mos管下拉电阻作用

印度佛教史

──§4. 阿育王以後的佛教發展情形──

釋祖蓮 編制2007/11/22

§4.1 王朝的更替：

蘇修那迦王統（約B.C.600~B.C.400） （見於佛經中的十六大國；但其每一王的年代，仍然不易清理。）

孔 雀 王統（約B.C.322~B.C.185） （此期間佛教大盛）

熏 迦 王統（約B.C.185~B.C.73） （中印有法難；南北印的佛教轉盛）

甘 婆 王統（約B.C.73~B.C.28）

娑多婆訶王朝（約B.C.240~A.D.236） （又稱為案達羅王朝；於B.C.28年，兼併中印的摩揭陀國）

貴 霜 王統（西元前數十年～A.D.320） （此時，南印度為案達羅王朝。這是大月氏的一族）

※阿育王逝世後，達羅維荼族勃興於南印，希臘及波斯人則進窺於西北印，印度又成 分裂局面。

§4.2 中印法難：

一、時間：B.C.185年左右，即弗沙蜜多羅所建的熏迦王朝時代。 二、原因：

（一）遠因：阿育王的崇佛，做廣大布施，引起三種後果： 1. 佛教因生活富裕而僧侶分子複雜墮落。 2. 國家因連年大做修福的佛事而庫府空虛。 3.

我们先来说说集电极开路输出的结构。集电极开路输出的结构如图1所示，右边的那个三极管集电极什么都不接，所以叫做集电极开路（左边的三极管为反相之用，使输入为“0”时，输出也为“0”）。对于图1，当左端的输入为“0”时，前面的三极管截止（即集电极C跟发射极E之间相当于断开），所以5V电源通过1K电阻加到右边的三极管上，右边的三极管导通（即相当于一个开关闭合）；当左端的输入为“1”时，前面的三极管导通，而后面的三极管截止（相当于开关断开）。

我们将图1简化成图2的样子。图2中的开关受软件控制，“1”时断开，“0”时闭合。很明显可以看出，当开关闭合时，输出直接接地，所以输出电平为0。而当开关断开时，则输出端悬空了，即高阻态。这时电平状态未知，如果后面一个电阻负载（即使很轻的负载）到地，那么输出端的电平就被这个负载拉到低电平了，所以这个电路是不能输出高电平的。

再看图三。图三中那个1K的电阻即是上拉电阻。如果开关闭合，则有电流从1K电阻及开关上流过，但由于开关闭和时电阻为0（方便我们的讨论，实际情况中开关电阻不为0，另外对于三极管还存在饱和压降），所以在开关上的电压为0，即输出电平为0。如果开关断开，则由于开关电阻为无穷大（同上，不考虑实际中的漏电流

关于MOSFET驱动电阻的选择 等效驱动电路： VCC12VLDRIVERgCgsQ L为PCB走线电感，根据他人经验其值为直走线1nH/mm，考虑其他走线因素，取L=Length+10（nH），其中Length单位取mm。 Rg为栅极驱动电阻，设驱动信号为12V峰值的方波。 Cgs为MOSFET栅源极电容，不同的管子及不同的驱动电压时会不一样，这儿取1nF。 VL+VRg+VCgs=12V ?? 令驱动电流Id := C????tVCgs(t)????得到关于Cgs上的驱动电压微分方程： ???2??R???VCgs(t)???Vdr???0 ????C?LC?VCgs(t)VCgs(t)????t???t2?????用拉普拉斯变换得到变换函数：G := Vdr 1RgS2?LCS???S???LC???L????这是个3阶系统，当其极点为3个不同实根时是个过阻尼震荡，有两个相同实根时是临界阻尼震荡，当有虚根时是欠阻尼震荡，此时会在MOSFET栅极产生上下震荡的波形，这是我们不希望看到的，因此栅极电阻Rg阻值的选择要使其工作在临界阻尼和过阻尼状态，考虑到参数误差实际上都是工作在过阻尼状态。 LC???Rg，因此根据走线长度可以得到Rg最小取

