二氧化硅的测定方法

四川广元高力水泥实业有限公司

二氧化硅的测定检验规程

目的：规定二氧化硅的测定检验操作步骤及操作标准化。 范围：适用于原材料、生料、熟料中二氧化硅的检测。 程序：

1、本规程二氧化硅的测定方法为氯化铵重量法。 2、方法提要：

试样以无水碳酸钠烧结，盐酸溶解，加入固体氯化铵于蒸汽水浴上加热蒸发，使硅酸凝聚，经过滤灼烧后称量。用氢氟酸处理后，失去的质量即为胶凝性二氧化硅含量，加上从滤液中比色回收的可溶性二氧化硅含量即为总二氧化硅含量。 3、分析步骤：

3．1胶凝性二氧化硅的测定：

称取约0.5g试样（m1），精确至0.0001g，置于铂坩埚中，将盖斜置于坩埚上，在950℃～1000℃下灼烧5分钟，取出坩埚冷却。用玻璃棒仔细压碎块状物，加入（0.30±0.01）g已磨细的无水碳酸钠，仔细混匀。再将坩埚置于950℃～1000℃下灼烧10分钟，取出坩埚冷却。

将烧结块移入瓷蒸发皿中，加入少量水润湿，用平头玻璃棒压碎块状物，盖上表面皿，从皿口慢慢加入5ml盐酸及2～3滴硝酸，待反应停止后取下表面皿，用平头玻璃棒

焦磷酸重量法测游离二氧化硅方法的改进

作者：欧阳添资

来源：《企业技术开发·中旬刊》2015年第09期

摘要：不同浓度的粉尘中含有不同浓度的二氧化硅，它对人体的伤害极大，在我国制定的卫生标准中，就有对二氧化硅的含量的检测制度及相关规定，而如今，焦磷酸重量法是测定粉尘中游离二氧化硅的主要方法，但是在测定过程中还会存在一系列问题，所以，这要求工作人员对该测定方法进行改进，及时为卫生监测提供可靠的信息和大量有效的数据。

关键词：焦磷酸重量法；游离二氧化硅；粉尘

中图分类号：R134 文献标识码：A 文章编号：1006-8937（2015）26-0167-02

如今我们使用最广的磷酸重量法测游离二氧化硅的方法操作复杂，会耗费大量的时间，所以相关的工作人员必须熟练的掌握其测定方法，及时改进，提高检测结果的准确度和检测效率，减少误差，最大限度地减少或避免因判断及操作失误影响测验的结果，从而影响人们对其检测结果的判断。

1 焦磷酸重量法测游离二氧化硅方法存在的问题

1.1 样品采集过程的问题

按照国家职业卫生标准的相关规定，相关工作人员在采集粉尘中的二氧化硅时，应该采用滤膜采集大流量的空气中含有的粉尘，也可以采用新鲜的沉降粉尘，工作人员采集到的样品要带回去进行化验

化学,教案

二氧化硅与信息材料

教学目标：

1． 了解硅的结构、特点、性质、用途、存在及制备方法。 2． 了解二氧化硅的存在、性质和用途。

3． 培养学生对知识归纳、总结和探究的能力。 教学重点：

硅和二氧化硅的化学性质。

教学难点：培养学生对知识的归纳、总结和探究的能力。 教学过程： 导入：通过上节课的学习，知道硅及其化合物与我们的生活及人类文明的发展有着密切的关系。特别是当今电子工业的发展，更是与硅息息相关。这节课我们就来学习硅及其化合物的相关知识。 板书讲解： 一、硅

以化合态存在于自然界，在地壳中的含量居第二位。 1． 物理性质：熔沸点高，硬度大，半导体。 2． 化学性质：

提问：请同学们回忆初中所学的知识回答，碳单质有哪些化学性质？ 设问：我们知道硅的结构与碳很相似，那么硅的化学性质是否与碳相似呢？ 结论：硅的化学性质与碳很相似。常温时，硅的化学性质不活泼，除氟气氢氟酸和强碱外，硅不跟其它物质，如氧气氯气硝酸硫酸等起反应。加热时，能跟一些非金属反应，如它能和氧气反应生成二氧化硅。 板书讲解：

(1)常温下性质稳定 Si+2F2====SiF4

Si+4HF====SiF4+2H2↑

Si+2NaOH+H2O=====Na2SiO3+2H2↑ (2)加热时

分光光度法测定炉渣中的二氧化硅

乔 蓉

（涟源钢铁集团有限公司，湖南 娄底 417009）

摘 要：采用碳酸钠和硼酸熔融分解试样，稀硝酸浸取，在硫酸介质中，硅与钼酸铵生成硅钼黄络合物，以硫酸亚铁铵还原硅钼黄为钼蓝。探讨了吸收波长、加热时间、钼酸铵用量、硫酸用量、还原剂用量五个因素对吸光度的影响，结果表明该法快速、准确且精密度较高，适合炉渣中二氧化硅的测定。

