闩锁效应原理 简单解释

闩锁效应

什么是闩锁效应？ 闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的 n-p-n-p结构产生的，当其中一个三极管正偏时，就会构成正反馈形成闩锁。避免闩锁的方法就是要减小衬底和N阱的寄生电阻，使寄生的三极管不会处于正偏状态。  闩锁效应：静电释放损坏元器件的机理

静电是一种看不见的破坏力，会对电子元器件产生影响。 ESD 和相关的电压瞬变都会引起闩锁效应（latch-up）是半导体器件失效的主要原因之一。如果有一个强电场施加在器件结构中的氧化物薄膜上，则该氧化物薄膜就会因介质击穿而损坏。很细的金属化迹线会由于大电流而损坏，并会由于浪涌电流造成的过热而形成开路。这就是所谓的“闩锁效应”。在闩锁情况下，器件在电源与地之间形成短路，造成大电流、EOS（电过载）和器件损坏。   CMOS 器件因闩锁效应特别容易损坏，因为电感会在器件的寄生电容中累积。另外，氧化物材料中任何原子一级的缺陷都会降低氧化物层的介电强度，使器件很容易因静电电压而失效。 

 电子系统中常见的 ESD 问题是通信接口器件，如RS-232驱动器和接收

闩锁效应

什么是闩锁效应？ 闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的 n-p-n-p结构产生的，当其中一个三极管正偏时，就会构成正反馈形成闩锁。避免闩锁的方法就是要减小衬底和N阱的寄生电阻，使寄生的三极管不会处于正偏状态。  闩锁效应：静电释放损坏元器件的机理

静电是一种看不见的破坏力，会对电子元器件产生影响。 ESD 和相关的电压瞬变都会引起闩锁效应（latch-up）是半导体器件失效的主要原因之一。如果有一个强电场施加在器件结构中的氧化物薄膜上，则该氧化物薄膜就会因介质击穿而损坏。很细的金属化迹线会由于大电流而损坏，并会由于浪涌电流造成的过热而形成开路。这就是所谓的“闩锁效应”。在闩锁情况下，器件在电源与地之间形成短路，造成大电流、EOS（电过载）和器件损坏。   CMOS 器件因闩锁效应特别容易损坏，因为电感会在器件的寄生电容中累积。另外，氧化物材料中任何原子一级的缺陷都会降低氧化物层的介电强度，使器件很容易因静电电压而失效。 

 电子系统中常见的 ESD 问题是通信接口器件，如RS-232驱动器和接收

集成电路工艺与闩锁效应和ESD电路设计

《集成电路工艺、闩锁效应和ESD电路设计》第一章分两节，第一节内容主要介绍集成电路工艺制程技术的发展过程，集成电路工艺制造技术从最初的BJT工艺制造技术发展到CMOS工艺制造技术，并在CMOS工艺制造技术的基础上衍生出BiCMOS、BCD和HV-CMOS工艺制作技术以满足不同功能集成电路的要求。同时器件也从最初的BJT发展的MOSFET。第二节介绍先进工艺制程技术HKMG，以及FD-SOI和 FinFET器件结构。随着集成电路工艺制造技术不断发展，短沟道效应越来越严重，当氧化层的电性厚度接近1nm时，传统的SiON栅介质层不再是理想的绝缘体，栅极与衬底之间将会出现明显的量子隧穿效应，衬底的电子以量子的形式穿过栅介质层进入栅极，形成栅极漏电流，为了改善栅极漏电流，开发出高K介质材料的栅介质层，并用金属栅代替多晶硅栅，开发出HKMG工艺制程技术。当集成电路工艺制造技术的特征尺寸发展到22nm时，由于短沟道效应，平面结构的MOSFET会在器件关闭时，源漏之间依然出现严重的漏电问题，所以平面结构的MOSFET已经不能满足集成电路高性能的要求，在MOSFET的基础上开发出FD-SOI和3D结构的FinFET。

4、塞曼效应的偏振特性

（1）沿Z方向传播的电磁波（横波）的电场矢量必定在xy平面（横波特性），并可分解为：

?Ex?Acos?t ?E?Bcos(?t??)?y

当??0，电场矢量在某一方向做周期变化，为线偏振，又称平面偏振

当???2，A＝B时，合成的电场矢量的大小为常数，方向做周期性变化。矢量箭头绕圆周运动，此即圆偏振。

（2）定义右旋偏振和左旋偏振

定义：沿z轴逆光观察，电矢量顺时针转动，称为右旋（圆）偏振，反之称为左旋（圆）偏振。

圆偏振光具有角动量，且光的角动量方向与电矢量旋转方向成右手螺旋关系。

沿着Z方向对准光传播方向观察（逆着光传播方向）， 电矢量作顺时针转动，称为右旋偏振， 角动量方向与传播方向相反

光的传播方向Z向右 光的角动量方向L向左

沿着Z方向对准光传播方向观察（逆着光传播方向）， 电矢量作逆时针转动，称为左旋偏振， 角动量方向与传播方向相同

光的传播方向Z向右 光的角动量方向L向右

（3）塞曼效应

Δm?m2?m1?1 （以正常塞曼效应为例）

原子在磁场方向（Z方向）的角动量减少了1，原子和发出的光子作为一个整体，角动量必须守恒，因此，所发光子必定在磁场方向（Z方向）具有角动量。

//B，

场效应管

根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，

漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件

-------------------------------------------------------------- 1.概念:

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点:

具有输入电阻高（100000000～1000000000Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者. 作用:

场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器.

场效应管可以用作电子开关.

场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源.

2.场效应管的分类:

场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类

按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟

场效应管

根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，

漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件

-------------------------------------------------------------- 1.概念:

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点:

具有输入电阻高（100000000～1000000000Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者. 作用:

场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器.

