单晶硅太阳能电池生产工艺流程图
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晶体硅太阳能电池生产工艺流程图
晶体硅太阳能电池生产工艺流程图
电池片工艺流程说明:
(1)清洗、制绒:首先用化学碱(或酸)腐蚀硅片,以去除硅片表面机械损伤层,并进行硅片表面织构化,形成金字塔结构的绒面从而减少光反射。现在常用的硅片的厚度在 180μm 左右。去除硅片表面损伤层是太阳能电池制造的第一道常规工序。 (2)甩干:清洗后的硅片使用离心甩干机进行甩干。
(3)扩散、刻蚀:多数厂家都选用P型硅片来制作太阳能电池,一般用POCl3液态源作为扩散源。扩散设备可用横向石英管或链式扩散炉,进行磷扩散形成P-N结。扩散的最高温度可达到850-900℃。这种方法制出的PN结均匀性好,方块电阻的不均匀性小于10%,少子寿命大于10 微秒。扩散过程遵从如下反应式:
4POCl3+3O2(过量)→ 2P2O5+2Cl2(气)2P2O5+5Si → 5SiO2 + 4P 腐蚀磷硅玻璃和等离子刻蚀边缘电流通路,用化学方法除去扩散生成的副产物。SiO2 与HF生成可溶于水的SiF62-,从而使硅表面的磷硅玻璃(掺P2O5的SiO2) 溶解,化学反应为:
SiO2 +6HF → H2(SiF6)+2H2O
(4)减反射膜沉积:采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD: Plasm
单晶硅太阳能电池详细工艺
单晶硅太阳能电池
1. 基本 结构
2.太阳能电池片的化学清洗工艺
切片要求:①切割精度高、表面平行度高、翘曲度和厚度公差小。②断面完整性好,消除拉丝、刀痕和微裂纹。③提高成品率,缩小刀(钢丝)切缝,降低原材料损耗。④提高切割速度,实现自动化切割。 具体来说太阳能硅片表面沾污大致可分为三类:
1、有机杂质沾污: 可通过有机试剂的溶解作用,结合兆声波清洗技术来去除。
2、颗粒沾污:运用物理的方法可采机械擦洗或兆声波清洗技术来去除粒径 ≥ 0.4 μm颗粒,利用兆声波可去除 ≥ 0.2 μm颗粒。
3、金属离子沾污:该污染必须采用化学的方法才能将其清洗掉。硅片表面金属杂质沾污又可分为两大类: (1)、沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。 (2)、带正电的金属离子得到电子后面附着(尤如“电镀”)到硅片表面。
1、用 H2O2作强氧化剂,使“电镀”附着到硅表面的金属离子氧化成金属,溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。
2、用无害的小直径强正离子(如H+),一般用HCL作为H+的来源,替代吸附在硅片表面的金属离子,使其溶解于清洗液中,从而清除金属离子。 3、用大量去离子水进行超声波清洗,以排除溶液中
单晶硅太阳能电池表面PECVD淀积SiN减反射膜工艺研究 - 图文
南通大学毕业设计(论文)立题卡
课题名称 单晶硅太阳能电池表面PECVD淀积SiN减反射膜工艺研究 出题人 施 敏 近年来,太阳能等可再生能源发展迅速,一些国内光伏企业也跻身世界先进行列。其中晶体硅电池占有90%以上的市场。利用PECVD的方法在晶体硅太阳能电池的表课题表述面淀积氮化硅减反射薄膜可以明显提高电池的性能。本课题基于Roth&Rau的SiNA等(简述课题的背景、离子增强化学气相淀积薄膜设备,对淀积氮化硅薄膜的工艺条件进行重点研究。 目的、意主要内容: 1.了解单晶硅太阳能电池的原理; 义、主要内容、完成课2.了解PECVD的使用和工作原理; 题的条件、3. 研究PECVD淀积氮化硅薄膜的工艺条件。 成果形式完成课题条件:PECVD设备、多种气源、检测设备等。 等) 成果形式:工艺数据、毕业论文。 课题来源 科研 课题类别 毕业设计 适合电子科学与技术专业的学生。 该课题对学生的要求 该课题侧重半导体器件制造工艺,工作量及难易程度适中,符合专业培养目标和教研室意见 要求。 教研室主任签名:______________
单晶硅太阳电池工艺
单晶硅太阳电池工艺
P型单晶硅太阳电池 工艺
单晶硅太阳电池工艺