关键词：炉渣；二氧化硅；分光光度法；钼酸铵

中图分类号: 文献标识码: A 文章编号:

Spectrophotometric Method for the Determination of

Silicon Dioxide in Slag

Qiao Rong

(Lianyuan Iron & Steel Group Co.Ltd., Loudi,417009, China)

ABSTRACT: The sample was fusioned with sodium carbonate and boric acid , then lenched by nitric acid. In the sulfuric acid, silicon and ammonium

河南王屋纳米科技有限责任公司采用液相原位表面修饰技术,开发出可分散性纳米二氧化硅(特种白炭黑)粉体系列产品,在甲苯、二氯乙烷、增塑剂、胶粘剂、密封剂、涂料、油墨、树脂等中许多有机介质具有良好的分散性及分散稳定性,外观呈现类真溶液状态。可分散性纳米二氧化硅微粒分为DNS和RNS系列,其中DNS系列为饱合有机碳链或聚合物修饰的二氧化硅;

综

述 19 92— 00.

0 2年月，8 0D 1 8 3— 49 .4.[ e1sw nsMwI onM 1] soB Hoa i,Kt MK,yv d . ta oura tV Ve 1s .[O2]武最张，罗益峰，杨维 .榕成合树与脂塑及合成料纤维

Plie Tie o d: h ry sep ble[ . e koP e m￣ tm lo m M] N r wY r: l a y— hm. 9 8 9—9 u1 7. 05.

[. M]京北：化学工业版出社 9 8, 5— 78 19 .8 5 8[ 1 do TnF oPefs rdc o o yd od r o i 2]rJa .rs co p otunp ile wp eed r i imb s[2 Bw r G,AFo t

讲述了二氧化硅气凝胶的研究进展

无机硅化合物( og nc ic n o p u d2 0年 4期( I ra iSl o m on )0 8 n i C总第 15,仅内部交流) 4期

2 7

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气凝胶的{= I究进展 . f -{ t… J…

陈

福卜，武丽华

( .岛玻璃工业研究设计院，秦皇岛 060;2 1秦皇 604 .建材职业技术学院 .秦皇岛 060 )河北 604摘要：SO气凝胶是一种新型的结构可控地孑状材料，有许多独特的性能，具有广泛的 i2 L

应用前景。本文将对 SO气凝胶的 S l G l i2 o- e制备工艺、干燥机理、干燥技术和应用前景作简要的评述。

关键词：SO气凝胶；S l Ge制备工艺；干燥技术；应用进展 i2 o- l

SO气凝胶是一种新型的结构可控地孔状材料， i2有多种独特的性质，例如低的折射率…、 低的弹性模量、低声阻抗【、低热导率【、强吸附性、典型的分形结构等，可被制作成声阻 2】 3】抗耦合材料、过滤材料、高温隔热材料等多种高性能材料，在切仑可夫探测器、催化剂及催化剂载体、宽带减反射、高效可充电电池、防眩光涂层、低介电常数绝缘层、超高速集成电路基片、高激光损伤阈值增透薄膜、高效绝热涂层【等众多领域之中都具有

二氧化硅 硅钼蓝光度法

HZHJSZ00148 水质 二氧化硅的测定　硅钼蓝光度法

HZ-HJ-SZ-0148

水质硅钼蓝光度法

1 范围

本法最小检出浓度为40ìg/L二氧化硅 色度及浊度干扰测定 丹宁硫化物和磷酸盐干扰测定低丹宁的干扰加入草酸(3mg/mL)

丹宁酸30mg/L以下时

样品贮存及试验过程中尽量少与玻璃器皿接触验 2 原理

硅钼酸盐光度法原理在形成黄色硅钼杂多酸后酚磺酸还原剂时可提高测定的灵敏度

消除其干扰并降硫化物10mg/L应先进行全程序空白试

２氨基萘

钠于50mL水中水溶液中

3.2 二氧化硅标准溶液

取每毫升含1.00mg二氧化硅的贮备液10.00mL移入1000mL容量瓶中用聚乙烯瓶密封保存 其余试剂同钼酸盐比色法水质 二氧化硅的测定　硅钼黄光度法 4 仪器

