晶圆的制造流程

晶圆制造过程

集成电路的生产从抛光硅片的下料开始。图4.16的截面图按顺序展示了构成一个简单的MOS栅极硅晶体管结构所需要的

基础工艺。每一步工艺生产的说明如下：

第一步：增层工艺。对晶圆表面的氧化会形成一层保护薄膜，它

可作为掺杂的屏障。这层二氧化硅膜被称为场氧化层。 第二步：光刻工艺。光刻制程在场氧化层上开凹孔以定义晶体管

的源极、栅极和漏极的特定位置。

第三步：增层工艺。接下来，晶圆将经过二氧化硅氧化反应加工。晶圆暴露的硅表面会生长一层氧化薄膜。它可作为栅极氧化层。 第四步：增层工艺。在第四步，晶圆上沉积一层多晶硅作为栅极

构造的。

第五步：光刻工艺。在氧化层/多晶硅层按电路图形刻蚀的两个

开口，它们定义了晶体管的源极和漏极区域。

第六步：掺杂工艺。掺杂加工用于在源极和漏极区域形成N阱。 第七步：增层工艺。在源极和漏极区域生长一层氧化膜。 第八步：光刻工艺。分别在源极、栅极和漏极区域刻蚀形成的孔，

称为接触孔。

第九步：增层工艺。在整个晶圆的表面沉积一层导电金属，该金

属通常是铝的合金。

第十步：光刻工艺。晶圆表面金属镀层在芯片和街区上的部分按照电路图形被除去。金属膜剩下的部分将芯片的每个元件准确无

误地按照设计要求互相连接

晶圆切片和线锯制造技术 一，高（PI）的

和五普拉萨德，j的李米Bhagavat

机械工程学系，纽约州立大学石溪分校，纽约11794-2300

摘要：线锯，其能力削减半导体材料非常薄硅片多晶硅铸锭从大直径， 已经成为一个领先的技术和光伏产业的晶圆生产半导体。 不过，该电线 锯切过程中仍缺乏理论方法和不正确的理解。 近代强制 更准确，高效的制造，使人们必须明白这研磨液和切削过程 优化它。 由于认识到这个续集，控制工具，可以发展成为监测的最佳工艺。 本文

之间作出比较，有丝锯和内径（ID）的锯已用于切割半导体晶片。 这种比较优势带出了线锯锯过身份证尊重多数。

简介：线锯，技术操作上的自由磨料加工（FAM的），是一种新兴技术 大直径薄壁晶体和晶圆生产半导体光电（PV）产业。 它的优点

跨度从生产产量和生产效率非常薄的硅片小切口损失高。 自中世纪时代 线锯已被认定的石头用于切割各种材料，如硬和其他花岗岩砖。

不过，线锯裁剪质量要求的条件，并在晶圆厚度是非常不同的电子产品 和光电应用的过程比传统的。

评价一个线锯切割过程表明，它是一个不好理解的现象，没有模型

存在的仿真

晶圆（Wafer） 制程工藝學習

晶圆（Wafer）的生产由砂即（二氧化硅）开始，经由电弧炉的提炼还原成 冶炼级的硅，再经由盐酸氯化，产生三氯化硅，经蒸馏纯化后，透过慢速分 解过程，制成棒状或粒状的「多晶硅」。一般晶圆制造厂，将多晶硅融解 后，再利用硅晶种慢慢拉出单晶硅晶棒。一支85公分长，重76.6公斤的8吋 硅晶棒，约需2天半时间长成。经研磨、拋光、切片后，即成半导体之原料 晶圆片。

光 学 显 影

光学显影是在光阻上经过曝光和显影的程序，把光罩上的图形转换到光阻 下面的薄膜层或硅晶上。光学显影主要包含了光阻涂布、烘烤、光罩对准、 曝光和显影等程序。小尺寸之显像分辨率，更在 IC 制程的进步上，扮演着 最关键的角色。由于光学上的需要，此段制程之照明采用偏黄色的可见光。因此俗称此区为 黄光区。

干 式 蚀 刻 技 术

在半导体的制程中，蚀刻被用来将某种材质自晶圆表面上移除。干式蚀刻（又称为电浆蚀刻）是目前最常用的蚀刻方式，其以气体作为主要的蚀刻媒介，并藉由电浆能量来驱动反应。

电浆对蚀刻制程有物理性与化学性两方面的影响。首先，电浆会将蚀刻气体分子分解，产生能够快速蚀去材料的高活性分子。此外，电浆也会把这些化学成份离子化，使其带

CMOS反相器的制造工

艺流程

院系：交通科学与工程学院 学号: 11131066 姓名 ： 姬勃

2013年12月9

日

摘 要：虽然集成电路制造工艺在快速发展,但始终都是以几种主要的制造工艺为基础。文章介绍了 CMOS反相器的主要工

艺流程,并对集成电路的主要制造工艺作了简要分析。 关 键 词： CMOS反相器 、工作原理、工艺流程

1.1 CMOS反相器 介绍

CMOS反相器由一个P沟道增强型MOS管和一个N沟道增强型MOS管串联组成。通常P沟道管作为负载管，N沟道管作为输入管。这种配置可以大幅降低功耗，因为在两种逻辑状态中，两个晶体管 中的一个总是截止的。处理速率也能得到很好的提高，因为与NMOS型和PMOS型反相器相比，CMOS反相器的电阻 相对较低 1.1工作原理

两个MOS管的开启电压VGS(th)P<0， VGS(th)N >0，通常为了保证正常工作，要求VDD>|VGS(th)P|+V GS(th)N。若输入vI为低电平(如0V)，则负载管导通，输入管截止，输出电压接近VDD。若输入vI为高电平(如VDD)，则输入管导通，负载管截止，输出电压接近0V。