目录 Test wafers Texturing Cleaning before diffusion Diffusion Edge isolation and remove PSG PECVD Screen printing and firing SE solar cells introduce
joe
单晶硅太阳电池工艺
来料检验
现在有的电池生产公司会有这 道生产工序,因为优质硅片在市场上 常常处于“有价无市”的状态,缺货 严重,许多硅片制造商经常会用硅棒 的“头尾料”来以次充好,卖给下游 电池制造商,所以加上这道工序用来 检验硅片的质量。 此道工序主要检验硅片的厚度、 少子寿命、表面平整度、是否有微裂 纹、电阻率、表面油污等,同时具有 插片功能,可将硅片插入25片一盒的 晶片盒中。我所知的设备供应商是韩 国的fortix公司。这种设备插片速度不 是很快,所以平时也只是用来做抽查 检验,大部分硅片还是手工插入晶片 盒流入下一工序。3
joe
单晶硅太阳电池工艺
texturing 第二道工序是制 绒。为了提高单晶硅 太阳电池的光电转换 效率,工业生产中通 常采用碱
水泥生产工艺流程图
水泥生产工艺流程
水泥的生产工艺可以简述为两磨一烧,即原料要经过采掘、破碎、磨细和混匀制成生料,生料经1450℃的高温烧成熟料,熟料再经破碎,与石膏或其他混合材一起磨细成为水泥。
一、水泥生产的生料制备 1 破碎工艺
水泥生产过程中,很大一部分原料要进行破碎,如石灰石、黏土、铁矿石及煤等。
2生料的预均化工艺
原料预均化,实现原料的初步均化,。 3 生料的烘干工艺
烘干工艺是将生料通过烘干机加热干燥。
烘干设备有回转式和悬浮式烘干机、烘干塔等,回转式烘干机内温度约700℃,排放废气量约1300m3/t料。
4 生料的粉磨工艺 二、水泥生产的煅烧
目前大中型水泥厂多使用回转窑,小型水泥厂多使用立窑,我国还有50﹪以上的水泥仍使用立窑生产。
1 立窑煅烧
立窑工艺的设备是静止的竖窑,分为普通立窑和机械化立窑,属于半干法生产。
立窑的日产量已达250~300t/d。立窑又分普通立窑和机立窑,普通立窑采用间歇式生产,能耗热耗较高,产生的废气量约3900立米/吨熟料,粉尘浓度15g/m3。
2 新型干法旋窑煅烧
它是在旋窑煅烧增加预分解窑与悬浮预热工艺。生料在预热器以内悬浮状态或沸腾状态下与热气流进行热交换,又在分解炉中加入占总燃料用量50~60%的燃料,使生料在入窑前的碳
碳酸饮料生产工艺流程图
碳酸饮料生产工艺流程图
纯净水 白砂糖 调配 其它辅料 *精密过滤 定 容
二氧化碳净化 瓶和盖消毒 制 冷 混合机 *灌装封口 *灯检 喷码
标注*号的为关键控制点。 1、 定容:检测物料基本指标; 2、 冷却:低于10度 3、 备压:0.5Mpa(根据要求设定) 4、 灌装压力:0。4-0.5Mpa 5、 灌装温度:13±2℃; 6、 封口:14-18nM
7、 灯检:无肉眼可见杂质。 8、 还有两组过滤没有标注
包装入库
设备要求 1、 2、
配料罐:1T/要求有高速搅拌(剪切机最好),1个 双联过滤器:(要求配有不锈钢40目滤心,可以自行更换
滤布,3套) 3、 4、 5、 6、
成品罐;3T/(要求有普通搅拌),2个 冷冻机+板式换热器,6T/小时 缓冲缸:2T/,1个
混合机:6-7T/小时(一定要有富余生产能力,机器要有
预碳酸化)和二氧化碳净化设备。1套()
以上是的生产工艺流程,但是根据实际生产经验,一次将物料配好,不用到混合机中进行配比,因为在实际生产中,偶尔出现糖浆泵或者水泵出现故障或者自动控制系统出现误差非常容易出现质量事故,损失更大。所以我们要求一般是
乳制品生产工艺流程图
乳制品生产工艺流程图
乳制品生产工艺流程图
一、液体乳
1.巴氏杀菌乳
原料乳验收→净乳→冷藏→标准化→ 均质→巴氏杀菌→冷却→灌装→冷藏
2.灭菌乳
原料乳验收→净乳→冷藏→标准化→预热→ 均质→超高温瞬时灭菌(或杀菌)→冷却→无菌灌装(或保持灭菌)→成品储存
3.酸牛乳
凝固型: 原料乳验收→净乳→冷藏→标准化→ 均质→杀菌→冷却→接入发酵菌种→灌装→发酵→冷却→冷藏
搅拌型: 原料乳验收→净乳→冷藏→标准化→ 均质→杀菌→冷却→接入发酵菌种→发酵→添加辅料→冷却→灌装→冷藏
二、乳粉
1.全脂乳粉、脱脂乳粉、全脂加糖乳粉
全脂(全脂加糖)乳粉:原料乳验收→净乳→冷藏→标准化(全脂加糖乳粉)→冷藏→杀菌浓缩→喷雾干燥→筛粉晾粉或经过流化床→包装