同钼酸盐比色法水质 二氧化硅的测定　硅钼黄光度法 5 操作步骤

5.1 校准曲线的绘制 取二氧化硅标准溶液00.503.007.00分别移于50mL比色管中迅速顺次加入1+1盐酸溶液1.0mL和钼酸铵试剂2.0mL

È»ºó·ÅÖÃ5~10min

有关纳米二氧化钛粒子与二氧化硅离子在玻璃表面的沉积方法 1. Si02溶胶的制备

用正硅酸乙酯(TEOS)作为SiO2的先驱体，以TEOS、无水乙醇和去离子水为原科，用酸做催化剂，pH值在5左右。取定量乙醇分为两份，一份与TEOS混合，另一份与催化剂及去离子水混合，搅拌过程中将后者缓慢滴加到前者，然后室温下再持续搅拌反应2h密封室温陈化。制备了不同TEOS/无水乙醇比例、不同TEOS／去离子水比例的溶胶。 采用辊涂的方法在玻璃上镀膜，然后在一定的温度下快速热处理4分钟、再在高压空气下冷却到室温。 2.TiO2溶胶的制备 1磁控溅射法

磁控溅射是以Ti或Ti02为靶，在02或02／At气氛下，在电离离子的轰击下将TiO2沉积到基片上的一种方法。它主要包括射频磁控溅射法和直流磁控溅射法。磁控溅射法是目前国内研究最多、最成熟的一种Ti02薄膜制备方法。采用磁控溅射法制备的Ti02薄膜具有致密均匀、附着力大，并且基片因为在高能量的粒子的轰击下温度不断升高而不用加热等优点而被广泛采用。利用磁控溅射法制备Ti02薄膜虽然易于掺杂，但是很难控制杂质的浓度。 2溶胶/凝胶法

溶胶/凝胶法具有纯度高、均匀性强、合成温度低、反应条件易于控制，特别是制备工艺过程相

第1节

硅、无机非金属材料

第1课时 硅和二氧化硅

[学习目标] 1.能从材料组成角度对生活中常见的材料进行分类，能根据使用要求选择适当的材料。2.知道硅、二氧化硅的性能，主要用途。

一、单质硅与半导体材料

1．硅在自然界中的存在

(1)硅在自然界中仅以□01化合态的形式存在，常见的化合态的硅有□02二氧化硅和□

03硅酸盐等，它们广泛存在于各种矿物和岩石中。 (2)硅的同素异形体????? □

04晶体硅□

05无定形硅(非晶硅)

2．晶体硅的物理性质

3．单质硅的化学性质

常温下，硅的化学性质不活泼，它不易与H 2、O 2、Cl 2、H 2SO 4、HNO 3等物质发生反应，在加热或高温条件下，硅能与某些非金属单质发生反应。

如：与Cl 2反应：Si ＋2Cl 2=====△

SiCl 4

与O 2反应：□

10Si ＋O 2=====△

SiO 2(加热时研细的硅能在氧气中燃烧)。 4．粗硅的制备

□11SiO 2＋2C=====高温

Si ＋2CO ↑

5．硅的用途 (1)□12高纯硅可以用来做半导体材料，超高纯度的硅芯片广泛应用于大规模集成电路及相应的计算机技术中。

(2)单质硅用于制造晶体管、集成电路、硅整流器和太阳能电池等。

(3)硅合金的用途也很广，□134%的钢具有良

采用CHF3、CF4、CHF3+CF4、CHF3+O2和CF4+O2五种工艺气体体系对二氧化硅(SiO2)作反应离子刻蚀实验,在确定最优刻蚀气体基础上,研究射频功率和气体流量配比对刻蚀速率、均匀性和选择比等主要刻蚀参数的影响。通过对实验结果比较分析,确定了刻蚀速率79nm/min、非均匀性4%、对光刻胶的选择比0.81的优化工艺。

第 3期 21 02年 6月

微

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大规模集成电路设计、制造与应用

二氧化硅的反应离子刻蚀工艺研究杨光，苟君，李伟，袁凯(电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都 60 5 ) 10 4摘要：用 C F、 F、 H 3 F、 H 3 2和 C+O采 H C C F+C C F+O F 2五种工艺气体体系对二氧化硅

(i:作反应离子刻蚀实验， S ) O在确定最优刻蚀气体基础上，研究射频功率和气体流量配比对刻蚀速率、均匀性和选择比等主要刻蚀参数的影响。通过对实验结果比较分析，定了刻蚀速率 7 n/确 9ma、 rn非均匀性 4、光刻胶的选择比 08 i%对 .1的优化工艺。 关键词：应离子刻蚀；反二氧化硅；刻蚀速率；优化工艺D I O