四川大学数字电子技术期末考试题

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四川大学期末考试试题（闭卷）A 卷

（2006—2007 学年第二学期）

课程号：50505040 课序号：0，1 课程名称：药剂学任课教师：张志荣等成绩：

2 题间不留空，一般应题卷分开教务处试题编号：

3务必用A4纸打印

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教务处试题编号：

2007年药剂学期末考试卷试题答案及评分标准

四、翻译并解释下列术语（每题2分，共计20分）。

评分细则：翻译正确即给1分，解释正确再得1分，解释不完整扣0.5分。

10．Solid dispersion：固体分散体，是指药物高度分散在适宜的载体材料中的固态分散物。

11．Controlled Releases preparations：控释制剂，在规定释放介质中，按要求缓慢地恒速或接近恒速

《电子技术基础》期末考试题

班级 姓名

题号 得分 一 二 三 总分 一、填空题（在“ ”上填上正确答案，每空1.5分，共48分）

1. 晶体二极管加一定的 电压时导通，加 电压时截止，这一导电特性称为二极管的 特性。

2. PN 结处于导通状态时电阻_______，处于截止状态时电阻_________。

3. 用万用表“R x 1K \挡测试二极管,若所测得电阻较大时,则黑笔接触的是二极管的_______极,与红管接触的是二极管的_______极。

4. 场效应管是一种_____控制器件,是_______电压来控制漏极电流。场效应管有_______场效应管和_______场效应管两大类,每类又有P沟道和_______沟道的区分。

5. 试判断下图中各三极管处于何种工作状态，并指出管型。

管型 （1）_______（2）_______（3）_______（4）_______ 工作状态 （1）_______（2）_ （3）_______（4）_______

6. Iceo称为三极管

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一、单选题（共 20 道试题，共 70 分。） V 1. 如图： A. A B. B C. C D. D

2. 将三角波变换为矩形波，需选用（ ）。 A. 多谐振荡器 B. 施密特触发器 C. 双稳态触发器 D. 单稳态触发器 3. 如图： A. A B. B C. C D. D

4. 下列电路中，能用于信号幅度鉴别、波形变换和整形的电路是（ ）。 A. 双稳态电路 B. 施态特电路 C. 多谐振荡器 D. 单稳态触发器 5. 如图： A. A B. B C. C D. D

6. 下列等式成立的是（ ）。 A. A⊕1=A B. A⊙0=A C. A+AB=A D. A+AB=B

7. 在系列逻辑运算中，错误的是：

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A. 若A=B，则AB=A

B. 若1+A=B，则1+A+AB=B C. A+B=B+C，则A=C D. A+AB=A

8. 属于时序逻辑电路的是（ ）。 A. 寄存器 B. ROM

数字逻辑考试题答案及评分标准

数字逻辑考试题

数字逻辑考试题(一)

一、填空（共17分，每空1分） 1. （1011.11）B=（ ） D=（ ）H 2. （16）D=（ ）8421BCD码。

3. 三态门的输出有 、 、 三种状态。 6. Y(A,B,C)?ABC?ABC?ABC 的最简式为Y= 。 7. 由n位寄存器组成的扭环型移位寄存器可以构成 进制计数器。 10. 四位环型计数器初始状态是1000，经过5个时钟后状态为 。 11. 在RS、JK、T和D触发器中， 触发器的逻辑功能最多。

12. 设一个包围圈所包围的方格数目为S，消去的变量数目为N，那么S与N的关系式应是 。 13. 在卡诺图化简逻辑函数时，圈1求得 的最简与或式，圈0求得 的最简与或式。 二、选择（共10分，每题1分）

1. Y?A?BCDE的反函数为Y =（ ）。

A. Y?A?B?C?D?E

B.

.

. 数字电子技术基础试题（一）

一、填空题 : （每空1分，共10分）

1． (30.25) 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。

2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 。

3 . 三态门输出的三种状态分别为：、和。

4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。

5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。

6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器，其地址线为条、数据线为条。

二、选择题：

(选择一个正确的答案填入括号内，每题

3分，共30分 )

1.设图1中所有触发器的初始状态皆为0，找出图中触发器在时钟信号作用下,输出电压波形恒为0的是：（）图。

图 1

2.下列几种TTL电路中，输出端可实现线与功能的电路是（）。

A、或非门

B、与非门

.

