赛微微电子

五哥祝你考试成功！

微电子复习

-晶体管的发明：

1947年12月23日，Bell实验室发明，由肖克莱、巴丁和布拉顿发明。 1950年，肖克莱、帕克斯、迪尔发明NPN。

肖克莱、巴丁和布拉顿于1956年获得诺贝尔物理学奖。

-集成电路：

1952年5月，英国皇家研究所的达默提出集成电路的设想。 1958年，德州仪器的基尔比制出第一块集成电路。

按结构形式分为：单片集成电路、混合集成电路。

-摩尔定律：

书：集成电路的集成度每3年增长4倍，特征尺寸每3年缩小√2倍。

Wiki：（集成电路（IC）上可容纳的晶体管数目，约每隔24个月（1975年摩尔将

24个月更改为18个月）便会增加一倍，性能也将提升一倍，当价格不变时；或者说，每一美元所能买到的电脑性能，将每隔18个月翻两倍以上。这一定律揭示了信息技术进步的速度。）

瓶颈主要由封装技术来突破。（3V、TSV技术等为重点）

-单质半导体：

有硅和锗，锗是一开始使用的。

-PN结的击穿分为：

雪崩击穿和隧道击穿（齐纳击穿）。

雪崩击穿：增强的反向偏压使得大能量的电子空穴将满带电子激发到导带，而形成电隧道击穿：偏压足够高时，能带的弯曲使得一部分价带电子在能量上达到甚至超

篇一：微电子国内排名

微电子主要有两个大方向:设计和工艺,尤其设计很缺人.

工艺应该是清华第一,北大第二.

在设计方向的排名如下:

1.复旦大学微电子系:复旦是个传统的偏文的学校,工科大多数很烂,但却出了复旦大学微电子这个怪胎.全国五大集成电路公司的老总,三个是复旦的.拥有全国最好的实验设备,最优秀的师资.其实,就学术上看,复旦微电子未必是最有成就的,但就经济成就、学以至用,复旦确是最成功的.系主任闵昊同时兼任华虹的总经理，个人资产约6亿人民币。复旦微电子历史上出过7个个人资产在1亿人民币以上的教师。你看看微电子考研的专业课科目:模拟电路、数字逻辑、模拟CMOS集成电路设计、数字集成电路、专用集成电路,很多都是别的学校研究生才上的课程.据我所知，在集成电路设计企业，刚毕业硕士的起薪，一般复旦就要比华中科技大学、浙江大学、东南大学、成电、西电高百分之五十，当然是平均水平，个体的特殊情况例外。

2.清华微电子.

3.北大微电子.

4.微电子.

5.华中科技大学

6.浙江大学

7.东南大学(指的是东南系的射光所,而东南电子工程系的微电子很烂)

8.成电

9.西电

在这九所学校中，复旦、清华应该属于第一档次；北大属于第二档次；上海交通大学属于第三档次；华中科技大学、浙江大学、

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CRYSTAL GROWTH AND EXPITAXY

1．画出一50cm 长的单晶硅锭距离籽晶10cm 、20cm 、30cm 、40cm 、45cm 时砷的掺杂分布。（单晶硅锭从融体中拉出时，初始的掺杂浓度为1017cm -3）

2．硅的晶格常数为5.43?．假设为一硬球模型：

(a)计算硅原子的半径。

(b)确定硅原子的浓度为多少(单位为cm -3)?

(c)利用阿伏伽德罗(Avogadro)常数求出硅的密度。

3．假设有一l0kg 的纯硅融体，当硼掺杂的单晶硅锭生长到一半时，希望得到0.01 Ω·cm 的电阻率，则需要加总量是多少的硼去掺杂?

4．一直径200mm 、厚1mm 的硅晶片，含有5.41mg 的硼均匀分布在替代位置上，求： (a)硼的浓度为多少?

