某虚拟存储器的用户空间共有32个

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实验3虚拟存储器

标签:文库时间:2025-01-31
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实验3、Windows虚拟内存

1 背景知识

在Windows环境下,4GB的虚拟地址空间被划分成两个部分:低端2GB提供给进程使用,高端2GB提供给系统使用。这意味着用户的应用程序代码,包括DLL以及进程使用的各种数据等,都装在用户进程地址空间内(低端2GB)。用户过程的虚拟地址空间也被分成三部分:

1)虚拟内存的已调配区(committed):具有备用的物理内存,根据该区域设定的访问权限,用户可以进行写、读或在其中执行程序等操作。

2)虚拟内存的保留区(reserved):没有备用的物理内存,但有一定的访问权限o 3)虚拟内存的自由区(free):不限定其用途,有相应的PAGE_NOACCESS权限。 与虚拟内存区相关的访问权限告知系统进程可在内存中进行何种类型的操作。例如,用户不能在只有PAGE_READONLY权限的区域上进行写操作或执行程序;也不能在只有PAGE_EXECUTE权限的区域里进行读、写操作。而具有PAGE_NOACCESS权限的特殊区域,则意味着不允许进程对其地址进行任何操作。

在进程装入之前,整个虚拟内存的地址空间都被设置为只有PAGE_NOACCESS权限的自由区域。当系统装入进程代码和数据后,才将内存地址的空

OS实验三虚拟存储器的管理

标签:文库时间:2025-01-31
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虚拟存储器 管理

南京理工大学泰州科技学院

实验报告书

课程名称: 《计算机操作系统》 实验题目: 实验三

班 级: 08计算机2班 学 号:姓 名: 叶萌 指导教师: 袁宝华

虚拟存储器 管理

一 实验目的

1. 理解虚拟存储器概念;

2. 掌握分页式存储管理地址转换和缺页中断。

二 实验内容

1.模拟分页式存储管理中硬件的地址转换和产生缺页中断

分页式虚拟存储系统是把作业信息的副本存放在磁盘上,当作业被选中时,可把作业的开始几页先装入主存且启动执行。为此,在为作业建立页表时,应说明哪些页已在主存,哪些页尚未装入主存。

作业执行时,指令中的逻辑地址指出了参加运算的操作存放的页号和单元号,硬件的地址转换机构按页号查页表,若该页对应标志为“1”,则表示该页已在主存,这时根据关系式“绝对地址=块号×块长+单元号”计算出欲访问的主存单元地址。如果块长为2的幂次,则可把块号作为高地址部分,把单元号作为低地址部分,两者拼接而成绝对地址。若访问的页对应标志为“0”,则表示该页不在主存,这时硬件发“缺页中断”信号,有操作系统按该页在磁盘上的位置,

存储器习题

标签:文库时间:2025-01-31
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第10章 存储器及其接口

典型试题 一. 填空题

1.只读存储器ROM有如下几种类型:____。 答案:掩膜ROM、PROM、EPROM、E2PROM

2.半导体存储器的主要技术指标是____。

答案:存储容量、存储速度、可靠性、功耗、性能/价格比

3.在16位微机系统中,一个存储字占用两个连续的8位字节单元,字的低8位存放在____、高8位存放在____。 答案:低地址单元、高地址单元

4.SRAM芯片6116(2K×8B)有____位地址引脚线、____位数据引脚线。 答案:11 8

5.在存储器系统中,实现片选控制有三种方法,它们是____。 答案:全译码法、部分译码法、线选法

6.74LS138译码器有三个“选择输入端”C、B、A及8个输出端地址码为101时,输出端____有效。

,当输入

答案:

7.半导体静态存储器是靠____存储信息,半导体动态存储器是靠____存储信息。

答案:触发器 电荷存储器件

8.对存储器进行读/写时,地址线被分为____和____两部分,它们分别用以产生____和____信号。

答案:片选地址 片内地址 芯片选择 片内存储单元选择 二. 单项选择题

1.DRAM2164(64K×1)外部引脚有( )

存储器习题

标签:文库时间:2025-01-31
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第10章 存储器及其接口

