ZnO\/ZnS异质结

河南大学

硕士学位论文

基于ZnO的异质结的组建及其光电性能研究

姓名：倪曼曼

申请学位级别：硕士

专业：微电子学与固体电子学

指导教师：张伟风

20100601

摘要

摘要

太阳能作为一种取之不尽、用之不竭的绿色能源是解决能源危机的最佳途径之一。近些年来，半导体一半导体异质结、染料敏化半导体材料等异质结构，由于易于实现光生电荷分离被广泛应用于提高太阳能的转化效率以及光电子器件的研制和开发方面。ＺｎＯ是一种重要的半导体光电材料，在可见光区有很高的透过率，是一种新型的透明半导体材料。另外，ＺｎＯ具有价格低廉，毒性小，来源丰富等众多优点而成为制备光电器件的优良材料，具有很高的开发和应用价值。本文以ＺｎＯ为基础与无机Ｐ型半导体材料ＮｉＯ和有机染料Ｎ７１９分别构造了异质结构，并通过表面光电压的测试研究了光生电荷的重新分布过程，为其在光电转换方面的应用提供了实验和理论的基础，主要做了以下有意义的工作：

１．本文采用纯度为９９．９９％的ＺｎＯ、ＮｉＯ和１８．２ＭＱ的去离子水与聚乙烯醇配置的稀粘合剂溶剂作为原料制作ＺｎＯ、ＮｉＯ陶瓷靶材。首先按聚乙烯醇与去离子水质量比为１：１０混合，然后将混合物放入水域中加热，并进行磁力搅拌，温度设定为９００Ｃ左右，磁力搅拌至澄清为止；然后用天

全球最大HIT太阳能发电厂在意大利建成 关键词: 太阳能发电太阳能电池意大利 北极星太阳能光伏网讯:装配Panasonic集团的三洋电机HIT太阳能电池模组的太阳能发电厂在位于意大利的托雷圣苏珊娜建造完毕。该发电站设计发电7.567兆瓦，由32,202个HIT-235个太阳能电池模组组成，同时配备了太阳能跟踪器以获取最大化的发电量。这是欧洲最大的跟踪太阳能型发电站之一，同时也是世界范围内使用广受赞誉的HIT太阳能电池模组最大的系统。 太阳能发电站项目最初由德意志银行的资产融资和租赁可再生能源部主导的事业联盟筹建。于去年12月建设完成并于今年4月与输电网进行了连接。 世界上最大的电站之一意大利太阳能电站投产 采用三洋HIT组件 关键词: 意大利三洋HIT太阳能组件 北极星太阳能光伏网讯: 采用三洋HIT组件的意大利普利亚地区太阳能电站被认为是世界上最大的电站之一，目前已经投入运营。 坐落于托雷圣苏珊娜的该电站总装机容量达7.56MW，足以满足3,300个住户的供电需求。 该项目是德意志银行、EST能源和太阳能科技公司、dean太阳能和三洋共同协作的结晶。 “该电站并不是德意志银行首次涉足到可再生能源行业，到目前为止，德意志银行参与了50多个大

高效异质结太阳能电池产业化观察

1异质结电池的技术前景及产业政策

1.1技术前景

从最新的市占率预测来看，异质结（简称HIT，SHJ，SJT等）电池在10年内都将是小众市场，预计5年内市占率在5%-7%之间。按照2016年72GW（中国53GW）的全球出货量和15%的平均增长率，5年后的2022年将达到144GW（中国106GW）的年全球出货量，其中HIT技术产品占7-10GW（中国5-7GW）。

图1.晶硅电池技术市占率预测

目前国际和国内布局HIT电池技术的厂商及其产能情况如下：

生产商 电池效率 产能 松下 上澎 新日光 新奥 赛昂 国电 钧石 中智 晋能 汉能

22.50% 21.80% 22.00% 21.60% 21.50% 21.50% 22.50% 22.00% --- ---

产业规划

1GW 因日本产业链不完善，成本居高不下。

40MW 国内运营最长的1条量产线，计划扩产至120MW。 50MW 2017年底扩张到50MW，目标23%效率。 80MW 产能陆续扩张中，计划到400MW 30MW 被Solarcity收购，在美国有1GW电池规划。 80MW 被中环收购，有1GW扩产计划。 100MW 总产能规划600MW，

