静态存储器扩展实验

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存储器RAM扩展实验

标签:文库时间:2025-01-29
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存储器RAM扩展实验

存储器RAM扩展实验 扩展实验 存储器

存储器RAM扩展实验

实验目的: 实验目的:1、学会8088/86 学会8088/86

CPU与RAM的连接方法 CPU与RAM的连接方法

及读写方法。 及读写方法。 2、理解存储器片选的设计方法。 理解存储器片选的设计方法。 掌握存储器扩充方法, 3、掌握存储器扩充方法,实现对外 RAM的 读写。 部RAM的 读写。 学会使用逻辑分析仪, 4、学会使用逻辑分析仪,观察测试 控制总线信号的波形(片选、 控制总线信号的波形(片选、读、 ),加深对存储器读写时序 加深对存储器读写时序d 写),加深对存储器读写时序d的 理解。 理解。

存储器RAM扩展实验

实验设备结构: 实验设备结构:8259实验芯片 RAM实验芯片 实验芯片 实验芯片 打印机实验 插座 8088芯片 芯片CS插座 扩展槽1 扩展插座DIP8——40芯片 总线插座 AD0-AD7 为数据总线 A0-A15为 地址总线 逻辑分析仪插座 单脉 冲发 生器 1 单脉 冲发 生器 2

CT2000系统 系统 实验控制芯片6位数码显示器 位数码显示器

扩展槽2 扩展插座DIP8——40芯片

二进制状态灯 二进制显示开关

4Χ6键盘 Χ

存储器RAM扩展

实验五(扩展存储器实验)

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32位微机原理与接口与汇编实验报告

《32位微机接口原理与接口》实验报告

实验序号: 01 实验项目名称:存储器扩展实验

32位微机原理与接口与汇编实验报告

2.启动调试程序(Debug) 。 3.在程序的退出处设置断点,利用 Add Watch 命令查看 BUF2 中的内容是否正确。 (二)方式 2(人-机交互方式) 1.在 MF2KP 环境下输入汇编程序,编译、连接、运行。 2.按提示输入数据,在屏幕显示的结果中查看 BUF1,2 中的内容是否一致。 3.输入不同的字符串,可得到不同的结果。

五、实验结果与数据处理

图二:打开调试程序 Debug

图三:设置 AddWatch 命令查看 BUF2 和 BUF1 的数据

32位微机原理与接口与汇编实验报告

附源码:

STACK1 SEGMENT STACK DB 200 DUP(?) STACK1 ENDS DATA SEGMENT

BUF1 DB "hello world!" N EQU $-BUF1

32位微机原理与接口与汇编实验报告

BUF2 DB N DUP(?) RAMBASE EQU 0E100H DATA END

第5章 存储器扩展技术

标签:文库时间:2025-01-29
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机械工业出版社曹克澄主编《单片机原理及应用》电子课件 PPT

第5章 存储器扩展技术本章重点: 本章重点: 了解存储器的种类; 了解存储器的种类; 掌握地址重叠的概念、扩展存储器地址分配、地址线、 掌握地址重叠的概念、扩展存储器地址分配、地址线、控制 信号(ALE、RD、WR、PSEN、EA等 的连接; 信号(ALE、RD、WR、PSEN、EA等)的连接; 能设计存储器扩展电路图,根据电路图分析地址。 能设计存储器扩展电路图,根据电路图分析地址。 5.1 半导体存储器的分类 5.2 单片机最小应用系统 5.3 单片机程序存储器扩展 5.4 单片机数据存储器扩展 5.5 存储器综合扩展 本章小结

机械工业出版社曹克澄主编《单片机原理及应用》电子课件 PPT

5.1

半导体存储器的分类随机存取存储器 并行

半导体存储器 存 储 器 电耦合存储器 磁心存储器

只读存储器 串行存储器

机械工业出版社曹克澄主编《单片机原理及应用》电子课件 PPT

5.1.1

随机存取的存储器

随机存取存储器( Memory),简称RAM ),简称RAM, 随机存取存储器(Random Access Memory),简称RAM, 在单片机系统中用于存放可随时修改的数据 ,因此在单片 机领域

第5章 存储器扩展技术

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机械工业出版社曹克澄主编《单片机原理及应用》电子课件 PPT

