集成电路报告总结

4#210宿舍 集体版总结

引言

第一只晶体管 ?第一只晶体管, AT&T Bell Lab, 1947 ?第一片单晶锗, 1952

?第一片单晶硅, 1954 (25mm，1英寸) ?第一只集成电路（IC）, TI, 1958 ?第一只IC商品, Fairchild, 1961

摩尔定律晶体管最小尺寸的极限 ?价格保持不变的情况下晶体管数每12月翻一番，1980s后下降为每18月翻一番；

?最小特征尺寸每3年减小70%

?价格每2年下降50%；

IC的极限

?硅原子直径: 2.35 ?；

?形成一个器件至少需要20个原子；

?估计晶体管最小尺寸极限大约为50 ?或0.005um，或5nm。

电子级多晶硅的纯度

一般要求含si>99.9999以上，提高纯度达到

99.9999999—99.999999999%（9-11个9）。其导电性介于10-4-1010

? /cm。电子级高纯多晶硅以9N以上为宜。

1980s以前半导体行业的模式

1980s以前：大多数半导体公司自己设计、制造和测试IC芯片，如 Intel，IBM

1990s以后半导体行业的模式

F&F模式，即Foundry(代工)+Fabless(无生产线芯片设计),

什么是Foundry

四．版图技巧Z 1．对敏感线的处理

对敏感线来说，至少要做到的是在它的走线过程中尽量没有其他走线和它交叉。因为走线上的信号必然会带来噪声，交错纠缠的走线会影响敏感线的信号。

对于要求比较高的敏感线，则需要做屏蔽。具体的方法是，在它的上下左右都连金属线，这些线接地。比如我用M3做敏感线，则上下用M2和M4重叠一层，左右用M3走，这些线均接地。等于把它像电缆一样包起来。

2．匹配问题的解决

电路中如果需要匹配，则要考虑对称性问题。比如1：8的匹配，则可以做成3×3的矩阵，“1”的放在正中间，“8”的放在四周。这样就是中心对称。如果是2：5的匹配，则可以安排成AABABAA的矩阵。

需要匹配和对称的电路器件，摆放方向必须一致。周围环境尽量一致。

3．噪声问题的处理

噪声问题处理的最常用方法是在器件周围加保护环。

Nmos管子做在衬底上 因此周围的guardring是Pdiff，在版图上是一层PPLUS,上面加一层DIFF，用CONTACT连M1。Pdiff接低电位。

Pmos管子做在NWELL里面 因此周围的GUARDING是Ndiff，在版图上先一层NPLUS，上面加一层DIFF，用CONTACT

各种集成电路的代换

集成电路代换

集成块代换

各种集成电路的代换

BA2165 BA328 BA3308 BA3910 BA4220 BA422O BA4260 BA4260 BA4558 BA536 BA5402 BA6124 BA6137 BA6209 BA6238 BA6654 BH3856FS BH3856S BR24C04F-E 2 SMD BT9151-3 BU2741 BU2744 BU3856S CA1190 CA1310 CA1458 CA3045 CA3046 CA3065 CA3068 CA3080 CA3086 CA3089 CA3189 CA324 CA324 CA339 CA4000 CA555 CA741 CA741

KA287,LB1433 LA3161 KA22241 BA3918 HA12413 HA12413,KA2242, KA42243 KA22247,LA1260 KA2247 RC4558,CA1458 BA5402 BA536 KA2284,AN6884, LB1403 KA2285,KB1423 I281P KA8305 DBL1016 BU3856FS BU3856 CAR24WC08JI UM915

集成电路实验报告

班级：

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指导老师：

实验一：反相器的设计及反相器环的分析

一、实验目的

1、学习及掌握cadence图形输入及仿真方法； 2、掌握基本反相器的原理与设计方法；

3、掌握反相器电压传输特性曲线VTC的测试方法；

4、分析电压传输特性曲线，确定五个关键电压 VOH 、 VOL 、 VIH 、 VIL 、 VTH 。 二、实验内容

本次实验主要是利用 cadence 软件来设计一基本反相器(inverter)，并利用 仿真工具 Analog Artist(Spectre)来测试反相器的电压传输特性曲线(VTC,