热处理温度对倒置OPV电池器件的影响

DOI:10.1002/ente.201300186

EffectofAnnealingTemperatureofZnOontheEnergyLevelAlignmentinInvertedOrganicPhotovoltaics(OPVs)

AnirudhSharma,[a]ScottE.Watkins,[b]GuntherAndersson,*[a]andDavidA.Lewis*[a]

Introduction

Organicphotovoltaics(OPVs)arerapidlymaturingasatech-nologyanddeviceswithpromisingefficienciesarebeingre-ported;[1]howevermanychallengesremainbeforetheyarecommerciallyviable.Thepromiseofhigh-speedroll-to-rollprocessinghasthepotentialtosignificantlyreducethecostofproductionandenablelarge-scaleproductionby

迈为股份（300751）:公司点评报告：年报业绩符合预期，积极布局异质结整线设备

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其他专用设备

分析师:刘智

登记编码：S0730520110001

liuzhi@ 021********

设备 ——迈为股份(300751)公司点评报告 证券研究报告-公司点评报告

买入（首次） 市场数据(2021-01-26)

收盘价(元)

540.00 一年内最高/最低(元)

726.02/138.67 沪深300指数

5625.92 市净率(倍)

20.44 流通市值(亿元) 154.80

基础数据(2020-9-30) 每股净资产(元) 30.63

每股经营现金流(元) -1.70

毛利率(%) 34.64

净资产收益率_摊薄(%) 17.23

资产负债率(%) 61.66

总股本/流通股(万股) 5200/2891.89

B 股/H 股(万股) 0/0 个股相对沪深300指数表现 资料来源：贝格数据，中原证券 相关报告 联系人： 朱宇澍 电话： 021-*

xxxxxxxxxxx学士学位论文

学 号：xxxxxxxxxx

xxxxxxx学院 学士学位论文

题目：计算ZnO的能带结构

学 院： 理学院 专 业： xxxxxxxxxxx 学 号： xxxxxxxxxxxx 姓 名： xxxxxxxxx 指导教师： xxxxxxxx 职 称： xxxxx

xxxxxxxxxxx学士学位论文

计算ZnO的能带结构

摘要：本文采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波赝势方法，计算了

ZnO能带结构、所用软件为ABINIT软件。通过计算ZnO的能带结构，发现现ZnO 是宽禁带半导体禁带宽度为0.9ev。

关键词：ZnO；能带结构；ABINIT；- I -

xxxxxxxxxx学士学位论文

The Energy Band Structure of ZnO Abstract：In this paper, based on first principles under the framework of density

哈尔滨理工大学学士学位论文 宽禁带半导体ZnS物性的第一性原理研究

摘要

硫化锌(ZnS)是一种新型的II-VI族宽禁带电子过剩本征半导体材料，其禁带宽度为3.67eV，具有良好的光致发光性能和电致发光性能。在常温下禁带宽度是3.7eV，具有光传导性好，在可见光和红外范围分散度低等优点。ZnS和基于ZnS的合金在半导体研究领域己经得到了越来越广泛的关注。由于它们具有较宽的直接带隙和很大的激子结合能，在光电器件中具有很好的应用前景。

本文介绍了宽禁带半导体ZnS目前国内外的研究现状及其结构性质和技术上的应用。阐述了密度泛函理论的基本原理，对第一性原理计算的理论基础作了详细的总结，并采用密度泛函理论的广义梯度近似 (GGA)下的平面波赝势法，利用Castep软件计算了闪锌矿结构ZnS晶体的电子结构和光学性质。电子结构如闪锌矿ZnS晶体的能带结构，态密度。光学性质如反射率，吸收光谱，复数折射率，介电函数，光电导谱和损失函数谱。 通过对其能带及结构的研究，可知闪锌矿硫化锌为直接带隙半导体，通过一系列对光学图的分析，可以对闪锌矿ZnS的进一步研究做很好的预测。 关键词 ZnS；宽禁带半导体；第一性原理；闪锌矿结构