C、异或门

D、OC门

3.对CMOS与非门电路，其多余输入端正确的处理方法是（）。

A、通过大电阻接地（>1.5KΩ）

B、悬空

C、通过小电阻接地（<1KΩ）

D、通过电阻接V CC

4.图2所示电路为由555定时器构成的（）。

A、施密特触发器

B、多谐振荡器

C、单稳态触发器

D、T触发器

5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路（）。图2

A、计数器

B、寄存器

C、译码器

D、触发器

6．下列几种A/D转换器中，转换速度最快的是（）。图2

A、并行A

四 川 大 学期 考 试 试 题

（2008 ——2009 学年第 一 学期）

课程号： 课序号： 课程名称：大学物理 III-1 任课教师： 成绩： 适用专业年级： 学生人数： 印题份数： 学号： 姓名：

(B)

3 π) (SI). 2 (C) a = 0.4π 2 cos( 2πt π) (SI). 1 (D) a = 0.4π 2 cos(2πt + π) (SI) 2 a = 0.4π 2 cos(πt 9

[ ] -4 5. 波长λ=550 nm(1nm=10 m)的单色光垂直入射于光栅常数 d=2×10 cm 的平面衍射光栅上，可 能观察到的光谱线的最大级次为 (A) 2. (B) 3. (C) 4. (D) 5. [ ] 6. 三个偏振片 P1,P2 与 P3 堆叠在一起，P1 与 P3 的偏振化方向相互垂直，P2 与 P1 的偏振化方向 间的夹角为 30°.强度为 I0 的自然光垂直入射于偏振片 P1,并依次透过偏振片 P1、P2 与 P3,则通过 三个偏振片后的光强为 (A

复习题

一．选择题：

1．下列各式中哪个是四变量A、B、C、D的最小项？（ ）

a．A′＋B′＋C b．AB′C c．ABC′D d．ACD 2．组合逻辑电路的分析是指（ ）。

a．已知逻辑要求，求解逻辑表达式并画逻辑图的过程 b．已知逻辑要求，列真值表的过程 c．已知逻辑图，求解逻辑功能的过程 3．正逻辑是指（ ）。

a．高电平用“1”表示，低电平用“0”表示 b．高电平用“0”表示，低电平用“1”表示 c．高电平、低电平均用“1”或“0”表示 4．寄存器、计数器属于（ ）。

a．组合逻辑电路 b．时序逻辑电路 c．数模转换电路 5．全加器是指（ ）的二进制加法器。

a．两个同位的二进制数相加 b．两个二进制数相加 c．两个同位的二进制数及来自低位的进位三者相加

6．4选1数据选择器的输出表达式Y＝A1′A0′ D0＋A1′A0D1＋A1A0′ D2＋A1A0D3，若用该数据选择器实现Y＝A1′，则D0～D3的取值为（a．D0 ＝D1＝1，D2＝D3＝0 b．D0 ＝D3＝0，D1＝D2＝1

A. Multiple choice (Only one is correct): ( 20*2%=40%)

1. Which of the items listed below is not one of the software engineering

layers?

A. Process B. Manufacturing C. Methods D. Tools

2. What are the three generic phases of software

engineering?

A. definition, development, support B. what, how, where

C. programming, debugging, maintenance D. analysis, design, testing

3. Which of these terms is a level name

风冈县中等职业技术学校 模拟电子技术试卷十

模拟电子技术测验 试卷十

班级：___________姓名：___________学号：___________

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每一小题２分，共２０分)

（1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（ ） A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度

D.晶体缺陷

(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态

(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管

① ③

D.PNP型硅管 －2V ② －2.2V (4 )温度上升时，半导体三极管的( ) －8V A.β和ICEO增大，uBE下降

图1

B.β和uBE增大,ICEO减小 C.β减小，ICEO和uBE增大 D.β、ICEO和uBE均增大

(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.

风冈县中等职业技术学校 模拟电子技术试卷十

模拟电子技术测验 试卷十

班级：___________姓名：___________学号：___________

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每一小题２分，共２０分)

（1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（ ） A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度

D.晶体缺陷

(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态

(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管

① ③

D.PNP型硅管 －2V ② －2.2V (4 )温度上升时，半导体三极管的( ) －8V A.β和ICEO增大，uBE下降

图1

B.β和uBE增大,ICEO减小 C.β减小，ICEO和uBE增大 D.β、ICEO和uBE均增大

(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.