Voltage transfer characteristic curves)，并分析其五个关键电压:输出高电平 VOH 、输出低电平 VOL 、输入高电平 VIH 、输入低电平 VIL 、阈值电压 VTH 。 三、实验步骤

1.在cadence环境中绘制的反相器原理图如图所示。

2.在Analog Environment中，对反相器进行瞬态分析(tran)，仿真时间

鹏运发科技有限公司 收音机用集成电路

序号 产品型号 功能与用途 封装形式 境外同类产品

1 YD1000 DTS用AM/FM单片立体声收音机电路 TSSOP24 DTS是数字化影院系统

2 YD1191 AM/FM单片收音机电路 SOP28 CXA1191

3 YD1600 AM单片收音机电路 SIP9 LA1600

4 YD1619 AM/FM单片收音机电路 SOP28/SDIP30 CXA1619

5 YD1800 AM/FM单片收音机电路 SDIP22 LA1800

6 YD2003 AM/FM单片收音机电路 DIP16 TA2003

7 YD2111 AM/FM单片立体收音机电路 SDIP24/SSOP24 TA2111

8 YD2149 DTS用AM/FM单片立体声收音机电路 SDIP24/SSOP24 TA2149

9 YD7088 FM自动搜索单片收音机电路 SOP16 TDA7088T

10 YD72130 AM/FM频率锁相环 SDIP24 LC72130

11 YD72131 AM/FM频率锁相环 SDIP22 LC72131

12 YD7343 FM立体声解调电路 SIP9 TA7343

13 YD7640 AM/FM单片收音机电路 DIP16

集成电路不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用,同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。用集成电路来装配电子设备,其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍,设备的稳定工作时间也可大大提高。在当今信息化的社会中,集成电路已成为各行各业实现信息化、智能化的基础。无论是在军事还是民用上,它已起着不可替代的作用。

集成电路产业发展

The development of the integrated circuit industry

摘要：目前我国的集成电路产业取得了一定的成绩，产业化规模急剧扩大，技术水平和整体素质不断提高，当前正处于规模最大、时间持续最长的高速成长期，但是不管是与国内经济发展新形势的需要，还是与西方发达国家的先进技术比较，都还有一定差距。如何紧紧抓住国家提供的宝贵机遇，迎接各种风险和挑战，又好又快地推进集成电路产业向前发展，这些问题和困难都需要我们采取有效的对策，在今后的发展中加以解决。集成电路不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用，同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。用集成电路来装配电子设备，其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍，设备的稳定工作时间也可大大提高。在当

74HC/LS/HCT/F系列芯片的区别

1、 LS是低功耗肖特基，HC是高速COMS。LS的速度比HC略快。HCT输入输出与LS兼容，但是功耗低；F是高速肖特基电路； 2、 LS是TTL电平，HC是COMS电平。

3、 LS输入开路为高电平，HC输入不允许开路， hc 一般都要求有上下拉电阻来确定输入端无效时的电平。LS 却没有这个要求 4、 LS输出下拉强上拉弱，HC上拉下拉相同。

5、 工作电压不同，LS只能用5V，而HC一般为2V到6V；

6、电平不同。LS是TTL电平，其低电平和高电平分别为0.8和V2.4，而CMOS在工作电压为5V时分别为0.3V和3.6V，所以CMOS可以驱动TTL，但反过来是不行的

7、 驱动能力不同，LS一般高电平的驱动能力为5mA，低电平为20mA；而CMOS的高低电平均为5mA； 8、 CMOS器件抗静电能力差，易发生栓锁问题，所以CMOS的输入脚不能直接接电源。 74系列集成电路大致可分为6大类： . 74××（标准型）； .74LS××（低功耗肖特基）； .74S××（肖特基）；