第5章 存储器扩展技术本章重点: 本章重点: 了解存储器的种类; 了解存储器的种类; 掌握地址重叠的概念、扩展存储器地址分配、地址线、 掌握地址重叠的概念、扩展存储器地址分配、地址线、控制 信号(ALE、RD、WR、PSEN、EA等 的连接; 信号(ALE、RD、WR、PSEN、EA等)的连接; 能设计存储器扩展电路图,根据电路图分析地址。 能设计存储器扩展电路图,根据电路图分析地址。 5.1 半导体存储器的分类 5.2 单片机最小应用系统 5.3 单片机程序存储器扩展 5.4 单片机数据存储器扩展 5.5 存储器综合扩展 本章小结

机械工业出版社曹克澄主编《单片机原理及应用》电子课件 PPT

5.1

半导体存储器的分类随机存取存储器 并行

半导体存储器 存 储 器 电耦合存储器 磁心存储器

只读存储器 串行存储器

机械工业出版社曹克澄主编《单片机原理及应用》电子课件 PPT

5.1.1

随机存取的存储器

随机存取存储器( Memory),简称RAM ),简称RAM, 随机存取存储器(Random Access Memory),简称RAM, 在单片机系统中用于存放可随时修改的数据 ,因此在单片 机领域

计组实验报告-3存储器和IO扩展实验

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综合实验报告

( 2010 -- 2011年度第 一 学期)

名 称: 计算机组成原理综合实验 题 目: 存储器和I/O扩展实验 院 系: 计算机系 班 级: 学 号: 学生姓名: 指导教师: 设计周数: 一周

成 绩:

日期 年 月

一、目的与要求 实验目的:

(1) 熟悉ROM芯片和RAM芯片在功能和使用方法等方面的相同和差异之处;学习用编程器设备向EEPROM芯片内写入一批数据的过程和方法。

(2) 理解并熟悉通过字、位扩展技术实现扩展存储器系统容量的方案; (3) 了解静态存储器系统使用的各种控制信号之间正常的时序关系;

(4) 了解如何通过读、写存储器的指令实现对58C65 ROM芯片的读、写操作; (5) 加深理解存储器部

DSP定时中断和存储器扩展

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DSP定时中断和存储器扩展

数字信息技术实验报告

实验名称:TMS320VC5402的定时中断和存储器扩展

DSP定时中断和存储器扩展

一. 实验目的

1、了解DSP模块的基本特性;

2、掌握CCS集成开发环境的硬仿真调试方法; 3、掌握定时器的配置及定时中断使用; 4、掌握外部存储器的读写; 5、熟悉C语言编程; 6、学会建立工程文件。

二. 实验内容

1、了解DSP开发板的原理图; 2、通过芯片资料了解定时器配置; 3、了解CCS的编程;

4、CCS中的硬件开发环境的搭建及调试; 5、实现LED的定时闪烁;

6、实现外部扩展存储器的正确读写。

三. 实验仪器

1、EDA试验箱(包括FPGA核心板、单片机、mini2440 ARM开发板、DSP开发板) 一台 2、DSP仿真器 一个 3、PC机(软件:CCS,全称:Code composer studio) 一台

四. 实验原理

1、LED定时闪烁原理 1.1 配置定时寄

64x8存储器扩展设计

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存储器扩展设计

1、实验目的

(1)深入理解计算机内存储器的功能、组成知识;

(2)深入地学懂静态存储器芯片的读写原理和用他们组成教学计算机存储器系统的方法(即字、位扩展技术),控制其运行的方式; (3)、熟悉6116静态RAM的结构及使用方法。 (4)掌握实验设备的组成及其使用方法; (5)掌握静态存储器的工作原理及其使用方法;

(6)了解存储器和总线组成的硬件电路,了解与存储器有关的总线信号功能及使用方法;

2、什么是存储器的扩展

存储器是用来存储信息的部件,是计算机的重要组成部分, RAM 是由MOS 管组成的触发器电路,每个触发器可以存放1 位信息。只要不掉电,所储存的信息就不会丢失。因此,静态RAM工作稳定,不要外加刷新电路,使用方便,目前较常用的有6116(2K×8 位),6264(8K×8 位)和62256(32K×8位)。本实验以6116 为例讲述主存储器的方法。