MOS管参数解释

MOS管介绍

在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，一般都要考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等因素。

MOSFET管是FET的一种，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS管，所以通常提到的就是这两种。 这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。

在MOS管内部，漏极和源极之间会寄生一个二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要，并且只在单个的MOS管中存在此二极管，在集成电路芯片内部通常是没有的。

MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免。

MOS管导通特性

导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V, 其他电压，看手册）就可以了。

PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的

一：电阻与二极管并联的作用是什么？这两个并联后，再与一个

电容串联，起到什么作用呢？

作用

一般是降低二极管等效电阻,并上电阻后二极管两端压降没有减小,但是通过去的电流小了,

被并联的电阻分流了,这也是保护二极管的一种办法。 但你这里后面接了电容就有别的作用了，因为二极管是正向电阻小，反向电阻很大，电容放电就不可能走二极管这里走，除非二极管的漏电流很大。加个电阻就可以提供电容放电的途径,当然这样你这个电阻就要比较大,正向通路,二极管电阻小,电流大都走二极管过去,反向时

候二极管电阻大,电流走电阻回来。

看具体使用的场合

这样可以使电容的充电时间和放电时间不同,就是快速充电缓慢放电或缓慢充电快速放电,具体作用就要看使用的场合了,比如MCU的复位电路,上电时电容通过电阻充电,获得一个一

定宽度的复位脉冲,掉电的时候电容通过二极管快速放电.

改变充放电时间

这样可以让电容的充电和放电时间不一样，锯齿波发生器中就这样做的，正向充电时电流通过二极管走快速给电容充电形成一个跳变，翻转之后电流通过电阻放电比较慢，这样波形缓

慢变化

二极管主要有下列应用

1、整流二极管

利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。

2、开

ppt 如何制作下拉菜单ppt 教程如何制作下拉菜单效果

对于内容比较多，需要在多个模块之间切换的ppt 演示文稿来说，我们一般会为其制作下拉菜单的效果，但是新手不会，怎么办? 有简单易懂的方法吗?下面就让告诉你ppt 如何制作下拉菜单效果，欢迎大家来到学习。

菜单添加

在这个过程中，我们需要在幻灯片上放置一些文本框，并将它们的位置调整好用来显示菜单。

首先在幻灯片拖动一个文本框，在文本框中输入"导航菜单"四个字，可对字体、大小及颜色进行设置。在文本框边框上击右键，选择"设置文本框格式" ，可以文本框进行设置，填充背景等等。

接着复制6个相同文本框，依次放在"导航菜单"这个文本框的下面，并且把文字更改成"地理位置"、"历史概况" 、"发展现状"、" 教学成绩" 、"获得荣誉" 、"未来展望" ，当然每个文本框的背景填充色也可以更改。然后，分别右击这6 个文本框，把它们分别链接到相应的幻灯片，最后选择这6 个文本框把它们组合在一起，形成一个组合框（图1）。