(b)硼原子间的平均距离。

5．用于柴可拉斯

电子科学与工程学院2014年硕士生复试录取工作细则

根据“东南大学2014年硕士研究生复试录取工作办法”，结合具体情况，特制定本院（ 系）2014年硕士研究生复试录取工作细则。

一、院系专业复试线

专 业 政治 外语 专业一 专业二 总分 光学工程 50 50 80 80 330 物理电子学 50 50 80 80 330 电路与系统 50 50 80 80 330 微电子学与固体电子学 50 50 80 80 330 （含中法雷恩1+1班12人）

备注：总分超过专业分数线20分以上，单科(限一门)可降2分。

*中法研究生雷恩1+1班：采用中法联合授课（其中法国雷恩大学教师来东南大学完成6门课

程英文讲授），两年半内必须修完35个学分、完成学位论文答辩等必修环节

《半导体材料》教学大纲

课程编号：MI3321036

课程名称：半导体材料 英文名称： Semiconductor Materials 学时：30 学分：2

课程类型：任选 课程性质：专业课

适用专业：微电子学 先修课程：固体物理 、半导体物理 集成电路设计与集成系统

开课学期：5 开课院系：微电子学院

一、课程的教学目标与任务

目标：半导体材料是半导体科学发展的基础。通过本课程的学习，掌握半导体材料的相关知识，为后续的相关专业课程打好基础。

任务：本课程的任务是使学生获得半导体晶体生长方面的基础理论知识，初步掌握单晶材料生长、制备方法以及常用的锗、硅、化合物半导体材料的基本性质等相关知识，

二、本课程与其它课程的联系和分工

本课程的先修课程是“固体物理”和“半导体物理”等

CRYSTAL GROWTH AND EXPITAXY

1．画出一50cm长的单晶硅锭距离籽晶10cm、20cm、30cm、40cm、45cm时砷的掺杂分布。（单晶硅锭从融体中拉出时，初始的掺杂浓度为1017cm-3） 2．硅的晶格常数为5.43?．假设为一硬球模型： (a)计算硅原子的半径。

(b)确定硅原子的浓度为多少(单位为cm-3)?

(c)利用阿伏伽德罗(Avogadro)常数求出硅的密度。

3．假设有一l0kg的纯硅融体，当硼掺杂的单晶硅锭生长到一半时，希望得到0.01 Ω·cm的电阻率，则需要加总量是多少的硼去掺杂?

4．一直径200mm、厚1mm的硅晶片，含有5.41mg的硼均匀分布在替代位置上，求： (a)硼的浓度为多少?

(b)硼原子间的平均距离。

5．用于柴可拉斯基法的籽晶，通常先拉成一小直径(5.5mm)的狭窄颈以作为无位错生长的开始。如果硅的临界屈服强度为2×106g/cm2，试计算此籽晶可以支撑的200mm直径单晶硅锭的最大长度。

6．在利用柴可拉斯基法所生长的晶体中掺入硼原子，为何在尾端的硼原子浓度会比籽晶端的浓度高?

7．为何晶片中心的杂质浓度会比晶片周围的大?

8．对

一、填空题

1.PN结中P区和N区的掺杂浓度分别为NA和ND,本征载流子浓度为ni，

kTNANDln则PN结内建电势Vbi的表达式Vbi?。 2qni2.对于单边突变结P?N结，耗尽区主要分布在N区，该区浓度越低，则耗尽区宽度值越大，内建电场的最大值越小；随着正向偏压的增加，耗尽区宽度值降低，耗尽区内的电场降低，扩散电流提高；为了提高

P?N结二极管的雪崩击穿电压，应降低N区的浓度，这将提高反向饱

和电流IS。

解析：?|E|xn?smaxqNDxp?xd??s|Emax|qNA?s|Emax|?s|Emax|qNDxn?qNA??s?111?)|Emax|?s|Emax|qNDNAqN0(?s11Vbi???Edx?(xn?xp)|Emax|?|Emax|2?xp22qN0|Emax|?(2qN0Vbi)?[122kTNANDln(?sNAND)12ni]2?s(NA?ND)

对于单边突变结，可通过适当降低轻掺杂一侧的掺杂浓度，使势垒区拉宽来提高雪崩击穿电压。反向饱和电流IS?(qDpLpDpqDnDn2pn?np)?qni(?)LnLpNDLnNA3.在设计和制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当增加发射区和基区的掺杂浓度的比值解析：