.74ALS××（先进低功耗肖特基）； .74AS××（先进肖特基）； .74F××（高速）。

近年来还出现了高速CMO

常用集成电路功能简介

型号 功能简述

1710 视频信号处理集成电路 2274 延迟集成电路

型号 功能简述

型号 功能简述

IAP722 调频高放、混频集成电路 QBE 供电集成电路

IFC380HC 图像中频放大集成电路 QS7785 环绕声解码集成电路

QTT533 电源复位稳压集成电路 RC4558DQ 枕形校正集成电路

2800 红外遥控信号接收集成电路 IN065 二本振压控振荡集成电路 4094 移位寄存串入、并出集成电IN706 数字混响延时集成电路 路

4260 动态随机存储集成电路 4464 存储集成电路 4558 双运算放大集成电路 5101 天线开关集成电路 15105 充电控制集成电路 15551 管理卡升压集成电路 31085 射频电源集成电路

IR2112 半桥式变换驱动集成电路 RCA4053 电子开关切换集成电路 IR2E01 发光二极管五位显示驱动RCDRS52 红外遥控传感集成电路 集成电路 集成电路

IR3N06 调频中频放大集成电路 IR3R15 音频前置放大集成电路

REF05/10 基准电源稳压集成电路 RF9118E6 功率放大集成电路 RFF 射频输出集成电路

RFIC17 功率放大900MH

CMOS集成电路简述

摘 要：随着控制、通信、人机交互和网络互联等新型电子信息技术的不断发展，传统工业设备融合了大量最新的电子信息技术，它们一起构成了庞大而复杂的系统派生出大量新兴的电子信息技术电子应用需求。近年来，集成电路设计技术、集成电路制造技术等飞速发展，对现代科学与技术的发展起到了巨大的推动和促进作用。本文简述了集成电路理论，以及CMOS相关知识。

关键词：CMOS 集成电路 一、集成电路发展

自从1958年诺贝尔物理学奖获得者―美国德州仪器公司工程师 Jack Kilby发明世界上第一块集成电路以来，集成电路一直在改变人们的生活。作为电子信息产品的核心部件，集成电路通常被誉为现代电子信息产品的“芯”脏。近年间，伴随着民用家电、PC和手机等电子信息产品的大规模普及，集成电路产业得到了飞速发展。具体来说，全球集成电路产业结构经历了3次较为重大的变革。

1、首次变革：以加工制造为主导。变革初期，集成电路设计与制造产业只作为企业的附属部门而存在，

集成电路产品是为企业本身的电子系统产品而服务。此时，企业中对集成电路没有专业分工，企业所需掌握的集成电路技术十分全面，不但生产晶体管、集成电路，就连生产所需的设备都自

CMOS模拟集成电路设计及HSPICE使用

实验学时：4学时

实验一 CMOS工艺参数测量 一、实验目的：

学习和掌握EDA仿真软件Hspice；了解CMOS工艺技术及元器件模型，掌握MOSFET工作原理及其电压电流特征；通过仿真和计算，获得CMOS中NMOS和PMOS的工艺参数kp,kn, p, n,Vtp,Vtn，为后续实验作准备。

二、实验内容：

1） 通过Hspice仿真，观察NMOS和PMOS管子的I-V特性曲线；

2）对于给定长宽的MOSFET，通过Hspice仿真，测得几组栅-源电压、漏-源电压和漏-源电流数据，代入公式IDSn

1W

Kn()n(VGS Vtn)2(1 nVDS)，求得对应的工艺参数2L

kp,kn, p, n,Vtp,Vtn 。

三、实验结果：

本实验中所测试的NMOS管、PMOS管L=1u，W由学号确定。

先确定W。W等于学号的最后一位，若学号最后一位=0，则W=10u。所以，本实验中所测试的NMOS管、PMOS管的尺寸为：

（1） 测0.5um下NMOS和PMOS管的I-V特性曲线

所用工艺模型是 TSMC 0.50um。

所测得的Vgs=1V时，NMOS管Vds从0V到2.5V变化时的I-V特性曲线为：

所测得的Vds=1.2V