添加菜单弹出动画

这个过程将实现单击"导航菜单"时，弹出下拉菜单。选中组合的文本框，右击其边框选" 自定义动画" ，在对话框选择添加" 添加效果-进入-切入"（图2）。

对切入的效果进行设置，把"方向"改为

单元1从文本文件导入数据

使用文件：01导入文本文件.txt，将此文件导入到Excel工作表中。 操作说明

1.启动Excel后，执行“数据”菜单的“导入外部数据”→“导入数据”。出现选取数据源对话窗口。

2.双击想要打开的文件。

3.出现“文本导入向导”，按“下一步”按钮。

4.导入数据的分隔符号有“Tap键、分号、逗号、空格、其他”等格式可以勾选，选择适合数据来源的分栏符选项来建立分栏后，单击“下一步”按钮。

5.可以在此指定各列数据格式，结束后单击“完成”按钮。

6.出现“导入数据”窗口，选择数据要放置的单元格位置，单击“确定”按钮。

7.完成结果如下。

单元2从外部导入数据

使用文件：02技能检定.mdb（Access数据库文件），将此文件倒入到到Excel工作表中。 操作说明

1.启动Excel后，执行“数据”菜单的“导入外部数据”→“导入数据”。出现选取数据源对话窗口。

2.出现“选取数据源”对话窗口，点选“02技能检定.mdb”，并按“打开”按钮。

3.指定数据存放位置后单击“确定”按钮。 4.完成结果如下。

单元3导入及导出XML文件

使用文件：03学生资料.xml（可扩展标记语言） 操作说明

1.导入XML文件之前要先新增X

一：电阻与二极管并联的作用是什么？这两个并联后，再与一个

电容串联，起到什么作用呢？

作用

一般是降低二极管等效电阻,并上电阻后二极管两端压降没有减小,但是通过去的电流小了,

被并联的电阻分流了,这也是保护二极管的一种办法。 但你这里后面接了电容就有别的作用了，因为二极管是正向电阻小，反向电阻很大，电容放电就不可能走二极管这里走，除非二极管的漏电流很大。加个电阻就可以提供电容放电的途径,当然这样你这个电阻就要比较大,正向通路,二极管电阻小,电流大都走二极管过去,反向时

候二极管电阻大,电流走电阻回来。

看具体使用的场合

这样可以使电容的充电时间和放电时间不同,就是快速充电缓慢放电或缓慢充电快速放电,具体作用就要看使用的场合了,比如MCU的复位电路,上电时电容通过电阻充电,获得一个一

定宽度的复位脉冲,掉电的时候电容通过二极管快速放电.

改变充放电时间

这样可以让电容的充电和放电时间不一样，锯齿波发生器中就这样做的，正向充电时电流通过二极管走快速给电容充电形成一个跳变，翻转之后电流通过电阻放电比较慢，这样波形缓

慢变化

二极管主要有下列应用

1、整流二极管

利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。

2、开

试卷编号：8061 所属语言：计算机基础 试卷方案：excel 试卷总分：1410分 共有题型：1种

一、EXCEL操作 共141题 （共计1410分） 第1题 （10.0分）

--------------------------------------------------------------------- 请在打开的窗口中进行如下操作，操作完成后，请关闭Excel并保存工作簿。 --------------------------------------------------------------------- 在工作表Sheet1中完成如下操作：

1、利用公式计算校准分，校准分=（各课程得分×该课程的校准比例，然后求和）

2、计算平均分、总分。

3、插入一张工作表。将sheet1表中的A1：I28单元格区域复制到新插入的工作表中。

4、在sheet1表中以主关键字“总分”降序排序，总分相同以“英语成绩”降序排 序。

5、在sheet1表中利用自动序列在计算出名次。（1、2、3.。。。） 注：计算完毕后，调整列宽，使列标题完整显示。

6、在sheet1表中，将A29：M29单元格合并及居中，

MOS管驱动电路

首先，这都是由于疏忽造成的，一失足成千古恨。避免大家跟我犯同样的错误，所以就贴出来了！不能纯粹的将MOS管当做开关开哦。

我是学机械的，电路方面基础较差，可能分析不太正确，请见谅！

两幅图中，PWM为幅值为2.8V的方波信号，两幅图中，不同之处就是：负载的位置。一般MOS驱动电路采用图1，而我由于疏忽，再绘制电路原理图的时候就弄成了图2，那么负载的位置不同会带来什么样的影响呢？

图1中，PWM信号为高时（即VGS=2.8V），MOS管导通，MOS管D端同电源地导通，4.2V电压全部加载在负载上，这就是我们想要的。图2中，PWM信号为高时（MOS管G极电压为2.8V），MOS管部分导通，MOS管S极电压会比MOS管G极电压低0.6V左右（不同MOS管，有所不同，也就是MOS管最小导通电压），也就是说VS=2.2V左右，那么加载在负载两端的电压也就是2.2V左右了，这肯定不是我们想要的了。至于为什么，我觉得是：MOS管要导通必须满足条件VGS>最小导通电压（SI2302就是0.6V），而当VGS=0.6V左右时，只能部分导通，故MOS管D极和S极会有压降就很正常了。所以在设计MOS管驱动电路时，要多加小心，