气相沉积炉

气相沉积技术研究现状及应用

任 强，吴玉萍

（河海大学，南京）

摘要:本文主要阐述了气相沉积技术的研究现状，介绍了化学气相沉积技术和物

理气相沉积技术，分析并展望了其未来的发展趋势。

关键词：材料表面工程；气相沉积；薄膜技术；

The Recent Research andApplication of Vapor

Deposition Technology

REN Qiang,Wu Yuping

(College of Mechanical and Eletronic Engineering ,Hohai University,

Nanjing,China)

Abstract:This article mainly expounds the research status quo of vapor deposition technology, introduces the chemical vapor deposition technology and physical vapor deposition technology, analyses and prospects its development trend of the future

不错的文章。

第３７卷第１２期应用化工Ｖ０１．３７Ｎｏ．１２２００８年１２月

Ａｐｐｈｅｄ

ＣｈｅｍｉｃａｌＩｎｄｕｓｔｒｙ

Ｄｅｃ．２００８

化学气相沉积法制备富勒烯结构

二硫化钼纳米粒子

王跃峰１，赵鹏１，曾一２，杨龙３，姚彩珍１，赵亚丽１

（１．长安大学材料科学与－１－程学院。陕西西安７１００５４；２．西安交通大学电子材料－ｑ器件研究所，陕西西安７１００４９；

３．西安建筑科技大学材料科学与工程学院，陕西西安７１００５５）

摘要：以ＭｏＯ，和ｓ粉为原料，高纯氩气为载气和反应气氛，在石英管反应器中，用化学气相沉积法制备富勒烯结

构ＭｏＳ２纳米粒子，用ＸＲＤ对产品的成分进行测量，ＳＥＭ观察产品的整体微观形貌。结果表明，在９００℃下，通氩

气１伽３／ｍｉｎ，保温８ｈ，制备了平均粒径在２５０ｎｍ左右的高纯富勒烯结构ＭｏＳ：纳米粒子。

关键词：富勒烯；二硫化钼；纳米粒子；摩擦中图分类号：ＴＢ

３０２．２

文献标识码：Ａ文章编号：１６７１—３２０６（２００８）１２—１４１３－０３

Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎｏｆｆｕｌｌｅｒｅｎｅ－ｌｉｋｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅ

Ｍｏｓ２ｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅｓｂｙＣＶＤ

ＷＡＮＧ

Ｙｕｅ－ｆｅｎ９１，ＺＨＡＯＰｅｎ９１，ＺＥＮＧＹｉ２，ＹＡＮＧＬｏｎ９３，Ｙ

不错的文章。

第３７卷第１２期应用化工Ｖ０１．３７Ｎｏ．１２２００８年１２月

Ａｐｐｈｅｄ

ＣｈｅｍｉｃａｌＩｎｄｕｓｔｒｙ

Ｄｅｃ．２００８

化学气相沉积法制备富勒烯结构

二硫化钼纳米粒子

王跃峰１，赵鹏１，曾一２，杨龙３，姚彩珍１，赵亚丽１

（１．长安大学材料科学与－１－程学院。陕西西安７１００５４；２．西安交通大学电子材料－ｑ器件研究所，陕西西安７１００４９；

３．西安建筑科技大学材料科学与工程学院，陕西西安７１００５５）

摘要：以ＭｏＯ，和ｓ粉为原料，高纯氩气为载气和反应气氛，在石英管反应器中，用化学气相沉积法制备富勒烯结

构ＭｏＳ２纳米粒子，用ＸＲＤ对产品的成分进行测量，ＳＥＭ观察产品的整体微观形貌。结果表明，在９００℃下，通氩

气１伽３／ｍｉｎ，保温８ｈ，制备了平均粒径在２５０ｎｍ左右的高纯富勒烯结构ＭｏＳ：纳米粒子。

关键词：富勒烯；二硫化钼；纳米粒子；摩擦中图分类号：ＴＢ

３０２．２

文献标识码：Ａ文章编号：１６７１—３２０６（２００８）１２—１４１３－０３

Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎｏｆｆｕｌｌｅｒｅｎｅ－ｌｉｋｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅ

