微电子器件第四版课后答案

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微电子器件期末试题

标签:文库时间:2024-10-04
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一、填空题

1.PN结中P区和N区的掺杂浓度分别为NA和ND,本征载流子浓度为ni,

kTNANDln则PN结内建电势Vbi的表达式Vbi?。 2qni2.对于单边突变结P?N结,耗尽区主要分布在N区,该区浓度越低,则耗尽区宽度值越大,内建电场的最大值越小;随着正向偏压的增加,耗尽区宽度值降低,耗尽区内的电场降低,扩散电流提高;为了提高

P?N结二极管的雪崩击穿电压,应降低N区的浓度,这将提高反向饱

和电流IS。

解析:?|E|xn?smaxqNDxp?xd??s|Emax|qNA?s|Emax|?s|Emax|qNDxn?qNA??s?111?)|Emax|?s|Emax|qNDNAqN0(?s11Vbi???Edx?(xn?xp)|Emax|?|Emax|2?xp22qN0|Emax|?(2qN0Vbi)?[122kTNANDln(?sNAND)12ni]2?s(NA?ND)

对于单边突变结,可通过适当降低轻掺杂一侧的掺杂浓度,使势垒区拉宽来提高雪崩击穿电压。反向饱和电流IS?(qDpLpDpqDnDn2pn?np)?qni(?)LnLpNDLnNA3.在设计和制造晶体管时,为提高晶体管的电流放大系数,应当增加发射区和基区的掺杂浓度的比值解析:

《电力电子技术》第四版课后习题答案

标签:文库时间:2024-10-04
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第一章 电力电子器件

1.3 图1-43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为Im ,试计算各波形的电流平均值Id1、Id2、Id3与电流有效值I1、I2、I3。

1解:a) Id1=2????4Imsin(?t)?Im2(?1)?0.2717Im2?2

1 I1=2?1 b) Id2=????4(Imsin?t)2d(wt)?Imsin?td(wt)?Im31??0.4767Im242?

???4Im2(?1)?0.5434Im22

1I2=

?2??(Imsin?t)d(wt)?4?2Im31??0.6741Im242?

1 c) Id3=2???20Imd(?t)?1Im4

1 I3=2?

??20Im2d(?t)?1Im2

1.4.上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶阐管能送出的平均电流Id1、Id2、Id3各为多少?这时,相应的电流最大值Im1、Im2、Im3各为多少?

解:额定电流IT(AV)=100A的晶闸管,允许的电流

化工原理课后答案 第四版

标签:文库时间:2024-10-04
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绪 论

【0-1】 1m3水中溶解0.05kmol CO2,试求溶液中CO2的摩尔分数,水的密度为100kg/m3。

解 水1000kg/m3?1000kmol/m3 18 CO2的摩尔分数x?0.05?8.99?10?4 10000.05?18【0-2】在压力为101325Pa、温度为25℃条件下,甲醇在空气中达到饱和状态。试求:(1)甲醇的饱和蒸气压pA;(2)空气中甲醇的组成,以摩尔分数yA、质量分数?A、浓度cA、质量浓度?A表示。

解 (1)甲醇的饱和蒸气压pA

lgpA?7.19736?1574.99 p25?238.86A?16.9kPa

(2) 空气中甲醇的组成 摩尔分数 yA?质量分数 ?A?浓度 cA?16.9?0.167

101.3250.167?32?0.181

0.167?32?(1?0.167)?29pA16.9??6.82?10?3 kmol/m3 RT8.314?298质量浓度 ?A?cAMA=6.82?10?3?32?0.218 kg/m3

【0-3】1000kg的电解液中含NaOH质量分数10%、NaCl的质量分数10%、H2O的质量分数80%,用真空蒸发器浓缩,食盐结晶分离后的浓缩液中含NaOH

数字电子技术基础 第四版 课后答案6

标签:文库时间:2024-10-04
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第六章 脉冲波形的产生和整形

[题6.1] 用施密特触发器能否寄存1位二值数据,说明理由。 [解] 不能,因为施密特触发器不具备记忆功能。

[题6.2] 在图P6.2(a)所示的施密特触发器电路中,已知R1?10k?,R2?30k?。G1和G2为CMOS反相器,VDD=15V。

(1)试计算电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT-和回差电压△VT。

(2)若将图P6.2(b)给出的电压信号加到P6.2(a)电路的输入端,试画出输出电压的波形。

[解]

?R1??10?15?VT???1?V??R?TH?1?30??2V?10V??2??(1)

?R1??10?15?VT???1?V??R?TH?1?30??2V?5V??2??

