模拟电子技术基础第三版课后答案第六章
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模拟电子技术基础第三版课后习题答案
模拟电子技术基础第三版
一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C
三、UO1≈1.3V UO2=0 UO3≈-1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈-2V 四、UO1=6V UO2=5V
五、根据PCM=200mW可得:UCE=40V时IC=5mA,UCE=30V时IC≈6.67mA,UCE
=20V时IC=10mA,UCE=10V时IC=20mA,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。
六、1、
IB
IC
VBB UBE
26μA
Rb
IB 2.6mA
UCE VCC ICRC 2V
UO=UCE=2V。
2、临界饱和时UCES=UBE=0.7V,所以
IC
IB
VCC UCES
2.86mA
RcIC
28.6μA
Rb
VBB UBE
45.4k
IB
七、T1:恒流区;T2:夹断区;T3:可变电阻区。 1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 ui和uo的波形如图所
模拟电子技术基础第三版课后习题答案
模拟电子技术基础第三版
一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C
三、UO1≈1.3V UO2=0 UO3≈-1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈-2V 四、UO1=6V UO2=5V
五、根据PCM=200mW可得:UCE=40V时IC=5mA,UCE=30V时IC≈6.67mA,UCE
=20V时IC=10mA,UCE=10V时IC=20mA,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。
六、1、
IB
IC
VBB UBE
26μA
Rb
IB 2.6mA
UCE VCC ICRC 2V
UO=UCE=2V。
2、临界饱和时UCES=UBE=0.7V,所以
IC
IB
VCC UCES
2.86mA
RcIC
28.6μA
Rb
VBB UBE
45.4k
IB
七、T1:恒流区;T2:夹断区;T3:可变电阻区。 1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 ui和uo的波形如图所
《电路理论基础》(第三版 陈希有)习题答案第六章
答案6.22
解:对图(a)电路做戴维南等效,如图(b)所示。
U?+OCU?Zin-(b)
Zi?j?L?1/(j?C) (1) USOC?Ij?C (2) 由图(b)可知,当Zi?0时,电阻两端电压U与电阻R无关,始终等于
UOC(R?0)。
由式(1)解得
??1/LC?100rad/s
将式(3)代入式(2)得
U?UOC?10?0?A?1j100rad/s?0.01F?10??90?V
u?102cos(?t?90)V
答案6.23
解:先对图(a)电路ab端左侧电路作戴维南等效,如图(b)所示。I?RU?OCCZi(b)
令
XL??L?2000rad/s?2?10?3H?4? 得等效阻抗
Z??j4?i?8?//8?//j4??44??j4??2(1?j)?
由
i?UOC1Zi?R?j?C
知,欲使电流i有效值为最大,电容的量值须使回路阻抗虚部为零,即:
Im[Zi?R?11]?2??0 j?C?C等效后电路如图(b)所示。
解得
1C??250μF
模拟电子技术基础简明教程(第三版) 杨素行 课后答案
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。解:在20℃时的反向电流约为:2?3?10?A?1.25?A在80℃时的反向电流约为:23?10?A?80?A+
习题1-3某二极管的伏安特性如图(a)所示:①如在二极管两端通过1k?的电阻加上1.5V的电压,如图(b),此时二极管的电流I 和电压U各为多少?②如将图(b)中的1.5V电压改为3V,则二极管的电流和电I/mA压各为多少?3+ U -解:根据图解法求解①电源电压为1.5V时1.5?U?I21I1.5V1k?(b)I?0.8A,3?U?II?2.2A,U?0.7V②电源电压为3V时U?0.8V0 0.5 11.52U/V(a)可见,当二极管正向导通后,如电源电压增大,则二极管的电流随之增大,但管子两端的电压变化不大。
习题1-4已知在下图中,uI= 10sinωt (V),RL=1k?
