电子技术基础入门自学

中国地质大学（武汉）远程与继续教育学院

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电子技术基础 课程作业1（共 4 次作业）

学习层次：专升本 涉及章节：第 1 章 ——第 2 章

一．填空题

1．叠加原理只适用于 线性电路 的_电压 _、电流 的计算，而不能用于__功率___的叠加计算，因为__功率__和电流的平方成正比，不是线性关系。

2．正弦量u =102sin314t V的相量表示是U?10?0?V，正弦量i＝－5sin(314t－60o) A的相量表示是I??2.5??2??60?A _。

3．电压源与电流源模型等效变换的条件是__对外电路等效___。

4．表示正弦量的复数称为相量 ，相量只是表示正弦量，并不等于正弦量。只有正弦量 才能用相量表示，相量不能表示非正弦周期量。

5．理想电压源的输出电压与理想电流源的输出电流是由__自身___确定的定值，不随外接电路的改变而改变。

6．一交流电路的端电压U?50?30?V，电流I?5?60?A，则该电路电阻R＝_5_3?__，电抗X 5? ，有功功率 p=125 功率 S=250VA 。

7.戴维南定理适用于 .线性 _电路。

8.一阶线

2014—2015学年第一学期期末考试卷

科目：《电子技术基础》

班级 13-3 姓名 学号

题目 一 二 三 四 五 总分 成绩

一 、选择题（每小题2分，共40分）

1. 当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时，硅二极管 。 A.立即导通 B.到0.3V才开始导通 C.超过死区电压时才开始导通 2. 把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到 硅二极管的负极，则该管 。

A.基本正常 B.将被击穿 C.将被烧坏

3. 当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于 。 A.很小的电阻 B.很大的电阻 C.断路

4.某二极管反向击穿电压为150V,则其最高反向工作电压 。 A.约等于150V B.略大于150V C.等于75V 5. 当环境温度升高时，二极管的反向电流将 。 A.增大 B.减小

2016—2017学年度

电子技术基础实验

（教 案）

电子技术实验

内容提要

本章介绍了电子电路基础实验。通过基础实验教学，可使学生掌握器件的基

本性能、电子电路基本原理及基本的实验方法，从而验证理论，并发现理论知识在实际中的运用条件，培养学生从大量的实验数据中总结规律、发现问题的能力。在实验课的安排上，分成必做和选做题，同时配备了大量的思考题，使学习优秀的学生有发挥的余地。本章内容是进行电子技术设计的基础。

3．1模拟电子技术基础实验

实验一 常用电子仪器的使用

一、实验目的

（1）掌握电子电路实验中常用的电子仪器—示波器、函数信号发生器、交流毫伏表、数字万用表等的主要技术指标、性能及正确使用方法。

（2）熟悉模拟实验装置的结构。 二、实验类型 验证型实验。 三、预习要求

（1）阅读有关示波器、函数信号发生器、交流毫伏表、数字万用表部分内容。 （2）了解所用仪器仪表的主要用途并回答下列问题：

① 测量交流信号电压时，应当使用万用表的交流档还是使用交流毫伏表？为什么？ ② 当示波器显示屏上的波形高度超出显示屏时应该调整哪个旋钮？ ③ 如何得到频率f=1KHz，幅值为100mv（有效值）的正弦信号？ 回答上述问题

2014—2015学年第一学期期末考试卷

科目：《电子技术基础》

班级 13-3 姓名 学号

题目 一 二 三 四 五 总分 成绩

一 、选择题（每小题2分，共40分）

1. 当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时，硅二极管 。 A.立即导通 B.到0.3V才开始导通 C.超过死区电压时才开始导通 2. 把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到 硅二极管的负极，则该管 。

A.基本正常 B.将被击穿 C.将被烧坏

3. 当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于 。 A.很小的电阻 B.很大的电阻 C.断路

4.某二极管反向击穿电压为150V,则其最高反向工作电压 。 A.约等于150V B.略大于150V C.等于75V 5. 当环境温度升高时，二极管的反向电流将 。 A.增大 B.减小

