电子电路基础何丰答案

北京联合大学2007专接本《电子电路基础》试卷（A）

注意：本试卷共六道大题。 题号 一 二 三 四 五 六 总分 30 10 24 20 11 5 题分 核分人 得分 复查人

一、 填空题(每空1分，共30分)

1．本征半导体中有两种载流子，一种是 电子 ，另一种是 空穴 。 2．在PN结形成过程中，载流子的 扩散 运动是载流子的浓度梯度作用产生的， 漂移 运动是内建电场作用产生的。

3. 场效应管是 多数 载流子参与导电的 电压 控制器件。 4. 当温度上升时，晶体管以下参数的变化趋势是；ICBO 增大 ;UBEO 减小 ; （填写：增大 、减小、不变） ? 增大 。5. 场效应管是通过改变 电压 来控制漏极电流的，所以场效应管是 电压 控制 电流 器件。

6. (12.375)10 等于二进制数的 1100.011 ，等于8进制数的 14.3 ,等于16进制数的 0E.6 。

7. 使逻辑函数F1?ABCD值为1的各变量取值是（按A、B、C、D顺序写） 0110 ；

电子电路基础练习题

一、填空题

1． PN结加正偏电压时, P区接_高_电位, N区接_低_电位, 此时电流_大_（大小高低）。

2． 常温下，硅二极管的开启电压（即：死区电压）约__0.5_V，导通电压约__0.7_V；锗二极管的开

启电压（即：死区电压）约_0.1_V，导通电压约_0.2__V。

3． 双极型三极管中有__二____种载流子导电, 是__电流_____控制器件. 4． 场效应三极管中有_一__________种载流子导电, 是__电压___控制器件.

5． 双极型半导体三极管工作在放大状态时, 发射结_正向_偏置, 集电结__反向_偏置.对于NPN

管，此时各引脚电位大小关系是Uc _> _ UB _>_UE ;而对于PNP管，此时各引脚电位大小关系是UC _<__ UB_< _ UE 。 6． 温度升高时, 三极管的电流放大系数?变大_, 在相同IB的情况下,UBE将变_小_，ICBO变 大 。 7． 单管放大电路中欲获较高的电压放大倍数且反相输出，应当选用_共射_组态放大器；欲获较高

的输入电阻，应当选用_共集_组态放大器；欲获较宽的通頻带，应当选用_共基_组态放大器。 （限答双极型三极管单管放大电路组态名称）。 9. 欲放大直流信号, 应采用_直接__耦合方式.

10. 多级放大电路级间耦合有 直接 耦合、 阻容 耦合和 变压器 耦合三种方式。

11. 二变量真值表中，输入有0则输出为1，输入全1则输出为0，其逻辑关系是 与非

电子电路基础习题册参考答案免费提供（第三版）全国中等职业技术

第一章 常用半导体器件

§1-1 晶体二极管

一、 填空题

1、物质按导电能力的强弱可分为 导体 、 绝缘体 和 半导体 三大类，最常用的半导体材料是 硅 和 锗 。

2、根据在纯净的半导体中掺入的 杂质 元素不同，可形成 N 型半导体和 P 型半导体。

3、纯净半导体又称 本征 半导体，其内部空穴和自由电子数 相等 。N型半导体又称 电子 型半导体，其内部少数载流子是 空穴 ；P型半导体又称 空穴 型半导体，其内部少数载流子是 电子 。

4、晶体二极管具有 单向导电性 ，即加正向电压时，二极管 导通 ，加反向电压时，二极管 截止 。一般硅二极管的开启电压约为 0.5 V，锗二极管的开启电压约为 0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为 0.7 V,锗二极管的正向压降约为 0.3 V。

5.锗二极管开启电压小，通常用于 检波电路 ，硅二极管反向电流小，在 整流电路

及电工设备中常

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地大《电子电路基础》在线作业二

一、单选题（共 15 道试题，共 60 分。）

1. 在差动式放大电路中，差模输入信号等于两个输入端信号的____ . 和值 . 差值 . 平均值 . 乘积值 正确答案：

2. 场效应管是一种____ . 电压控制器件 . 电流控制器件 . 双极型器件 . 少子工作的器件 正确答案：

3. 为了稳定静态工作点，应引入____；为了稳定放大倍数，应引入____；为了改变输入电阻和输出电阻，应引入____；为了展宽频带，应引入____，下列说法正确的是____ . 直流负反馈；交流负反馈；交流负反馈；直流负反馈 . 交流负反馈；交流负反馈；直流负反馈；直流负反馈 . 直流负反馈；交流负反馈；交流负反馈；交流负反馈 . 交流负反馈；直流负反馈；直流负反馈；直流负反馈 正确答案：