典型试题 一. 填空题

1.只读存储器ROM有如下几种类型:____。 答案:掩膜ROM、PROM、EPROM、E2PROM

2.半导体存储器的主要技术指标是____。

答案:存储容量、存储速度、可靠性、功耗、性能/价格比

3.在16位微机系统中,一个存储字占用两个连续的8位字节单元,字的低8位存放在____、高8位存放在____。 答案:低地址单元、高地址单元

4.SRAM芯片6116(2K×8B)有____位地址引脚线、____位数据引脚线。 答案:11 8

5.在存储器系统中,实现片选控制有三种方法,它们是____。 答案:全译码法、部分译码法、线选法

6.74LS138译码器有三个“选择输入端”C、B、A及8个输出端地址码为101时,输出端____有效。

,当输入

答案:

7.半导体静态存储器是靠____存储信息,半导体动态存储器是靠____存储信息。

答案:触发器 电荷存储器件

8.对存储器进行读/写时,地址线被分为____和____两部分,它们分别用以产生____和____信号。

答案:片选地址 片内地址 芯片选择 片内存储单元选择 二. 单项选择题

1.DRAM2164(64K×1)外部引脚有( )

存储器结构

标签:文库时间:2025-01-31
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第四章 存储器结构

4.3 存储器容量扩展

微机系统中主存储器通常由若干存储芯片及相应的存储控制组织而成,并通过存储总线(数据总线、地址总线和控制总线)与CPU及其他部件相联系,以实现数据信息、控制信息的传输。由于存储器芯片的容量有限,实际应用中对存储器的字长和位长都会有扩展的要求。 一、存储器字扩展

*字扩展是沿存储字向扩展,而存储字的 位数不变。 *字扩展时,将多个芯片的所有地址输入 端、数据端、读/写控制线分别并联 在一起,而各自的片选信号线则单独 处理。

*4块内存芯片的空间分配为: 第一片,0000H-3FFFH 第二片,4000H-7FFFH 第三片,8000H-BFFFH 第四片,C000H-FFFFH 二、存储器位扩展

*存储器位扩展是沿存储字的位向扩展, 而存储器的字数与芯片的字数相同。 *位扩展时

将多个芯片的所有地址输入端都连接 在一起;

而数据端则是各自独立与数据总线连 接,每片表示一位

*片选信号线则同时选中多块芯片,这些 被选中的芯片组成了一个完整的存储 字。

1

三、存储器位字扩展

*存储器需要按位向和字向同时扩展,称存储器位字扩展

*对于容量为 M×N 位的存储器,若使用 L×K 位的存储芯片, 那

实验四 主存储器空间的分配和回收

标签:文库时间:2025-01-31
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漳 州 师 范 学 院

实 验 报 告

班 级 11网络2班 学号 姓名 座号 15 同组人

实 验 内 容 与 具 体 步 骤

源代码 如下:#include #include #include #define n 10 //模拟实验中,允许的最大作业数目 #define m 10 //模拟实验中,允许的最大空间分区数目 #define minisize 100 /*该空闲区低于该值,可视为碎片。分配分区时,若寻找到的最小适合空间相对 作业请求的 空间来说仍大于该数值,则要分割该分区 ,但是分割后,空闲为很小,变成碎片,则不分 割。*/ struct { float address; //已分配分区起始地址 float length; //已分配分区长度,单位为字符 int flag; //0 表明为空闲的。否则为已分配,记录作业的名称。 }used_table[n];//已分配分区表 struct { float address; float length; int flag;//0 表示是空表目,否则 1 表示空闲分区为"未分配" }free_ta

物理存储器与进程逻辑地址空间的管理实验报告

标签:文库时间:2025-01-31
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操作系统 实 验 报 告

课程名称 实验项目名称 学号 操作系统实验 课程编号 0906553 物理存储器与进程逻辑地址空间的管理 年级 计算机科学姓名 计算机科学与技专业 与技术 学生所在学院 术学院 实验室名称地点

指导教师

哈尔滨工程大学 计算机科学与技术学院

物理存储器与进程逻辑地址空间的管理

一. 实验概述:

1.实验名称:物理存储器与进程逻辑地址空间的管理 2.实验目的:

1)通过查看物理存储器的使用情况,并练习分配和回收物理内存,从而掌握物理存储器的管理方法;

2)通过查看进程逻辑地址空间的使用情况,并练习分配和回收虚拟内存,从而掌握进程逻辑地址空间的 管理方法。 3.实验类型:验证、设计 4.实验内容:

1)准备实验,创建一个EOS Kernel项目;

2)阅读控制台命令“pm”相关的源代码,并查看其执行的结果; 3)分配物理页和释放物理页;

