模拟电子技术基础2021刘颖课后答案
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《模拟电子技术基础》胡宴如 课后答案
第1章 半导体二极管及其电路分析
`
1.1 某二极管在室温(300K)下的反向饱和电流为0.1pA,试分析二极管外加电压在0.5V~0.7V之间变化时,二极管电流的变化范围。 解:由于 iD=IS(e
uDUT
1)
由题意知IS=0.1pA,室温下UT≈26mV,故当UD=0.5V时,得
iD=0.1×10
当UD=0.7V时,得
-12
×(e
50026
1)A≈22.5μA
iD=0.1×10
12
×(e
70026
1)A≈49.3mA
因此UD在0.5~0.7V之间变化时,iD在22.5μA~49.3mA之间变化。
1.2 二极管电路如图P1.2所示,二极管的导通电压UD(on) =0.7V,试分别求出R为1kΩ、4kΩ时,电路中电流I1、I2、IO和输出电压UO。 (1)R=1kΩ 解:
假设二极管断开,可求得输出电压
'UO=
9×1
V= 4.5V 1+1
可见,电路中二极管的阳极电位高于阴极电位1.5V,所以,二极管处于导通状态,故
UO=( 3 0.7)V= 3.7V
3.7 ( 9)
I2=mA=5.3mA
1
I1=IO+I2=( 3.7+5.3)mA=1.6mA
(2)R=4kΩ
假设二极管
模拟电子技术基础2 6 7章课后答案
第二章 习题解答
2-1 电话线路上的直流电压约为50V,用于电话机通话时的直流电源。话机内部电路对电压有极性的要求。话机电路中有一个导向电路,如题2-1图所示。外线与话机引线相接时不必考虑电压极性。试说明其工作原理。
答:当外线与话机引线相接时,如果话机引线的上端接正、下端接负,则电源正端经过D1,话机内的其他电路、D4到电源负端,形成电流回路,此时二极管D1、D4正向导通,D2、D3截止。如果话机引线的下端接正、上端接负,则电源正端经过D2、话机内的其他电路、D3到电源负端,形成电流回路。由此或见,无论话机引线的上端接正还是下端接正,对于话机内的其他电路来说都符合对电压极性的要求,这就是导向电路所起的作用。
2-2 已知硅和锗PN结的反向饱和电流分别为10-14A和10-8A。若外加电压为0.25V、0.45V、0.65V时,试求室温下各电流I,并指出电压增加0.2V时,电流增加的倍数。
解:根据式(1-2-4) I?ISev/vT?1,室温时VT?26mV
对于硅PN结:IS?10?14A,则
外加电压V eV/VT??0.25V 14993.7 1.5?10?100.45V 3285 7556 0.65V 7.20×10
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
第三部分 习题与解答
习题1
客观检测题
一、填空题
1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ,而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。当外加反向电压时,扩散电流 小于 漂移电流,耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中,电子为多数载流子, 空穴 为少数载流子。
二.判断题
1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子,N 型半导体中含有大量电子载流子,所以P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。( × )
2、在N 型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P 型半导体。( √ )
3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。(× )
4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。( × )
5、PN 结在无光照无外加电压时,结电流为零。( √ )
6、温度升高时,PN 结的反向饱和电流将减小。( × )
7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将变宽。(× )
三.简答题
1、PN 结的伏安特性有何特点?
答:根据统计物理理论分析,PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T
模拟电子技术基础
模拟电子技术基础
一、基础题
1、在图中,RF反馈电路引入的是:
RFR1?ui?R2RLR A.并联电流负反馈 B.串联电压负反馈 C.并联电压负反馈 D.串联电流负反馈 答案A
2、因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。 答案×
3、在纯净的半导体中如果掺入三价元素,就是P型半导体。
答案√
4、处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。 答案×
5、双极性三极管的电流不仅有多子的运动,也要考虑少子的运动; 答案√
6、二极管的伏安特性上有一个死区电压,这个电压的大小与半导体的材料有关; 答案√
7、NPN晶体管的发射区和集电区都是N型半导体,所以发射极和集电极可以调换使用; 答案×
8、晶体管是电流控制元件; 答案√
9、发光二极管(LED)发光时一定是正向导通的; 答案√
10、将PN结的N区接电源的正极,P区接电源的负极,则为PN结的_______偏置。 答案:反向。
11、本征半导体就是完全纯净的、具有_______结构的半导体;用得最多的半导体材料就是_______和_______; 答案:晶体;硅;锗;
12、二极管具有_______导电性;稳压二极管是一种特殊的二极管,它一般工作在____
光电子技术基础 课后答案
《光电子技术》参考答案
第三章
1.一纵向运用的 KD*P电光调制器,长为 2cm,折射率 n=2.5,工作频率为 1000kHz。试求此 时光在晶体中的渡越时间及引起的相位延迟。
解:渡越时间为:
2
2 10??L nL ??2.5??????m ?1.67?10?10s
????????d 3?10 8 m / s c / n c
在本题中光在晶体中的渡越引起的相位延迟量为:
对相位的影响在千分之一级别。
????????2???10 m d
6Hz?1.67?10?10 ?1.05?10?3 ??1
3.为了降低电光调制器的半波电压,采用 4块 z切割的 KD*
P晶体连接(光路串联,电路并联)成
纵向串联式结构。试问:(1)为了使 4块晶体的电光效应逐块叠加,各晶体 x和 y轴取向应如何?(2)若
????0.628?m,n0 ?1.51,????????23.6 ?? 10? 12 m/V,计算其半波电压,并与单块晶体调制器比较之.。
63
答:
⑴用与 x轴或 y轴成 45夹角(为 45°-z切割)晶体,横向电光调制,沿 z轴方向加电场,通 光方向垂直于 z轴,形成(光路串联,电
模拟电子技术基础.(杨拴科.著).课后答案1
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模拟电子技术基础.(杨拴科.