4. 常温下，硅二极管的开启电压约____V，导通后在较大电流下的正向压降约____V；锗二极管的开启电压约____V，导通后在较大电流下的正向压降约____V，下列说法正确的是____。 . 0.3V；0.7V；0.1V

北京邮电大学高等函授教育

通信技术、计算机技术专业专科（ 二 年级）

《电子电路基础》综合练习题及解答

第一部分 习题

一. 判断题（用√表示正确；用×表示不正确，并改正） （ ） 1、通过半导体中的电流为电子电流与空穴电流之和。

（ ） 2、在本征半导体中掺入少量的磷元素，可以形成N型半导体，它的多子是自

由电子。

（ ） 3、PN结内电场方向由P区指向N区，P区的电位要高于N区的电位。 （ ） 4、PN结指的是P型半导体与N型半导体两者交界面处的势垒区。在无外加

电压作用下，其扩散电流和漂移电流两者方向相反、大小相等。

（ ） 5、PN结正向偏置时其结电容以扩散电容为主；反向偏置时以势垒电容为主，

它随反向偏压的增大其值减小。

（ ） 6、半导体二极管具有单向导电特性，它的反向电流越小，表明管子的单向导

电性越好。

（ ） 7、耗尽型场效应管与增强型场效应管的主要区别，从导电特性来看，当VGS

＝0时，ID≠0为增强型管，ID＝0为耗尽型管。

（ ） 8、场效应管与晶体三极管一样，它们都是电流控制的电子器件。 （ ） 9、场效应管与晶体三极管一样，它们只有一种载流子参与导

《电子电路基础》综合练习题及解答

北京邮电大学高等函授教育

通信技术、计算机技术专业专科（ 二 年级）

《电子电路基础》综合练习题及解答

第一部分 习题

一. 判断题（用√表示正确；用×表示不正确，并改正） （ ） 1、通过半导体中的电流为电子电流与空穴电流之和。

（ ） 2、在本征半导体中掺入少量的磷元素，可以形成N型半导体，它的多子是自

由电子。

（ ） 3、PN结内电场方向由P区指向N区，P区的电位要高于N区的电位。 （ ） 4、PN结指的是P型半导体与N型半导体两者交界面处的势垒区。在无外加

电压作用下，其扩散电流和漂移电流两者方向相反、大小相等。

（ ） 5、PN结正向偏置时其结电容以扩散电容为主；反向偏置时以势垒电容为主，

它随反向偏压的增大其值减小。

（ ） 6、半导体二极管具有单向导电特性，它的反向电流越小，表明管子的单向导

电性越好。

（ ） 7、耗尽型场效应管与增强型场效应管的主要区别，从导电特性来看，当VGS

＝0时，ID≠0为增强型管，ID＝0为耗尽型管。

（ ） 8、场效应管与晶体三极管一样，它们都是电流控制的电子器件。 （ ） 9、场效应管与晶体三极管一样，它

电子电路基础 科 课 时 计 划§ 第 1 章 常用半导体器件 § 1-1 晶体二极管 § 旧课回顾 ① 同学们还记得上学期我们有没有学过半导体器件 ? 我们学习过那些晶体 管？ ② 自然物质的铁和铜与塑料、玻璃在导电性能方面有何区别？ § 教学目的 (5 分钟) ① 了解本征、杂质半质体的导电特性及 PN 结中截流子的运动； ② 掌握半导体的伏安特性及其主要参数，理解稳压管的原理及应用，了解 PN 结的电容效应。 一、半导体的基础知识 1.什么是半导体 导体：铁、铝、钢(金属材料) 按导电能力分 绝缘体：木(塑料、木材、陶瓷等) 硅 Si 半导体：导电介于导体与绝缘体之间 锗 Ge 2.本征半导体 本征半导体--化学成分纯净的半导体。 自由电子(带负电，可移动) 内部存数量相等的两种截流子 空穴(带正电，不可移动) 3.杂质半导体 在纯净半导体(本征半导体)中掺入微量合适的杂质元素，可使半导体的 导电能力大大增强。 杂质半导体分： (1)N 型半导体-又称电子型半导体，其内部自由电子数量多于空穴数量，即 自由电子是多数截流子(多子) ,空穴是少数截流子(少子) 。 (负电多于正电) (2)P 型半导体