脱脂乳粉:原料乳验收→净乳→标准化(分离脂肪)→(脱脂乳)冷藏→杀菌浓缩→喷雾干燥→筛粉晾粉或经过流化床→包装
2.调味乳粉
原料乳验收→净乳→杀菌→冷藏→标准化(添加营养强化剂等其他辅料)→均质→冷藏→杀菌浓缩→喷雾干燥→筛粉晾粉(或经过流化床)→包装
乳制品生产工艺流程图
三、其他乳制品
1.炼乳
原料乳验收→净乳→冷藏→标准化→预热杀菌→真空浓缩→冷却结晶→装罐→成品储存
2.奶油
原料乳→净乳→脂肪分离→稀奶油→杀菌→发酵→成熟→
LCD生产工艺流程图(精)
LCD
ITO Feeding First Cleaning Photoresist
Coating Pre Curing Photoresist
Inspection UV Exposal Exposal Inspection Developing Developing Inspection Post Curing Etching Stripping Final Cleaning PI Coating Pre Curing PI Inspection PI Curing Rubbing Com Dots Printing Seal Resin Printing Pre Curing Spacer Spray Glass Assembling Seal Curing Glass Scribed Stick Strip Insert Strip
LC Injection QC Inspection Levelling
End-sealing
Edge Milling Insert LCD
Edging 3rd Cleaing
Take out the LCD Visual Inspection
QC Rrandom Inspection
Functional In
丁辛醇生产工艺流程图
以三苯基磷铑催化剂生产丁辛醇生产工艺流程如图7—15所示。
图 丁辛醇生产工艺流程图
1-羰基合成反应器;2-雾沫分离器;3、5、10、12-气液分离器;4-稳定塔;6-压缩机;7-异构物分离塔;8-正丁醛塔;9-缩合反应器;11-加氢反应器;13-预蒸馏塔;14-精馏塔;15~21-冷
凝器;22、23-再沸器;24-冷却器;25-间歇精馏塔;26-蒸发器
净化后的合成气和丙烯与来自循环压缩机的循环气相混合,进入搅拌釜式反应器(1)。气体经反应器底部的分布器在反应液中分散成细小的气泡,并形成稳定的泡沫,与溶于反应液中三苯基磷铑催化剂充分混合,形成有利的传质条件而进行羰基化反应。反应在温度100~110℃和压力1.7~1.8MPa下进行。反应放出的热量,一部分由反应器内的冷却盘管移出,另一部分由气相物流(产物、副产物及未反应的丙烯和合成气等)以显热的形式带出。
在反应器内,液面高度的控制是很重要的,液面高度过高,会加大液体的夹带量而造成催化剂的损耗,液面太低又会减少反应物的实际停留时间,反应效果差。
由反应器出来的气流首先进入雾沫分离器(2),将夹带出来的极小液滴捕集下来返回反应器,气体进入冷凝器(15)。气相产物被冷凝,未冷
LCD生产工艺流程图(精)
LCD
ITO Feeding First Cleaning Photoresist
Coating Pre Curing Photoresist
Inspection UV Exposal Exposal Inspection Developing Developing Inspection Post Curing Etching Stripping Final Cleaning PI Coating Pre Curing PI Inspection PI Curing Rubbing Com Dots Printing Seal Resin Printing Pre Curing Spacer Spray Glass Assembling Seal Curing Glass Scribed Stick Strip Insert Strip
LC Injection QC Inspection Levelling
End-sealing
Edge Milling Insert LCD
Edging 3rd Cleaing
Take out the LCD Visual Inspection
QC Rrandom Inspection
Functional In