场效应管可以用作电子开关.

场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源.

2.场效应管的分类:

场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类

按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟

【蝴蝶效应】【青蛙现象】【鳄鱼法则】 【鲇鱼效应】 【羊群效应】 【刺猬法则】 【手表定律】

【破窗理论】【二八定律】【木桶理论】 【马太效应】 【鸟笼逻辑】 【责任分散效应】【帕金森定律】

【晕轮效应】【霍桑效应】【习得性无助实验】【证人的记忆】【罗森塔尔效应】【虚假同感偏差】

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【蝴蝶效应】

蝴蝶效应:上个世纪70年代，美国一个名叫洛伦兹的气象学家在解释空气系统理论时说，亚马逊雨林一只蝴蝶翅膀偶尔振动，也许两周后就会引起美国得克萨斯州的一场龙卷风。

蝴蝶效应是说，初始条件十分微小的变化经过不断放大，对其未来状态会造成极其巨大的差别。有些小事可以糊涂，有些小事如经系统放大，则对一个组织、一个国家来说是很重要的，就不能糊涂。

今天的企业，其命运同样受“蝴蝶效应”的影响。消费者越来越相信感觉，所以品牌消费、购物环境、服务态度??这些无形的价值都会成为他们选择的因素。所以只要稍加

原理效应24则

1．“金鱼缸”法则。金鱼缸是玻璃做的，透明度很高，不论从哪个角度观察，里面的情况都一清二楚。谈谈你对“金鱼缸”法则的理解和运用。

【概念】“金鱼缸法则”由日本株式会社社长北田光男先生始创，是现代管理的一项基本原则和先进模式。北田光男先生强调，把增强透明度的重点放在各级经营管理者的经济收入上，要求企业各级领导者的经济收入和费用报销要如实地向企业利益相关者公开，接受企业利益相关者的批评建议，并根据员工们的意见，对经营管理进行改进。

【破题】“金鱼缸法则”的寓意就是实行公开透明的民主管理。

【角度】

①“金鱼缸法则”运用到企业中。就是要求企业领导增加企业各项工作的透明度，让其行为置于全体下属的监督之下，从而有效防止企业领导享受特权、滥用权力，进一步强化企业领导的自我约束机制。

②“金鱼缸法则”运用到政务中。就是要求政府将正在筹划或准备实施的诸如城市建设、道路规划、价格调整、医疗措施、事务处理等各项工作的内容及进程予以公开，任何公民都可以通过如决策听证会、政务公开栏、政务公

开网络等特定途径进行了解、查询、监督，以此促进政府决策的民主化、科学化、规范化。

③“金鱼缸效应”运用到管理中。就是要求管理者必须增加规章制度和各项工作的透明度，从

部门 编号 版别 制定 审核 核准 页次 日期 微镶：是在显微镜下用特殊的工具对小钻进行镶嵌的一种方法，分钉镶微镶，虎爪微镶，企片加爪等等。优点是：见石不见金，让钻石的火彩达到最大程度的发挥。 虎爪镶：爪的形状像三角及方形且镶口底部呈ｕ字型，因为他是用四个爪镶爪小钻石，对于镶嵌小石来说是一种比较牢固的镶法。 爪镶：纤细的四爪或六爪托起主石，让大量光线从各方向进入，使它看来更大更闪烁。而且爪镶适用于不同大小的钻石，即使硕大的主石亦能稳当固定。爪镶分为好多种，有三个爪的、四个爪的、六个爪的等。并分为三角形爪口、方形、心形、圆形、椭圆形、长方形、箭头形、梯形、棱形、双三角形、水滴形、半圆形等多种爪口。 包镶：是用金属边把钻石的腰部以下封在金属托（架）之内，用贵金属的坚固性防止钻石脱落。这是一种比较牢固和传统的镶嵌方式，它充分展现了钻石的亮光，光彩内敛，有平和端庄的气质。选购包镶钻石时要仔细观察，钻石底尖不能露出托架，负责会损伤皮肤或撞伤钻石。如果背部封底镶口，中央会有一小孔用以调整钻石面位置。包边与钻石之间应当严密没有空隙，均匀流畅，光滑平整。

1

无边镶：所有石边上都有一条小坑，

洛伦兹速度变换及前灯效应与光行差效

应的解释

摘要

所有的物理定律都应该是这样的定律，它们在洛伦兹变换下保持不变。 和速度，即两个速度之“和”，并不恰巧是两个速度的代数和，而是为(1+uv/c2)所“校正”了的。

关键词

洛伦兹变换 和速度 前灯效应 光行差效应

狭义相对论的简要背景

十九世纪末，以麦克斯韦方程组为核心的电磁理论的正确性已经被大量的实验所证实，但麦克斯韦方程组在经典力学的伽利略变换下却不具有协变性。最初，人们的想法是认为这个麻烦的根源必定在于当时只有20年之久的新的麦克斯韦电动力学方程组。所以人们试图改变方程，使之能在伽利略变换下得到满足。在这种尝试中，必须在方程组中加入新的项，而这些项又预言了新的电现象，但一旦用实验来验证它们时，这些现象又根本不存在。因而人们明白麦克斯韦电动力学方程组是正确的。

在这期间，洛伦兹注意到一件令人注目的奇怪的事，那就是当他在麦克斯韦方程组中进行以下代换时

x=

′

x?ut 1?u2 c2y′=y

z′=z t′=

t?ux c2 1?u2 c2 发现这些方程组在这种变换下保持形式不变！这就是洛伦兹变换。爱因斯坦效仿原来由庞加莱提出的设想，做出了这样的假设：所有的物理定律都应该是这样的定律，它们