板进行替代，电子发展已朝向小型化、 FPC软板进行替代，电子发展已朝向小型化、 微型化发展，手工焊接难度也随之增加， 微型化发展，手工焊接难度也随之增加， 在焊接当中稍有不慎就会损伤元器件，或 引起焊接不良，所以一线手工焊接人员必 引起焊接不良，所以一线手工焊接人员必 须对焊接原理，焊接过程，焊接方法，焊 接质量的评定，及电子基础有一定的了解。

一、焊接基本知识1、焊接的基本过程 焊接就是利用比被焊金属熔点低的焊料，与被焊 金属一同加热，在被焊金属不熔化的条件下，焊 料润湿金属表面，并在接触面形成合金层, 料润湿金属表面，并在接触面形成合金层,从而达 到牢固连接的过程。 一个焊点的形成要经过三个阶段的变化; 一个焊点的形成要经过三个阶段的变化; (1)润湿阶段 (2)扩散阶段 (3)焊点形成阶段 其中,润湿是最重要的阶段,没有润湿, 其中,润湿是最重要的阶段,没有润湿,焊接就无法进 行.

润湿：润湿过程是指已经 熔化了

自学者的摇篮

电烙铁焊接主板电容图文教学

电容对主板的影响是巨大的（多大就不说了，大家一定比我知道得还多，偶是菜鸟），那么高档电容（原著说的是高档日系电容）有什么好处呢，安装原著的说法有： 1.超频性增加

改装日系高级电容可以让主机板更加的稳定 因此超频的能力便会增加! CPU RAM AGP 都会提升 但是您需要有超频体质的组件! 全板使用日系高级电容的主机板 超频性会更加优异!

2.稳定性增加

日系高级电容除了对超频有帮助 更能让长时间使用的计算机稳定 对于拿来当 server 或者 24H不关机 或 执行极重要且吃重的程序 使用日系高级电容可以让主机在长时间使用下 不会因为电容发烫而当机 (劣质的台制电容在长时间使用下会发烫 当机因此而来!) 3.电压稳定

当改装成日系高级电容后 进入BIOS监测电压选项 或者使用一些监测软件 各位会发现未改装前的电压 跳动比较大 改装后的电压 跳动变的很小 也就是说 "电压变稳了!!"

4.视讯输出输入质量变好

这点可以说是最神奇的地方，除了改装显示卡电容会让画质变好之外当 AGP 与 PCI 附近的电容改装成日系高级电容时，视讯的质量居然也会提升!!不管是

1. 存储文件

FILES-----SAVE AS------

比如保存为C:\\Documents and Settings\\Administrator\\example.mud

2. 生成网格

先设置操作区域，直接生成一个大单元，然后细分。命令流如下： MESH GENERATION SET

U DOMAIN (X方向)

0 (在命令行按照提示输入，回车；下同) 0.1

U SPACING

0.001

V DOMAIN (Y方向) 0 0.04

V SPACING 0.001 RETURN

GRID (显示格子) FILL (充满屏幕)

ELEMS ADD

(用鼠标选取上述区域的四个角点，可利用ZOOM BOX放大选取，如下图)

(重复利用ZOOM BOX 和 FILL连续选取四个角点后，右键结束LIST，大单元已经生

试卷编号：8061 所属语言：计算机基础 试卷方案：excel 试卷总分：1410分 共有题型：1种

一、EXCEL操作 共141题 （共计1410分） 第1题 （10.0分）

--------------------------------------------------------------------- 请在打开的窗口中进行如下操作，操作完成后，请关闭Excel并保存工作簿。 --------------------------------------------------------------------- 在工作表Sheet1中完成如下操作：