模拟电子技术基础

一、基础题

1、在图中，RF反馈电路引入的是：

RFR1?ui?R2RLR A.并联电流负反馈 B.串联电压负反馈 C.并联电压负反馈 D.串联电流负反馈 答案A

2、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 答案×

3、在纯净的半导体中如果掺入三价元素，就是P型半导体。

答案√

4、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 答案×

5、双极性三极管的电流不仅有多子的运动，也要考虑少子的运动； 答案√

6、二极管的伏安特性上有一个死区电压，这个电压的大小与半导体的材料有关； 答案√

7、NPN晶体管的发射区和集电区都是N型半导体，所以发射极和集电极可以调换使用； 答案×

8、晶体管是电流控制元件； 答案√

9、发光二极管（LED）发光时一定是正向导通的； 答案√

10、将PN结的N区接电源的正极，P区接电源的负极，则为PN结的_______偏置。 答案：反向。

11、本征半导体就是完全纯净的、具有_______结构的半导体；用得最多的半导体材料就是_______和_______； 答案：晶体；硅；锗；

12、二极管具有_______导电性；稳压二极管是一种特殊的二极管，它一般工作在____

教案

2009 ~ 2010 学年第一学期

学院、系室机电教研室

课程名称《电子技术基础》

专业、年级、班级09级机电一体化

主讲教师李春菊

中国矿业大学银川学院

课程表

《电子技术基础》教案

编号：01

可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等称为掺杂性。

N型半导体简化图N型半导体简化图

教师姓名：李春菊职称：无日期：2009年8月28日

编号：02

硅高频检波管稳压管整流管发光二极管

电子工程实际中，二极管应用得非常广泛，上图所示即为各类二极管的部分产品实物图。

学习本节，大家要识记二极管符号、二极管方程；领会并掌握二极管的结构、种类、伏安特性曲线和

教师姓名：李春菊职称：无日期：2009年9月5日

编号：03

稳压二极管是利用二极管反向击穿的特性制成的。其外形和内部结构与普通二极管相似，对外也有两

《电子技术基础》会考大纲

一、指导思想

有利于指导教学方向，统一教学要求，提高教学质量。 二、命题原则

1． 以《电子技术基础教学大纲》、《技能训练大纲》为准绳，以教材内容为依据，教材采用广东、北京、广西中等职业技术学校教材编写委员会组编的《电子技术基础》（2001年8月第2版），本书由广东省高等教育出版社出版。

2． 《电子技术基础》（2001年8月第2版）是根据教育部大纲要求编写的教材，分为基础部分和选学部分，由于选学部分要根据不同的专业来选择，所以会考只考基础部分，但教学不能以会考为目标，只教基础部分而不顾及专业的需要。 3． 从实际出发，面向大多数电类中等职业学校的学生。 4． 以考察学生对基础知识和基本实验技能掌握的程度为主。 三、试题特点

1． 突出教材的重点，覆盖面广。

2． 试题包括以下层次及类型：基本知识、基本概念占40%，电路分析、计算40%，实验技能20%；类型有：填空题、选择题、分析判断题、计算及作图题。

3． 内容分配及答卷时间：上、下册同卷考试，考试时间为90分钟，上册约占40%、下册约占60%。

四、内容提要（注：*为选学章节，会考不要求）

（注意知识点的不同要求：了解：知道结论；明确：对概念要理解，对条件

海南省三亚技工学校

海南三亚中等职业技术学校 理论课教案

任课教师 姓 名 授课日期 课题 课型 郜普艳 任课 班级 11电气雨露 科 目 本教案授课节数 2 电子技术基础 审批 第 1 周星期1（ 2 月 13 日） §1一1 半导体二极管 理论课 教学 目的 1.知识目标：使学生掌握半导体的基本概念、二极管工作特性、伏安特性以及工作状态的判断。 2.能力目标：使学生对半导体器件内部结构及工作原理有更具体的了解及认识。 3.德育目标：培养学生养优良的道德品质，及良好的职业道德。 教学 重点 教学 难点 1. 使学生掌握二极管工作特性、伏安特性以及工作状态的判断。 1. 使学生掌握二极管工作特性、伏安特性以及工作状态的判断。 教学方法 1. 教学教具：实物教具 教学手段 2. 教学方法：讲解法、提问启发法、谈话教学法、讨论教学法、案例教学法、归教具设备 纳总结法 课前准备：教室、教学教具的准备落实到位 教学过程（含课前准备、组织教学、复习提问、导入新课、讲授新课、练习巩固新课、总结、布置作业及预习；板书板画设计与时间分配） 教学过程 一、组织教学： （1）由班长组织学生提前5分钟进入课堂点名考勤；检查学生着装，仪容仪表，

）））））））） 第1章 检测题 （共100分，120分钟） 一、填空题：（每空0.5分，共25分）

1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ，少数载流子为 空穴 ，不能移动的杂质离子带 正 电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 三 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 空穴 ，少数载流子为 自由电子 ，不能移动的杂质离子带 负 电。

2、三极管的内部结构是由 发射 区、 基 区、 集电区 区及 发射 结和 集电 结组成的。三极管对外引出的电极分别是 发射 极、 基 极和 集电 极。

3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 相反 ，有利于 多数载流子 的 扩散 运动而不利于 少数载流子 的 漂移 ；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 一致 ，有利于 少子 的 漂移 运动而不利于 多子 的 扩散 ，这种情况下的电流称为 反向饱和 电流。

4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由 P 向 N 区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由 N 向 P 区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个 空间电荷区 ，其方向由 N 区指向

专业 专业 姓名 姓名 题班级 答班级 要日期 不日期 内 线封密第一学期期末试卷机电专业电工电子技术基础试题

注 意 事 项

1.首先按要求在试卷的密封处填写您的专业、姓名、班级和考试日期。 2.请仔细阅读试卷，按要求在规定的位置答题。

3.不要在试卷上乱写乱画，不要在标封区写无关的内容。 4.满分100分，时间90分钟。 题 号 一 二 三 四 五 六 总 分 评 分 人 分 数 得 分 评分人 一、填空题（每空0.5分，共15分） 1、已知i?1002sin(314t??6)A，则它的角频率、

有效值、初相角分别为________、_________、__________。

2、一个纯电感线圈接在直流电源上，其感抗为________，电路相当于__________状态。 3、对称三相正弦电压是频率 ；振幅 ；相位上彼此互差 的三个正弦电压

4、有功功率用字母 表示，单位为 ；无功功率用字母 表示，单位为 ；视在功率用字母 表示，单位为 。

5、三相电源相线与中