通信电子电路其中考试答案（2011-2012（2）通信10级用）

一、

2.

填空题（每空1分，其中8、12、14题3分，共33分）。

81. 有线信道和无线信道。

3?10　　m/s

3. 中频（中波）

4. 甲类（A类）；甲乙类（AB类）；丙、丁、戊类（C、D、E类） 5. 放大区；饱和区 6. 好，窄

7. 28.17pf；18.84kΩ 8. 1600

9. 过压，下降、下凹 10. 直流电源、交流振荡波形

11. K?F?1,?K??F?2n?　　(n=1,2,3,....)K?F?1,?K??F?2n?　　(n=1,2,3,....)

；

12. A

13. 1125、62.5

14. 1000KHz、990KHz、1010KHz 15. 200KHz

二、 绘图题。（每题10分，共10分）。

课本95页，图4-9

三、计算题（第1题15分、第2题10分、第3题10分、第4题7分，共计42分

1. 如下图所示的高频小信号放大器，已知：f0=30MHz,C=20pF,线圈Q0=60,外接

阻尼电阻R1=10K?，三极管9012的输出电阻RL=2.5 K?，输出电容CL=9pF，输入电阻Ri=830?，输入电容Ci=12pF，电感匝数N1

《模拟电子技术》模拟试题一

一、填空题：（每空1分 共40分）

1、PN结正偏时（ 导通 ），反偏时（ 截止），所以PN结具有（ 单向 ）

导电性。

2、漂移电流是（ 温度/反向 ）电流，它由（ 少数 ）载流子形成，其大小与（ 温

度 ）有关，而与外加电压（无关 ）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其

反偏时，结电阻为（ 无穷大 ），等效成断开；

4、三极管是（ 电流 ）控制元件，场效应管是（ 电压 ）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏 ），集电结（ 反偏 ）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（ 变小 ），发射结压降（ 不变 ）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（ 共基 ）、（ 共射 ）、（ 共集 ）

放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（ 直流）负反馈，为了稳定交

流输出电流采用（ 电流 ）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（A/((1+AF) ），对于深度负反馈放大电路的放

大倍数AF=（ 1/ F ）。

10、带有负反馈放

高频电子线路

实验注意事项

1、 本实验系统接通电源前，请确保电源插座接地良好。

2、 每次安装实验模块之前，应确保主机箱右侧的交流开关处于断开状态。为保险起见，建议拔下电源

线后再安装实验模块。

3、 安装实验模块时，模块右边的电源开关要拨置上方，将模块四角的螺孔和母板上的铜支柱对齐，然

后用螺钉固定。确保四个螺钉拧紧，以免造成实验模块与电源或者地接触不良。经仔细检查后方可通电实验。

4、 各实验模块上的电源开关、拨码开关、复位开关、自锁开关、手调电位器和旋转编码器均为磨损件，

请不要频繁按动或旋转。

5、 请勿直接用手触摸芯片、电解电容等元件，以免造成损坏。

6、 各模块中的贴片可调电容是出厂前调试使用的。出厂后的各实验模块功能已调至最佳状态，无需另

行调节这些电位器，否则将会对实验结果造成严重影响。若已调动请尽快复原；若无法复原，请与指导老师或直接与我公司联系。

7、 在关闭各模块电源之后，方可进行连线。连线时在保证接触良好的前提下应尽量轻插轻放，检查无

误后方可通电实验。拆线时若遇到连线与孔连接过紧的情况，应用手捏住线端的金属外壳轻轻摇晃，直至连线与孔松脱，切勿旋转及用蛮力强行拔出。

8、 按动开关或转动电位器时，切勿用力过猛，以免造成元件损坏