模拟电子技术基础简明教程(第三版) 杨素行 课后答案
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。解:在20℃时的反向电流约为:2?3?10?A?1.25?A在80℃时的反向电流约为:23?10?A?80?A+
习题1-3某二极管的伏安特性如图(a)所示:①如在二极管两端通过1k?的电阻加上1.5V的电压,如图(b),此时二极管的电流I 和电压U各为多少?②如将图(b)中的1.5V电压改为3V,则二极管的电流和电I/mA压各为多少?3+ U -解:根据图解法求解①电源电压为1.5V时1.5?U?I21I1.5V1k?(b)I?0.8A,3?U?II?2.2A,U?0.7V②电源电压为3V时U?0.8V0 0.5 11.52U/V(a)可见,当二极管正向导通后,如电源电压增大,则二极管的电流随之增大,但管子两端的电压变化不大。
习题1-4已知在下图中,uI= 10sinωt (V),RL=1k?
模拟电子技术(模电课后习题含答案)(第三版)
模拟电子技术(模电课后习题含答案)(第三版)希望能对大家有帮助~ -------来自肇庆学院某学子一下午的心血!
第1章 常用半导体器件
1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小
(3)工作在放大区的某三极管,如果当IB 从12 uA 增大到22 uA 时,IC 从lmA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。
A.83 B.91 C.100
(4)当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将( A ) 。
A.增大; B.不变; C.减小 1.3电路如图P1.2 所示,已知ui压可忽略不计。
10sin t(V),试画出ui与uo的波形。设二极管导通电
图P1.2 解图P1.2
解:ui与uo的波形如解
电路模拟电子技术基础-查丽斌(第三版)随书课后答案1.0
电路模拟电子技术基础-查丽斌(第三版)随书课后答案
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模拟电子技术童诗白第三版答案
第一章常用半导体器件
自测题
一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 解:(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)× 二、选择正确答案填入空内。 解:(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压UD=0.7V。 解:UO1≈1.3V,UO2=0,UO3≈-1.3V,UO4≈2V,UO5≈1.3V, UO6≈-2V。
四、已知稳压管的稳压值UZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA。求图T1.4所示电路中UO1和UO2各为多少伏。
解:UO1=6V,UO2=5V。 五、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5所示,其集电极最大耗散功率PCM
=200mW,试画出它的过损耗区。
解:根据PCM=200mW可得:UCE=40V时IC=5mA,UCE=30V时IC≈6.67mA,UCE=20V时IC=10mA,UCE=10V时IC=20mA,将各点连接成曲线,即为临界过损耗线,如解图T1.5所示。临界过损耗线的左边为过损耗区。
解图T1.5
六、电路如图T1.6
所示,VCC=15V,β=100,UBE=0.7V。试问:
(1)Rb=50kΩ时,uO=?
概率论与统计(第三版)复旦大学版第六章课后习题答案
习题六
1.设总体X~N(60,152),从总体X中抽取一个容量为100的样本,求样本均值与总体均值
之差的绝对值大于3的概率. 【解】μ=60,σ2=152,n=100
Z?X??~N(0,1)
?/nX?60~N(0,1)
15/10即 Z?P(|X?60|?3)?P(|Z|?30/15)?1?P(|Z|?2)
?2[1??(2)]?2(1?0.9772)?0.0456.
2.从正态总体N(4.2,52)中抽取容量为n的样本,若要求其样本均值位于区间(2.2,6.2)内的概率不小于0.95,则样本容量n至少取多大? 【解】
Z?X?4~N(0,1) 5/n2.2?4.26.2?4.2n?Z?n)
55P(2.2?X?6.2)?P( ?2?(0.4n)?1?0.95,
则Φ(0.4n)=0.975,故0.4n>1.96, 即n>24.01,所以n至少应取25
3.设某厂生产的灯泡的使用寿命X~N(1000,σ2)(单位:小时),随机抽取一容量为9的样
本,并测得样本均值及样本方差.但是由
模拟电子技术习题册第二章至第六章答案
【2-1】 填空:
1.本征半导体是 ,其载流子是 和 。两种载流子的浓度 。
2.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 ,而少数载流子的浓度则与 有很大关系。
3.漂移电流是 在 作用下形成的。
4.二极管的最主要特征是 ,与此有关的两个主要参数是 和 。
5.稳压管是利用了二极管的 特征,而制造的特殊二极管。它工作在 。描述稳压管的主要参数有四种,它们分别是 、 、 、和 。 6.某稳压管具有正的电压温度系数,那么当温度升高时,稳压管的稳压值将 。
1. 完全纯净的半导体,自由电子,空穴,相等。 2. 杂质浓度,温度。
3. 少数载流子,(内)电