半导体工艺流程

半导体制造工艺

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NPN高频小功率晶体管制造的工艺流程为：

外延片——编批——清洗——水汽氧化——一次光刻——检查——清洗——干氧氧化——硼注入——清洗——UDO淀积——清洗——硼再扩散——二次光刻——检查——单结测试——清洗——干氧氧化——磷注入——清洗——铝下CVD——清洗——发射区再扩散——三次光刻——检查——双结测试——清洗——铝蒸发——四次光刻——检查——氢气合金——正向测试——清洗——铝上CVD——检查——五次光刻——检查——氮气烘焙——检查——中测——中测检查——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查——综合检查——入中间库。

PNP小功率晶体管制造的工艺流程为：

外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查（tox）——一次光刻——QC检查——前处理——基区CSD涂覆——CSD预淀积——后处理——QC检查（R□）——前处理——基区氧化扩散——QC检查（tox、R□）——二次光刻——QC检查——单结测试——前处理——POCl3预淀积——后处理（P液）——QC检查——前处理——发射区氧化——QC检查（tox）——前处理——发射区再扩散（R□）——前处理——

半导体制造工艺

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NPN高频小功率晶体管制造的工艺流程为：

外延片——编批——清洗——水汽氧化——一次光刻——检查——清洗——干氧氧化——硼注入——清洗——UDO淀积——清洗——硼再扩散——二次光刻——检查——单结测试——清洗——干氧氧化——磷注入——清洗——铝下CVD——清洗——发射区再扩散——三次光刻——检查——双结测试——清洗——铝蒸发——四次光刻——检查——氢气合金——正向测试——清洗——铝上CVD——检查——五次光刻——检查——氮气烘焙——检查——中测——中测检查——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查——综合检查——入中间库。

PNP小功率晶体管制造的工艺流程为：

外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查（tox）——一次光刻——QC检查——前处理——基区CSD涂覆——CSD预淀积——后处理——QC检查（R□）——前处理——基区氧化扩散——QC检查（tox、R□）——二次光刻——QC检查——单结测试——前处理——POCl3预淀积——后处理（P液）——QC检查——前处理——发射区氧化——QC检查（tox）——前处理——发射区再扩散（R□）——前处理——

半导体制造工艺

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NPN高频小功率晶体管制造的工艺流程为：

外延片——编批——清洗——水汽氧化——一次光刻——检查——清洗——干氧氧化——硼注入——清洗——UDO淀积——清洗——硼再扩散——二次光刻——检查——单结测试——清洗——干氧氧化——磷注入——清洗——铝下CVD——清洗——发射区再扩散——三次光刻——检查——双结测试——清洗——铝蒸发——四次光刻——检查——氢气合金——正向测试——清洗——铝上CVD——检查——五次光刻——检查——氮气烘焙——检查——中测——中测检查——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查——综合检查——入中间库。

PNP小功率晶体管制造的工艺流程为：

外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查（tox）——一次光刻——QC检查——前处理——基区CSD涂覆——CSD预淀积——后处理——QC检查（R□）——前处理——基区氧化扩散——QC检查（tox、R□）——二次光刻——QC检查——单结测试——前处理——POCl3预淀积——后处理（P液）——QC检查——前处理——发射区氧化——QC检查（tox）——前处理——发射区再扩散（R□）——前处理——

硅片生产工艺流程及注意要点

简介

硅片的准备过程从硅单晶棒开始，到清洁的抛光片结束，以能够在绝好的环境中使用。期间，从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外，整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始，最终在10级净空房内完成。

工艺过程综述

硅片加工过程包括许多步骤。所有的步骤概括为三个主要种类：能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的性能；能减少不期望的表面损伤的数量；或能消除表面沾污和颗粒。硅片加工的主要的步骤如表1.1的典型流程所示。工艺步骤的顺序是很重要的，因为这些步骤的决定能使硅片受到尽可能少的损伤并且可以减少硅片的沾污。在以下的章节中，每一步骤都会得到详细介绍。

表1.1 硅片加工过程步骤

1. 切片 2. 激光标识 3. 倒角 4. 磨片 5. 腐蚀 6. 背损伤 7. 边缘镜面抛光 8. 预热清洗 9. 抵抗稳定——退火 10. 背封 11. 粘片 12. 抛光 13. 检查前清洗 14. 外观检查

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15. 金属清洗 16. 擦片 17. 激光检查 18. 包装/货运

切片（class 500k）

硅片加

第一章 概述

从20世纪后半叶开始电子技术的发展速度是令人膛目结舌的，许多传统由

机械技术支持的产品逐步改由电子技术来支持，例如数字CD播放机取代了磁带播放机，汽车发动机也由电子点火系统控制，电子计算机已深入到社会的各方面。所有这些电子产品都离不开半导体器件，目前微电子技术已进入甚大规模集成电路和系统集成时代，微电子技术已经成了整个信息时代的标志和基础。

1.1 半导体产业的发展

半导体制造技术很复杂,要求许多特殊工艺步骤、材料、设备以及供应产业。半导体产业发展的基础是真空管电子学、无线电通信、固体物理等理论。放大电子信号的三极真空管是由Lee De Forest于1906年发明的，三极管由三个部件构成，在一个抽空气体的玻璃容器中分别封入两个电极和一个栅极。为了使部件不被烧毁，同时还要保证电子能够在电极间传输，必须采用真空。 真空管被用于开发第一台电子计算机(ENIAC)，ENIAC重达50吨、占地3000平方英尺、需要19000只真空管，并且使用相当于160个灯塔的电量.ENIAC除了体积大之外，它的主要缺点是伴随着真空管出现的问题。真空管体积大、不可靠以及耗电量大。由于会烧毁，真空管寿命有限。为了迎合迅速发展的电子市场的需求来生