电子技术基础(模拟部分)习题答案
一、填空
1.杂质半导体分为 N 型和 P 型两种类型。 2.在下述电路中,能使二极管导通的电路是 a 。
VD R=1KΩ VD R=1KΩ 20v 10v 10v 20v a b 3.在电路中测出某硅材料NPN三极管的三个电极对地电位为Vb=1.3V、Ve=0.6V、Vc=5V,则该三极管处于 放大 工作状态。
4.衡量双极型三极管放大能力的参数是 β ,衡量其温度稳定性的参数是__ICBO ___。
5.N沟道J型FET工作在恒流区的条件是_ uds>UGS(OFF)__,它的截止条件为__ uGs≤UGS(OFF)__。
6.在基本OCL功放电路中,设电源电压为±15V,负载电阻RL=8Ω,则理想情况最大输出功率为_ 14.06 _ W,理想效率为 78.5%_。
7.在集成电路中广泛采用的恒流源电路,在实际电路中,经常作为 偏置电路 和 有源负载 广泛使用。
8.通用型集成运放的输入级一般采用_差分放大电路_电路,其主要目的是 抑制0点漂移 。
9.为了稳定放大电路的静态工作点,可以引入直流负反馈_,为了稳定放大倍数应引人__交流负反馈_。
10.正弦波振荡电路就是一个没有输入信
模拟电子技术基础试卷3答案
一、填空题(请将答案填在相应的答题线上。每空2分,共22分)
1.在本征半导体中加入 三 价元素可以形成P型半导体。
2.场效应管是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的,所以它是 电压 控型器件。 3.电路如图1-1所示,设二极管导通电压UD?0.7V,则该电路的输出电压值U? 0 V。 4.电路如图1-2所回示,则该电路输出电压uO与输入电压uI的关系为 uO???1RC?udt 。
I5.已知某共射放大电路的对数幅频特性如图1-3所示,则其中频电压放大倍数|Aum|为 100 ,电路的上限频率fH? 105 Hz。
20lg|Au|/dB?C40uID2VRA30uO20100RU
R'
100101102103104105106f/Hz
图1-1 图1-2 图1-3
6.按照滤波电路的工作频率,阻止某一频率范围的信号,频率低于此范围的信号及高于此范围的信号均能通过的滤波器称为 带阻
电子技术基础(模拟部分)习题答案
一、填空
1.杂质半导体分为 N 型和 P 型两种类型。 2.在下述电路中,能使二极管导通的电路是 a 。
VD R=1KΩ VD R=1KΩ 20v 10v 10v 20v a b 3.在电路中测出某硅材料NPN三极管的三个电极对地电位为Vb=1.3V、Ve=0.6V、Vc=5V,则该三极管处于 放大 工作状态。
4.衡量双极型三极管放大能力的参数是 β ,衡量其温度稳定性的参数是__ICBO ___。
5.N沟道J型FET工作在恒流区的条件是_ uds>UGS(OFF)__,它的截止条件为__ uGs≤UGS(OFF)__。
6.在基本OCL功放电路中,设电源电压为±15V,负载电阻RL=8Ω,则理想情况最大输出功率为_ 14.06 _ W,理想效率为 78.5%_。
7.在集成电路中广泛采用的恒流源电路,在实际电路中,经常作为 偏置电路 和 有源负载 广泛使用。
8.通用型集成运放的输入级一般采用_差分放大电路_电路,其主要目的是 抑制0点漂移 。
9.为了稳定放大电路的静态工作点,可以引入直流负反馈_,为了稳定放大倍数应引人__交流负反馈_。
10.正弦波振荡电路就是一个没有输入信
模拟电子技术基础试题及答案
模拟电子技术基础试题及答案
自测题分析与解答
一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。
(1I)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;( ) (2)可以说任何放大电路都有功率放大作用;( )
(3)放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的;( ) (4)电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的;( )
(5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;( )
(6)由于放大的对象象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都豪无变化;( )
(7)只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。( )
【解答】 (1)×。放大的特征是功率的放大,电压电流其中一个或两个都放大都可称 放大,但放大的前提条件是不能失真。
(2) √。放大的特征就是功率的放大。
(3)×。应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的,而不是直接提供。 (4)×。 .
(5) √。设置合适的静态工作点。
(6)×。任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。 (7)×。
二、试分析图T2.2所示各电路是否能够