综上所述，当vI为低电平时vo为高电平；vI为高电平时vo

为低电平，

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非接触晶圆测试原理及应用

张林海 张俊 赖海波 无锡华润华晶微电子有限公司五分厂

摘 要：本文介绍非接触晶圆测试系统的原理和在半导体生产中的主要应用，包括以表面光电压测试（SPV）为基础的介质层可动电荷测试、C-V测试和I-V测试，体硅表面掺杂以及扩散长度、载流子寿命等应用。 关键词：非接触、电荷、SPV

Abstract：This paper introducing non-contact electrical measurement system produce a medium application in the semi-conductor, mainly include the test principle, Surface photo voltage，Mobile charge, C-V and I-V, at the same time still some applications aiming at other equipmentses and materials in the semi-conductor. Key word: non-contact charge SPV

一、 引言

随着非接触

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高频变压器的制作流程是什么？ [科技 工程 流程]

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高频变压器的制作流程是什么？

01.10.2008 23:39:10 Сообщить

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变 压 器 制 作 流 程 一.高频变压器制作流程图. ——— 领料

02.10.2008 23:18:52 Сообщить о

——— 工程图及作业指导书确认 ——— 一次侧绕线 ——— 一次侧绝缘 ——— 二次侧绕线

金属镁锭的制造工艺流程

一．金属镁简介

镁是地球上储量最丰富的轻金属元素之一，镁的比重是1.74g/cm3，只有铝的2/3、钛的2/5、钢的1/4；镁合金比铝合金轻36%、比锌合金轻73%、比钢轻77%。镁的熔点为648.8℃

镁具有比强度、比刚度高，导热导电性能好，并具有很好的电磁屏蔽、阻尼性、减振性、切削加工性以及加工成本低、加工能量仅为铝合金的70%和易于回收等优点。 元素来源：

镁存在于菱镁矿MgCO3、白云石CaMg(CO3)2、光卤石KCl·MgCl2·H2O中，海水中也含镁盐。可以由电解熔融的氯化镁或光卤石制得。白云石：菱镁矿（碳酸钙镁）含量40%以上。

镁合金的比强度高于铝合金和钢，略低于比强度最高的纤维增强塑料；比刚度与铝合金和钢相当，远高于纤维增强塑料；耐磨性能比低碳钢好得多,已超过压铸铝合金A380；减振性能、磁屏蔽性能远优于铝合金。

镁物理性能：除了比重低，镁还有很多其它的良好的物理特性，使之在汽车结构材料应用中，有时比铝和塑料更有应用价值。镁物理性能的主要优点是： 比铝高30倍的减振性能； 比塑料高200倍的导热性能； 其热膨胀性能只有塑料的1/2。

镁机械性能：和压铸铝合金相比，镁除了上述物理性能等优点，还具有

金属镁锭的制造工艺流程

一．金属镁简介

镁是地球上储量最丰富的轻金属元素之一，镁的比重是1.74g/cm3，只有铝的2/3、钛的2/5、钢的1/4；镁合金比铝合金轻36%、比锌合金轻73%、比钢轻77%。镁的熔点为648.8℃

镁具有比强度、比刚度高，导热导电性能好，并具有很好的电磁屏蔽、阻尼性、减振性、切削加工性以及加工成本低、加工能量仅为铝合金的70%和易于回收等优点。 元素来源：

镁存在于菱镁矿MgCO3、白云石CaMg(CO3)2、光卤石KCl·MgCl2·H2O中，海水中也含镁盐。可以由电解熔融的氯化镁或光卤石制得。白云石：菱镁矿（碳酸钙镁）含量40%以上。

镁合金的比强度高于铝合金和钢，略低于比强度最高的纤维增强塑料；比刚度与铝合金和钢相当，远高于纤维增强塑料；耐磨性能比低碳钢好得多,已超过压铸铝合金A380；减振性能、磁屏蔽性能远优于铝合金。

镁物理性能：除了比重低，镁还有很多其它的良好的物理特性，使之在汽车结构材料应用中，有时比铝和塑料更有应用价值。镁物理性能的主要优点是： 比铝高30倍的减振性能； 比塑料高200倍的导热性能； 其热膨胀性能只有塑料的1/2。

镁机械性能：和压铸铝合金相比，镁除了上述物理性能等优点，还具有

化学机械抛光 保持环压力 有限元分析

2007年8月第25卷第4期西北工业大学学报

JournalofNorthwesternPolytechnicalUniversityAug.2007Vol.25No.4

晶圆化学机械抛光中保持环压力的有限元分析

黄杏利1,傅增祥2,杨红艳2,马彬睿2

(1.西北工业大学材料科学与工程学院;2.西北工业大学生命科学院,陕西西安　710072)

α

摘　要:在集成电路(IC)行业中,化学机械抛光(CMP)是获得全局平坦化的技术增加,在CMP加工过程中,晶圆边缘容易出现“过磨(2)”用率。的“过磨”现象。由此说明,,晶圆和CMP工艺成本高,依靠实验探索CMP,所以保持环压力不宜通过实验方法确定,。,得出了保持。针对不同CMP,从而提高晶圆抛光质量及利用率,降低晶圆制造成本。关　键　词:化学机械抛光(CMP),晶圆,保持环,有限元方法(FEM)

中图分类号:TN302;TN305.99　　文献标识码:A　　　文章编号:100022758(2007)0420508204　　化学机械抛光(chemicalmechanicalpolish,CMP)技术是制备晶圆的关键步骤,它能满足晶圆所必须的严格的工艺控制、高质量的表面外形及平面度