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哈尔滨理工大学学士学位论

运城学院应用化学系

文献综述

Ag/ZnO纳米复合材料的制备

学生姓名 王新光 学 号 2010080412 专业班级 应用化学1004班 批阅教师 成绩

2013年06月

Ag/ZnO纳米复合材料的制备

1. 研究背景

纳米技术是一门交叉性很强的综合学科，研究的内容涉及现代科技的广阔领域。纳米科技现在已经包括纳米生物学、纳米电子学、纳米材料学、纳米机械学、纳米化学等学科。从包括微电子等在内的微米科技到纳米科技，人类正越来越向微观世界深入，人们认识、改造微观世界的水平提高到前所未有的高度。我国著名科学家钱学森也曾指出，纳米左右和纳米以下的结构是下一阶段科技发展的一个重点，会是一次技术革命，从而将引起21世纪又一次产业革命。

2.制备方法

2.1采用沉淀法制备

周广、邓建成、王升文[1]采用配位均匀共沉淀法制备了平均粒径约为20 nm的Ag/ZnO纳米复合材料。利用XRD、TEM及UV-Vis等技术对样品进行了表征,并将其与用浸渍光分解法和光还原沉积法制备的样品在形貌结构及催化降

纯ZnS材料的模型建立

阿衣扎提 1251624

一、软件介绍

用Materials Studio软件中的CASTEP计算程序下完成纯ZnS材料的模型。CASTEP是一种从头算量子力学程序，它基于密度泛函理论，利用总能量平面波赝势方法，用赝势代替离子势，通过平面波基组展开电子波函数，采用局域密度近似(Local Density Approximation，LDA)或广义梯度近似(Generalized Gradient Approximation，GGA)对电子-电子相互作用的交换关联能进行校正。CASTEP计算程序是目前较为准确的电子结构计算方法。

CASTEP适用于计算周期性的晶体结构，对于非周期性晶体结构一般采用特定的部分作为周期性晶体结构，建立单位晶胞后再进行计算。故CASTEP软件一般采用超晶胞模型，在周期系统中进行计算。CASTEP软件可以对晶体结构进行几何优化，得到晶胞稳定时的结构参数，通过计算超晶胞的总能和各孤立原子的总能可以得出晶体的结合能，通过计算电子分布密度和键布居来了解电荷转移情况、原子间的成键情况等。另外，还可以计算晶体及其原子的光学光谱、态密度和分态密度，对其相应的发光机

江锡顺等:衬底温度对ZnS薄膜微结构和应力的影响

1121

。

衬底温度对ZnS薄膜微结构和应力的影响

江锡顺!曹春斌!蔡摘要!采用射频磁控溅射法分别在不同温度衬底

琪!宋学萍!孙兆奇

(安徽大学物理与材料科学学院 安徽合肥230039>

测量分析ZnS薄膜的微结构 XRD的X光管为Cu

靶 CuKO射线波长为0.154056nm 管压为40kV 管流为100mA 扫描方式为连续扫描 步宽为0.020 扫描速度为8.000 /min 测量衍射峰的半高宽 根据Scherrer公式可算出晶粒尺寸:

上制备了厚度为320nm的ZnS薄膜!用XRD和光学

相移技术研究了不同衬底温度下薄膜的微结构和应力"结果表明#不同温度衬底上沉积的ZnS薄膜均呈多晶状态!衬底温度由50C上升到400C的过程中!其择优取向发生了变化!晶粒有明显的生长方向$ZnS薄膜应力随着衬底温度升高逐渐减小!衬底温度在250\350C之间的ZnS薄膜应力较小且在选区内分布比较均匀"

关键词!衬底温度"微结构"应力ZnS薄膜"中图分类号!文献标识码!A0484文章编号!1001-9731#2006$07-1121-03

(1>

BcosO

式中k=