复试题-微电子-西电．

微电子概论面试

1.什么是N型半导体？什么是P型半导体？如何获得？

答：①依靠导带电子导电的半导体叫N型半导体，主要通过掺诸如P、

Sb等施主杂质获得；②依靠价带空穴导电的半导体叫P型半导体，主要通过掺诸如B、In等受主杂质获得；③掺杂方式主要有扩散和离子注入两种；经杂质补偿半导体的导电类型取决于其掺杂浓度高者。

2.简述晶体管的直流工作原理。

答：根据晶体管的两个PN结的偏置情况晶体管可工作在正向放大、饱和、截止和反向放大模式。实际运用中主要是正向放大模式，此时发射结正偏，集电结反偏，以NPN晶体管为例说明载流子运动过程；

①射区向基区注入电子；正偏的发射结上以多子扩散为主，发射区向基区注入电子，基区向发射区注入空穴，电子流远大于空穴流；

②基区中自由电子边扩散边复合。电子注入基区后成为非平衡少子，故存在载流子复合，但因基区很薄且不是重掺杂，所以大部分电子能

到达集电结边缘；

③集电区收集自由电子：由于集电结反偏，从而将基区扩散来的电

子扫入集电区形成电子电流，另外还存在反向饱和电流，主要由集电区空穴组成，但很小，可以忽略。

3.简述MOS场效应管的工作特性。

答：以N沟增强型MOS为例，把 MOS管的源漏和衬底接地，在栅极

上加一足够高的正电

微

电子技术的发展

摘要：微电子技术是科技发展到一定阶段的时代产物，是对当今社会经济最具

影响力的高新技术之一。本文主要对微电子技术的概念、发展及其在社会各大产业中的应用进行了浅析的探讨。

【关键词】微电子技术发展应用

微电子技术的核心技术是半导体集成电路，微电子技术的发展及应用影响我们生产生活的方方面面。对促使经济发展，人类的进步有着巨大的影响力。随着社会经济的发展，为了达到社会经济的发展对微电子技术的需求， 实现社会经济在技术支持下快捷稳定发展，我们必须要不断地对微电子技术进行优化和改进，积极地探索更深层次的微电子技术知识， 使微电子技术更好地服务于社会经济发展。相信微电子技术不仅是在当今，乃至未来社会发展中微电子技术必将是促使社会发展进步的主导产业。

1微电子技术的概念

微电子技术是信息化时代最具代表性的高新技术之一，它的核心技术半导体集成电路技，术由电路设计、工艺技术、检测技术、材料配置以及物理组装等购置技术体系。微电子技术基于自身集成化程度高，反应敏捷、占用空间较小等优势特点目前在有关涉及电子产业中得以广泛的应用。

2 微电子技术的发展现状 2.1国外微电子的发展

自1965年发明第一块集成电路以来，特别是过去的十年中，全球微电子

第二单元习题解答

1. SiO2膜网络结构特点是什么？氧和杂质在SiO2网络结构中的作用和用途是什么？对SiO2膜性能有哪些影响？

二氧化硅的基本结构单元为Si-O四面体网络状结构，四面体中心为硅原子，四个顶角上为氧原子。对SiO2网络在结构上具备“长程无序、短程有序”的一类固态无定形体或玻璃体。半导体工艺中形成和利用的都是这种无定形的玻璃态SiO2。

氧在SiO2网络中起桥联氧原子或非桥联氧原子作用，桥联氧原子的数目越多，网络结合越紧密，反之则越疏松。在连接两个Si-O四面体之间的氧原子

掺入SiO2中的杂质，按它们在SiO2网络中所处的位置来说，基本上可以有两类：替代（位）式杂质或间隙式杂质。取代Si-O四面体中Si原子位置的杂质为替代（位）式杂质。这类杂质主要是ⅢA，ⅤA元素，如B、P等，这类杂质的特点是离子半径与Si原子的半径相接近或更小，在网络结构中能替代或占据Si原子位置，亦称为网络形成杂质。

由于它们的价电子数往往和硅不同，所以当其取代硅原子位置后，会使网络的结构和性质发生变化。如杂质磷进入二氧化硅构成的薄膜称为磷硅玻璃，记为PSG；杂质硼进入二氧化硅构成的薄膜称为硼硅玻璃，记为BSG。当它们替代硅原子的位置后，其配位数将发生改