硅片生产工艺流程及注意要点

简介

硅片的准备过程从硅单晶棒开始，到清洁的抛光片结束，以能够在绝好的环境中使用。期间，从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外，整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始，最终在10级净空房内完成。

工艺过程综述

硅片加工过程包括许多步骤。所有的步骤概括为三个主要种类：能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的性能；能减少不期望的表面损伤的数量；或能消除表面沾污和颗粒。硅片加工的主要的步骤如表1.1的典型流程所示。工艺步骤的顺序是很重要的，因为这些步骤的决定能使硅片受到尽可能少的损伤并且可以减少硅片的沾污。在以下的章节中，每一步骤都会得到详细介绍。

表1.1 硅片加工过程步骤

1. 切片 2. 激光标识 3. 倒角 4. 磨片 5. 腐蚀 6. 背损伤 7. 边缘镜面抛光 8. 预热清洗 9. 抵抗稳定——退火 10. 背封 11. 粘片 12. 抛光 13. 检查前清洗 14. 外观检查

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15. 金属清洗 16. 擦片 17. 激光检查 18. 包装/货运

切片（class 500k）

硅片加

半导体制造工艺期中复习重点

第一章 绪论

1. 集成电路：通过一系列特定的平面制造工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电

容等无源元件，按照一定的的电路互连关系，“集成”在一块半导体单晶片上，并封装在一个保护壳内，能执行特定功能的复杂电子系统。（P1）

2. 半导体工艺实质：重复清洗、氧化、化学气相淀积、金属化、光刻、刻蚀、掺杂和平坦

化。（P1）

3. 集成电路电阻的结构：金属膜电阻、掺杂的多晶硅电阻、杂质扩散到衬底的特定区域电

阻。（P3）

4. 集成电路的电容结构：（平面型电容）金属膜电容、掺杂的多晶硅电容、杂质扩散到衬

底的特定区域电容。（P4）

5. 半导体集成电路制造：硅片（晶圆）的制备、掩膜版的制作、硅片的制造及元器件的封

装。（P11）图1-20

6. 集成电路发展趋势：a提高芯片性能b提高芯片的可靠性c降低芯片的成本（P13） 7. 特征尺寸:l构成芯片的物理尺寸特征，也是电路的几何尺寸。硅片上的最小特征尺寸被

称为关键尺寸活CD。（CD代表了制造商制造水平的高低和制造能力的大小。P14） 8. 集成电路和各种半导体制造材料：硅、锗、砷化镓等单晶体（P14）

9. 一个给定的电阻率，N型掺杂的浓度地低于P型的浓度，是因为移动的一个电

工艺流程

动力工段，隶属风机发电部，以满足高炉供风需求为主，现有供风系统5套，分别为公司的5个高炉供风（分别为新1#高炉、新2#高炉3#高炉、6#高炉和7#高炉）。工段运行岗位主要包括：锅炉、汽机、BPRT、新56、除盐水站（实验室）、水场。

其中化验室负责两台锅炉用水的生产，对炉水、凝结水的化验及水的化学处理。有水处理操作工和水质化验员岗位。

水场：水场是水循环系统中枢，为各部门供水提供需求。（主要为二轧、三轧、带钢提供+Nacl的软水）为需要冷却水的地方提供循环水（像新56、汽轮机等）。有操作工岗位。

图例：

水处理工艺流程方块图

工艺流程线路图

深井来水---进入原水箱---原水泵---机械过滤器---阳离子交换器---除碳器---进入中间水箱---中间水泵---阴离子交换器---混合离子交换器---进入除盐水箱---除盐水泵（加氨装置）---除氧器 再生处理线路图

酸（碱）运输罐车---卸酸（碱）泵---进入酸（碱）储罐---酸（碱）计量箱---酸（碱）喷射器---和水混合---阳（阴）离子交换器再生管道---阳（阴）离子交换器---经过树脂层---排出交换器

锅炉：动力工段的锅炉

半导体制造工艺实验

姓名：章叶满 班级：电子1001 学号：10214021

一、氧化 E3:25.1:1.

go athena

#TITLE: Oxide Profile Evolution Example

# Substrate mesh definition line y loc=0 spac=0.05 line y loc=0.6 spac=0.2 line y loc=1

line x loc=-1 spac=0.2 line x loc=-0.2 spac=0.05 line x loc=0 spac=0.05 line x loc=1 spac=0.2

init orient=100

# Anisotropic silicon etch

etch silicon left p1.x=-0.218 p1.y=0.3 p2.x=0 p2.y=0

# Pad oxide and nitride mask deposit oxide thick=0.02 div=1 deposit nitride thick=0.1 div=1 etch nitrid

芯片制造-半导体工艺教程

芯片制造-半导体工艺教程 Microchip Fabrication

----A Practical Guide to Semicondutor Processing

目录:

第一章:半导体工业[1] [2] [3]

第二章:半导体材料和工艺化学品[1] [2] [3]

第三章:晶圆制备[1] [2] [3]

第四章:芯片制造概述[1] [2] [3]

第五章:污染控制[1] [2] [3] [4] [5] [6]

第六章:工艺良品率[1] [2]

第七章:氧化

第八章:基本光刻工艺流程-从表面准备到曝光

第九章:基本光刻工艺流程-从曝光到最终检验

第十章:高级光刻工艺

第十一章:掺杂

第十二章:淀积

第十三章:金属淀积

第十四章:工艺和器件评估

第十五章:晶圆加工中的商务因素

第十六章:半导体器件和集成电路的形成

第十七章:集成电路的类型

第十八章:封装

附录:术语表

[4] [5] 1

芯片制造-半导体工艺教程

#1 第一章 半导体工业--1

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