4)阅读控制台命令“vm”相关的源代码,并查看执行的结果; 5)在系统进程中分配虚拟页和释放虚拟页; 6)在应用程序进

存储器RAM扩展实验

标签:文库时间:2025-01-31
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存储器RAM扩展实验

存储器RAM扩展实验 扩展实验 存储器

存储器RAM扩展实验

实验目的: 实验目的:1、学会8088/86 学会8088/86

CPU与RAM的连接方法 CPU与RAM的连接方法

及读写方法。 及读写方法。 2、理解存储器片选的设计方法。 理解存储器片选的设计方法。 掌握存储器扩充方法, 3、掌握存储器扩充方法,实现对外 RAM的 读写。 部RAM的 读写。 学会使用逻辑分析仪, 4、学会使用逻辑分析仪,观察测试 控制总线信号的波形(片选、 控制总线信号的波形(片选、读、 ),加深对存储器读写时序 加深对存储器读写时序d 写),加深对存储器读写时序d的 理解。 理解。

存储器RAM扩展实验

实验设备结构: 实验设备结构:8259实验芯片 RAM实验芯片 实验芯片 实验芯片 打印机实验 插座 8088芯片 芯片CS插座 扩展槽1 扩展插座DIP8——40芯片 总线插座 AD0-AD7 为数据总线 A0-A15为 地址总线 逻辑分析仪插座 单脉 冲发 生器 1 单脉 冲发 生器 2

CT2000系统 系统 实验控制芯片6位数码显示器 位数码显示器

扩展槽2 扩展插座DIP8——40芯片

二进制状态灯 二进制显示开关

4Χ6键盘 Χ

存储器RAM扩展

第5章 微机的存储器

标签:文库时间:2025-01-31
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第5章 微机的存储器

存锗是微机的重要蛆成部分之一,它的种类(9多,各种存储界存储信息的媒体,存储原属和方法也各不相同.本章主要以在霞机中广泛应用的半导体存储嚣为对象,在研究存储#丑其基本电路、差事知识的摹础上,着重研究存糖芯片及其与(:Pu之间的连接与扩充衄.此外,搞要介绍碰表面存储器.光盘存储群以及一·些新型的存储器.

5.1 存储器的分类与组成

存铺器按它和CPU的连接方式不同,可分为内存储#和外存储器.通过CPU的外部总绒直接与CPU相连的存销器称为内存储界(简称内存或主存).CPU要遇过I/0接口电路才舶访问的存储#称为外存储器(简称外存或二组存储#).按存储辨信息的器件和媒体来分,有半导体存储器。醋表面存储0D、磁泡存锌#和瘫芯存储群以及光盘存储婷.

田5.1为CPU与存储群的连接坫构示意图.图中,内存由半导体存储嚣芯片组成,外存用有磺带、硬磁盘和软磁盘辞.田5,1 CPU与存储鲁的座按坫构示露田随着大规模集成电路技术的发晨,目前微机的内存储韩几乎都由半9体#件构成.

一、半导体存储器的分类

半导体存储猫的分类如图5.2所示.按使用的功能可分为两大类,随机存取存储群RAM(Rendom

第3章STM32系列微控制器存储器与外设

标签:文库时间:2025-01-31
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第3章 STM32系列微控制器存储器与外设

3.1 存储器和总线的结构 3.1.1 系统结构

系统的主要部分包括:

? 四个驱动单元:

- Cortex-M3内核指令总线 (I-bus),数据总线 (D-bus),以及系统总线 (S-bus) - GP-DMA(通用DMA) ? 三个被动单元:

- 内部SRAM - 内部闪存存储器

这些通过一个多级的AHB总线构架相互连接,如图3.1所示: 图3.1:系统结构

ICode总线

该总线将Cortex-M3内核的指令总线与闪存存储器指令接口相连接。指令预取操作在该总线上进行。 DCode总线

该总线将Cortex-M3内核的DCode总线与闪存存储器的数据接口相连接(常量加载和调试访问)。 系统总线

该总线将Cortex-M3内核的系统总线(外设总线)连接到一个总线矩阵,总线矩阵协调

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着内核和DMA间的访问。 DMA总线

该总线将DMA的AHB主机接口连接到一个总线矩阵,总线矩阵协调着CPU的DCode和DMA到SRAM、闪存和外设的访问。 总线矩阵

此总线矩阵协调内核系统总线和DMA主控总线之间的访问仲裁。此仲裁利用轮换算