?VT?VT??VT??5V

(2)

见图A6.2。

[题6.3] 图P6.3是用CMOS反相器接成的压控施密特触发器电路,试分析它的转换电平VT+、VT- 以及回差电压△VT与控制电压VCO的关系。

?,则根据叠加定理得到 [解] 设反相器G1输入端电压为?IR2//R3R1//R3R1//R2?VCO??0R1?R2//R3R3?R1//R2R2?R1//R3

??V

模拟电子技术基础第四版课后答案解析

标签:文库时间:2024-10-04
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模拟电子技术基础

第1章 常用半导体器件

选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价

B. 四价

C. 三价

(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大

B.不变

C.减小

(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。

(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大;

B.不变;

C.减小

电路如图 所示,已知10sin i

u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电压可忽略不计。

图 解图

解:i u 与o u 的波形如解图所示。

电路如图所示,已知t u i

ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =。试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值。

图 解图

电路如图所示, 二极管导通电压U D =,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;i u 为正弦

供电技术 第四版课后习题答案

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1-1试述 电力系统的组成及各部分的作用?

各级电压的电力线路将发电厂、 变配电所和电力用户联系起来的一个发电、 输电、 变电、配 电及用电的整体即为电力系统。电力系统由以下几部分组成:

(1 发电 将一次能源转换成电能的过程即为 “发电” 。 根据一次能源的不同, 有火力发电、 水力发电和核能发电,还有风力、地热、潮汐和太阳能等发电方式。

(2变电与配电

变电所的功能是接受电能、转换电压和分配电能。 仅用于接收和分配电能,而没有变压器的场所称为配电所

(3电力线路 电力线路将发电厂、变电所和电能用户连接起来,完成输送电能和分配电 能的任务。

(4电能用户 包括工业、企业在内的所有用户(用电单位 ,使用(消耗电能 1-4 电力系统 中性点运行方式 有哪几种?各自的特点是什么?

答:电力系统中性点运行方式有中性点有效接地系统(包括中性点直接接地系统和中性 点非有效接地系统(包括中性点不接地和中性点经消弧线圈或电阻接地 。

1中性点不接地系统

特点:发生单相接地故障时, 线电压不变, 非故障相对地电压升高到原来相电压的√ 3倍, 故障相电容电流增大到原来的 3倍。

2中性点经消弧线圈接地系统

特点:发生单相接地故障时,与中性点不接地系统一样,非故

电机学第四版课后答案

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电机学 部分参考答案

第一章 磁路

1-1 磁路的磁阻如何计算?磁阻的单位是什么?

答:磁路的磁阻与磁路的几何形状(长度、面积)和材料的导磁性能有关,计算公式为

Rm?l,单位:AWb ?A1-4铁心中的磁滞损耗和涡流损耗是怎样产生的,它们各与哪些因素有关?

答:磁滞损耗:铁磁材料置于交变磁场中,被反复交变磁化,磁畴间相互摩擦引起的损

n耗。经验公式ph?ChfBmV。与铁磁材料的磁滞损耗系数、磁场交变的频率、铁心的

体积及磁化强度有关;

涡流损耗:交变的磁场产生交变的电场,在铁心中形成环流(涡流),通过电阻产生的

2损耗。经验公式ph?CFef1.3BmG。与材料的铁心损耗系数、频率、磁通及铁心重量有

关。

1-8图示铁心线圈,已知线圈的匝数N=1000,铁心厚度为0.025m(铁心由0.35mm的DR320硅钢片叠成), 叠片系数(即截面中铁的面积与总面积之比)为0.93,不计漏磁,试计算:(1) 中间心柱的磁通为7.5?10?4Wb,不计铁心的磁位降时所需的直流励磁电流; (2) 考虑铁心磁位降时,产生同样的磁通量时所需的励磁电流。 解:?磁路左右对称?可以从中间轴线分开,只考虑右半磁路的情况: 铁