Ｍｏｓ２ｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅｓｂｙＣＶＤ

ＷＡＮＧ

Ｙｕｅ－ｆｅｎ９１，ＺＨＡＯＰｅｎ９１，ＺＥＮＧＹｉ２，ＹＡＮＧＬｏｎ９３，Ｙ

原子层沉积（Atomic

layer deposition)是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处。 原子层沉积

但在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子。 单原子层沉积（atomic layer deposition，ALD），又称原子层沉积或原子层外延（atomic layer epitaxy） ，最初是由芬兰科学家提出并用于多晶荧光材料ZnS:Mn以及非晶Al2O3绝缘膜的研制，这些材料是用于平板显示器。由于这一工艺涉及复杂的表面化学过程和低的沉积速度，直至上世纪80年代中后期该技术并没有取得实质性的突破。但是到了20世纪90年代中期，人们对这一技术的兴趣在不断加强，这主要是由于微电子和深亚微米芯片技术的发展要求器件和材料的尺寸不断降低，而器件中的高宽比不断增加，这样所使用材料的厚度降低值几个纳米数量级

[5-6]。因此原子层沉积技术的优势就体现出来，如单原子层逐次沉积，沉积层极均匀的厚度和优异的一致性等就体现出来，而沉积速度慢的问题就不重要了。以下主要讨论原子层沉积原理和化学，原子层沉积与其他相关技术的比较，

第四章 化学气相沉积

第四章 化学气相沉积----4.1 概述 所谓外延生长，就是在一定条件下在单晶基片上生长一 层单晶薄膜的过程，所生长的单晶薄膜称为外延层。 20世纪60年代初在硅单晶薄膜研究基础上出现，已可实 现各种半导体薄膜一定条件的外延生长。 气相外延生长是最早应用于半导体领域的较成熟的外延 生长技术，促进了半导体材料和器件质量及性能提高。

目前，制备半导体单晶外延薄膜的最主要方法是化学气 相沉积(chemical vapor deposition,简称CVD)。

第四章 化学气相沉积----4.1 概述一、CVD原理及特点CVD(chemical vapor deposition)是利用汽态的先驱反应物， 通过原子分子间化学反应的途径生成固态薄膜的技术。 特点： 需要使用汽态的物质作为反应物质 源物质要经过化学汽相反应生成所需要的材料 需要相对较高的气体压力环境 通常需要热，电磁场或光等的作用，促使化学反应的进行。 热能：热CVD ,热丝CVD 光能：激光诱导CVD;紫外光诱导CVD 电磁场：等离子体增强CVD

第四章 化学气相沉积----4.1 概述一、CVD原理及特点 优点： 可准确控

化学气相沉积法新材料的制备

1 化学气相沉积法

化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，它是很简单的:两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。淀积氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子，它是由硅烷和氮反应形成的。

1.1 化学气相沉积法的原理

化学气相沉积法是利用气相反应，在高温、等离子或激光辅助灯条件下，控制反应器呀、气流速率、基板材料温度等因素，从而控制纳米微粒薄膜的成核生长过程；或者通过薄膜后处理，控制非晶薄膜的晶化过程，从而或得纳米结构的薄膜材料。

CVD方法可以制备各种物质的薄膜材料。通过反应气体的组合可以制备各种组成的薄膜，也可以制备具有完全新的结构和组成的薄膜材料，同时让高熔点物质可以在较低温度下制备。

1.2 分类

用化学气相沉积法可以制备各种薄膜材料，包括单元素物、化合物、氧化物、氮化物、碳化物等。采用各种反应形式，选择适当的制备条件—基板温度、气体组成、浓度和压强、可以得到具有各种性质的薄膜才来。

通过反应类型或者压力来分类，可以将化学气相沉积法分为：低压CVD(LP

化学气相沉积法新材料的制备

1 化学气相沉积法

化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，它是很简单的:两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。淀积氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子，它是由硅烷和氮反应形成的。

1.1 化学气相沉积法的原理

化学气相沉积法是利用气相反应，在高温、等离子或激光辅助灯条件下，控制反应器呀、气流速率、基板材料温度等因素，从而控制纳米微粒薄膜的成核生长过程；或者通过薄膜后处理，控制非晶薄膜的晶化过程，从而或得纳米结构的薄膜材料。

CVD方法可以制备各种物质的薄膜材料。通过反应气体的组合可以制备各种组成的薄膜，也可以制备具有完全新的结构和组成的薄膜材料，同时让高熔点物质可以在较低温度下制备。