存储器的扩展主要解决两个问题:一个是如何用容量较小、字长较短的芯片,组成微机系统所需的存储器;另一个是存储器如何与CPU的连接。

存储芯片的扩展包括位扩展、字扩展和字

计算机组成原理-实验1静态随机存储器实验

标签:文库时间:2025-01-29
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计算机组成原理实验报告

实验名称:静态随机存储器实验

实验类型:验证型 实验环境:PC + TD-CMA实验系统

指导教师: 专业年级: 姓 名: 学 号: 实验地点: 实验日期:

实验成绩 :

1

一、实验目的:

掌握静态随机存储器 RAM 工作特性及数据的读写方法

二、实验过程

实验原理

实验所用的静态存储器由一片 6116(2K×8bit)构成(位于 MEM 单元),如图 2-1-1 所示。 6116 有三个控制线: CS(片选线)、 OE(读线)、 WE(写线),其功能如表 2-1-1所示,当片选有效(CS=0)时, OE=0 时进行读操作, WE=0 时进行写操作,本实验将 CS 常接地。

图 2-1-1 SRAM 6116 引脚图

由于存储器(MEM)最终是要挂接到 CPU 上,所以其还需要一个读写控制逻辑,使得 CPU 能控制 MEM 的读写,实验中的读写控制逻辑如图 2-1-2 所示,由于 T3 的参与,可以保证 MEM的写脉宽与 T3 一致, T3 由时序单元的 TS3 给出(时序单元的介绍见附录 2)。 IOM 用来选择是对 I/O 还是对 MEM 进行读写操作, RD=1

实验3虚拟存储器

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实验3、Windows虚拟内存

1 背景知识

在Windows环境下,4GB的虚拟地址空间被划分成两个部分:低端2GB提供给进程使用,高端2GB提供给系统使用。这意味着用户的应用程序代码,包括DLL以及进程使用的各种数据等,都装在用户进程地址空间内(低端2GB)。用户过程的虚拟地址空间也被分成三部分:

1)虚拟内存的已调配区(committed):具有备用的物理内存,根据该区域设定的访问权限,用户可以进行写、读或在其中执行程序等操作。

2)虚拟内存的保留区(reserved):没有备用的物理内存,但有一定的访问权限o 3)虚拟内存的自由区(free):不限定其用途,有相应的PAGE_NOACCESS权限。 与虚拟内存区相关的访问权限告知系统进程可在内存中进行何种类型的操作。例如,用户不能在只有PAGE_READONLY权限的区域上进行写操作或执行程序;也不能在只有PAGE_EXECUTE权限的区域里进行读、写操作。而具有PAGE_NOACCESS权限的特殊区域,则意味着不允许进程对其地址进行任何操作。

在进程装入之前,整个虚拟内存的地址空间都被设置为只有PAGE_NOACCESS权限的自由区域。当系统装入进程代码和数据后,才将内存地址的空

计算机组成原理-实验1静态随机存储器实验

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计算机组成原理实验报告

实验名称:静态随机存储器实验

实验类型:验证型 实验环境:PC + TD-CMA实验系统

指导教师: 专业年级: 姓 名: 学 号: 实验地点: 实验日期:

实验成绩 :

1

一、实验目的:

掌握静态随机存储器 RAM 工作特性及数据的读写方法

二、实验过程

实验原理

实验所用的静态存储器由一片 6116(2K×8bit)构成(位于 MEM 单元),如图 2-1-1 所示。 6116 有三个控制线: CS(片选线)、 OE(读线)、 WE(写线),其功能如表 2-1-1所示,当片选有效(CS=0)时, OE=0 时进行读操作, WE=0 时进行写操作,本实验将 CS 常接地。

图 2-1-1 SRAM 6116 引脚图

由于存储器(MEM)最终是要挂接到 CPU 上,所以其还需要一个读写控制逻辑,使得 CPU 能控制 MEM 的读写,实验中的读写控制逻辑如图 2-1-2 所示,由于 T3 的参与,可以保证 MEM的写脉宽与 T3 一致, T3 由时序单元的 TS3 给出(时序单元的介绍见附录 2)。 IOM 用来选择是对 I/O 还是对 MEM 进行读写操作, RD=1