1、利用公式计算校准分，校准分=（各课程得分×该课程的校准比例，然后求和）

2、计算平均分、总分。

3、插入一张工作表。将sheet1表中的A1：I28单元格区域复制到新插入的工作表中。

4、在sheet1表中以主关键字“总分”降序排序，总分相同以“英语成绩”降序排 序。

5、在sheet1表中利用自动序列在计算出名次。（1、2、3.。。。） 注：计算完毕后，调整列宽，使列标题完整显示。

6、在sheet1表中，将A29：M29单元格合并及居中，

MOS管驱动电路

首先，这都是由于疏忽造成的，一失足成千古恨。避免大家跟我犯同样的错误，所以就贴出来了！不能纯粹的将MOS管当做开关开哦。

我是学机械的，电路方面基础较差，可能分析不太正确，请见谅！

两幅图中，PWM为幅值为2.8V的方波信号，两幅图中，不同之处就是：负载的位置。一般MOS驱动电路采用图1，而我由于疏忽，再绘制电路原理图的时候就弄成了图2，那么负载的位置不同会带来什么样的影响呢？

图1中，PWM信号为高时（即VGS=2.8V），MOS管导通，MOS管D端同电源地导通，4.2V电压全部加载在负载上，这就是我们想要的。图2中，PWM信号为高时（MOS管G极电压为2.8V），MOS管部分导通，MOS管S极电压会比MOS管G极电压低0.6V左右（不同MOS管，有所不同，也就是MOS管最小导通电压），也就是说VS=2.2V左右，那么加载在负载两端的电压也就是2.2V左右了，这肯定不是我们想要的了。至于为什么，我觉得是：MOS管要导通必须满足条件VGS>最小导通电压（SI2302就是0.6V），而当VGS=0.6V左右时，只能部分导通，故MOS管D极和S极会有压降就很正常了。所以在设计MOS管驱动电路时，要多加小心，

GTM Electronics (Shanghai) Ltd.

MOS測試原理解析

By Antly_law

MOSFET-簡介?MOSFET定義及特點?MOSFET結構?MOSFET工作原理(NMOS)?MOSFET特性曲線(NMOS)?分立器件測試機

?MOSFET的直流參數及測試目的?MOSFET的交流參數?MOSFET Related

?廠內分析MOSFET異常方法?習題

DGSGTM_ENG 學習資料

2

MOSFET定義?MOSFET=Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor即金属-氧化层-半导体-场效晶体管.场效晶体管（field-effect transistor）。

?MOSFET是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的

?MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与

p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等

?

1.单极性器件(一种载流子导电)

?特點：

?2.输入电阻高(107 ?1015 ?，IGFET(絕緣柵型) 可高达1015?)?3.工艺简单、易集成、功耗小、体

MOS管驱动电路

首先，这都是由于疏忽造成的，一失足成千古恨。避免大家跟我犯同样的错误，所以就贴出来了！不能纯粹的将MOS管当做开关开哦。

我是学机械的，电路方面基础较差，可能分析不太正确，请见谅！

两幅图中，PWM为幅值为2.8V的方波信号，两幅图中，不同之处就是：负载的位置。一般MOS驱动电路采用图1，而我由于疏忽，再绘制电路原理图的时候就弄成了图2，那么负载的位置不同会带来什么样的影响呢？

图1中，PWM信号为高时（即VGS=2.8V），MOS管导通，MOS管D端同电源地导通，4.2V电压全部加载在负载上，这就是我们想要的。图2中，PWM信号为高时（MOS管G极电压为2.8V），MOS管部分导通，MOS管S极电压会比MOS管G极电压低0.6V左右（不同MOS管，有所不同，也就是MOS管最小导通电压），也就是说VS=2.2V左右，那么加载在负载两端的电压也就是2.2V左右了，这肯定不是我们想要的了。至于为什么，我觉得是：MOS管要导通必须满足条件VGS>最小导通电压（SI2302就是0.6V），而当VGS=0.6V左右时，只能部分导通，故MOS管D极和S极会有压降就很正常了。所以在设计MOS管驱动电路时，要多加小心，