1.2 分类

用化学气相沉积法可以制备各种薄膜材料，包括单元素物、化合物、氧化物、氮化物、碳化物等。采用各种反应形式，选择适当的制备条件—基板温度、气体组成、浓度和压强、可以得到具有各种性质的薄膜才来。

通过反应类型或者压力来分类，可以将化学气相沉积法分为：低压CVD(LP

化学气相沉积技术原理及应用前景

摘要：化学气相沉积技术(Chemical vapor deposition，简称CVD)是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。化学气相沉积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、沉积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。本论文简述了化学气相沉积（CVD）的发展历史，论述了化学气相沉积技术的基本原理及其特点和最新发展起来的具有广泛应用前景的几种 CVD 新技术, 同时分析展望了其应用发展前景。

关键字：化学气相沉积，CVD，热分解，MOCVD

一 化学气相沉积简介

化学气相沉积是利用气态或蒸气态的物质在气相或气固界面上反应生成固态沉积物的技术。化学气相沉积的英文词原意是化学蒸气沉积(Chemical Vapor Deposition,简称CVD)，因为很多反应物质在通常条件下是液态或固态，经过汽化成蒸气再参与反应的。

这一名称是在20世纪60年代初期由美国J. M. Blocher Jr.等人在《Vapor Deposition》一书中首先提出的。Blocher还由于他对CVD国际学术交流的积极推动被尊称为“Sir CVD\，在20世纪60年代前后对这一项技术还有另一名称，即蒸气镀Vapor Plating，而Va

一

沉积环境：沉积学研究的沉积物质沉积时的自然地理环境

沉积相：沉积环境以及在该环境中形成的沉积岩（物）的特征的综合

沉积模式：以相序递变规律为基础，在对一定环境中的现代沉积物的物理、化学、生物特征

综合研究的基础上对沉积相的发育、演变加以高度概括，归纳出的带有普遍意义的沉积相的空间组合形式。（包括沉积体的空间形态、岩性组合、沉积结构、生物特征、动力状况、构造背景等要素。）

——对特定沉积环境和某种沉积作用(沉积体系）的全面概括，称为沉积模式。

沉积序列：沉积相在时间上和空间上发展变化的有序性。

瓦尔特相律：“只有那些没有间断的，现在能看到的相互邻接的相和相区，才能重叠在一起”

相邻沉积相在纵向上的依次变化与横向上的依次变化是一致的。

层流：是一种缓慢流动的流体，流体的质点作有条不紊的平行的线状运动，彼此不相掺混。 紊流：是一种充满了漩涡的急湍流动的流体，流体质点的运动轨迹极不规则，其流速大小和

流动方向随时间变化而变化，彼此相互掺混。

雷诺数：Re=惯性力/粘滞力=ρvd/μ,表示惯性力与粘滞力之间关系的一个数值。（1左右，层

流型无背流尾迹，1~40，规则背流尾迹，>40，紊流不规则背流尾迹）

缓流：Fr<1,在明渠中水流中受到干扰微波后，若干扰微波既能顺水流方向朝下游传播，又

能逆水流方向朝上游传播

第五章 沉积相 第一节 东濮凹陷下第三系沉积相

东濮凹陷在构造上是渤海裂谷系的一部分(图5-1)。是早第三纪的裂谷盆地，盆地堆积的新生界地层厚度达到7000米，其中下第三系厚度达5000余米。盆地中段被高平集－习城集断层分割为南北两个部分，分成两套内容截然不同的沉积体系。北部凹陷主要为盐湖，其中发育五套盐膏层，而南部凹陷无盐膏沉积(表5-1)。

东濮盆地地层简表 表（5-1） 北 部 凹 陷 系 统 组 厚度（m） 岩 性 第四系 更新统 平原组 1250 明化镇组 上第三系 上新统 2700 杂色砂岩，砂质泥岩与泥岩。 馆陶组 灰白、灰绿色砂岩与红色泥岩互东营组 1231 层。 沙一灰色、褐灰色泥岩，砂岩、油页250-400 段 岩，薄层白云岩夹膏盐层。 上紫红、灰绿色泥岩、砂岩与含膏沙250-400 部 泥岩互层夹盐膏层 二下紫红、灰绿色砂、泥互层夹含膏段 350-400 部 泥岩。 沙 深灰色泥岩与灰色粉砂岩互层一 250-400 夹油页岩。 下第三系 河 深灰色、黑色泥岩、油页岩与粉 沙二 300-400