电力电子技术第四版三四章课后答案

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第3章 直流斩波电路

1.简述图3-1a所示的降压斩波电路工作原理。

答:降压斩波器的原理是:在一个控制周期中,让V导通一段时间ton,由电源E向L、R、M供电,在此期间,uo=E。然后使V关断一段时间toff,此时电感L通过二极管VD向R和M供电,uo=0。一个周期内的平均电压Uo=

ton?E。输出电压小于电源电压,ton?toff起到降压的作用。

2.在图3-1a所示的降压斩波电路中,已知E=200V,R=10Ω,L值极大,EM=30V,T=50μs,ton=20μs,计算输出电压平均值Uo,输出电流平均值Io。

解:由于L值极大,故负载电流连续,于是输出电压平均值为

Uo=

输出电流平均值为

Io =

Uo-EM80?30==5(A) R10ton20?200E==80(V) T50

3.在图3-1a所示的降压斩波电路中,E=100V, L=1mH,R=0.5Ω,EM=10V,采用脉宽调制控制方式,T=20μs,当ton=5μs时,计算输出电压平均值Uo,输出电流平均值Io,计算输出电流的最大和最小值瞬时值并判断负载电流是否连续。当ton=3μs时,重新进行上述计算。

解:由题目已知条件可得:

EM10==0.1

电路分析基础第四版课后习题答案

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该答案费了我九牛二虎之力才找到

第一章部分习题及解答

1-20电路如图题1-15所示,试求电流源电压u和电压源电流i;ux,ix。

2

解:在图中标上节点号,以c为参考点,则

ua=( 2×6)V= 12Vub=(3×15)V=45Vux=ua ub+37V= 20Vi=(15 8)A=7A

ix=(7 6)A=1Aux= ub= 45V

1-23在图题所示电路中,试求受控源提供的电流以及每一元件吸收的功率,

+

解:在图中标出各支路电流,可得

(1 2)V(1 2)V

= 0.5A, i2== 1A 2Ω1Ω受控源提供电流=2i= 1A i=

2

×1=1W p2Ω=i2×2=0.5W p1Ω=i2

p1V= i1×1= (i+i2)×1=1.5W(吸收)p2V

p受控源= 2i×2=2W(吸收)

= i3×2= ( i i2 2i)×2= 5W(提供5W)

吸收的总功率=(0.5+1+1.5+2)=5W

1-24 解

电路如图题所示,us= 19.5V,u1=1V,试求R 标出节点编号和电流方向。

该答案费了我九牛二虎之力才找到

u1

=1A,ubc=u1 10u1= 9V1ub

《移动通信》西电第四版课后答案

标签:文库时间:2024-10-04
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《移动通信》课后答案

练习一

一、填空题

1、移动通信按工作方式分( 单工)(双工)( 半双工 )。 2、移动通信按多址方式分(FDMA),(TDMA),(CDMA )。 3、移动通信按信号形式分( 模拟网)(数字网 )

4、移动通信按覆盖范围分( 城域网)(局域网)(广域网 )。 5、移动通信按业务类型分( PSTN),(DDN),(ISDN ) 6、移动通信按服务特性分( 专用网),(公用网 )。

7、移动通信按使用环境分( 陆地通信),(海上通信),(空中通信)。 8、移动通信按使用对象分( 民用系统),(军用系统)。 二、简答题

1、什么叫移动通信?

答:通信双方至少有一方处在移动情况下(或临时静止)的相互信息传输和交换。 2、移动通信的特点。

答:1、移动通信必须利用无线电波进行信息传输

2、移动通信是在复杂的干扰环境中运行的 3、移动通信可以利用的频谱资源非常有限

4、移动通信系统的网络结构多种多样,网络管理和控制必须有效 5、移动台必须适合于在移动环境中使用 3、移动通信的发展趋势。 答:1、开发更高频段

2、有效利用频谱 3、数字化

4、向个人移动通信发展 5、传输数据速率越来越高。 4、全