简述CMOS工艺的基本流程

CMOS反相器的制造工

艺流程

院系：交通科学与工程学院 学号: 11131066 姓名 ： 姬勃

2013年12月9

日

摘 要：虽然集成电路制造工艺在快速发展,但始终都是以几种主要的制造工艺为基础。文章介绍了 CMOS反相器的主要工

艺流程,并对集成电路的主要制造工艺作了简要分析。 关 键 词： CMOS反相器 、工作原理、工艺流程

1.1 CMOS反相器 介绍

CMOS反相器由一个P沟道增强型MOS管和一个N沟道增强型MOS管串联组成。通常P沟道管作为负载管，N沟道管作为输入管。这种配置可以大幅降低功耗，因为在两种逻辑状态中，两个晶体管 中的一个总是截止的。处理速率也能得到很好的提高，因为与NMOS型和PMOS型反相器相比，CMOS反相器的电阻 相对较低 1.1工作原理

两个MOS管的开启电压VGS(th)P<0， VGS(th)N >0，通常为了保证正常工作，要求VDD>|VGS(th)P|+V GS(th)N。若输入vI为低电平(如0V)，则负载管导通，输入管截止，输出电压接近VDD。若输入vI为高电平(如VDD)，则输入管导通，负载管截止，输出电压接近0V。

综上所述，当vI为低电平时vo为高电平；vI为高电平时vo

为低电平，

CMOS制作的基本工艺的详细介绍,让刚入门的你对CMOS乃至集成电路的制作有一个系统的认识。

CMOS制作基本步骤

CMOS的制作步骤是需要经过一系列的复杂的化学和物理操作最终形成集成电路。而做为一名集成电路版图（ic layout）工程师，对于这个在半导体制造技术中具有代表性的CMOS工艺流程有个系统的了解是有很大帮助的。个人认为只有了解了工艺的版工才会在IC Layout的绘制中考虑到你所画的版图对流片产生的影响。

芯片制造厂（Fab）大概分为：扩散区，光刻区，刻蚀区，离子注入区，薄膜区和抛光区。扩散是针对高温工艺，光刻利用光刻胶在硅处表面刻印，刻蚀将光刻胶的图形复制在硅片上，离子注入对硅片掺杂，薄膜区淀积介质层和金属层，抛光主要是平坦化硅片的上表面。

简化的CMOS工艺由14个生产步骤组成：（1）双阱注入在硅片上生成N阱和P阱。（2）浅槽隔离用于隔离硅有源区。（3）通过生长栅氧化层、淀积多晶硅和刻印得到栅结构。（4）LDD注入形成源漏区的浅注入。（5）制作侧墙在随后的源、漏注入当中保护沟道。（6）中等能量的源、漏注入，形成的结深大于LDD的注入深度。（7）金属接触形成硅化物接触将金属钨和硅紧密结合在一起。

（8）局部互连形成晶体管和触点间的第一层

CMOS集成电路简述

摘 要：随着控制、通信、人机交互和网络互联等新型电子信息技术的不断发展，传统工业设备融合了大量最新的电子信息技术，它们一起构成了庞大而复杂的系统派生出大量新兴的电子信息技术电子应用需求。近年来，集成电路设计技术、集成电路制造技术等飞速发展，对现代科学与技术的发展起到了巨大的推动和促进作用。本文简述了集成电路理论，以及CMOS相关知识。

关键词：CMOS 集成电路 一、集成电路发展

自从1958年诺贝尔物理学奖获得者―美国德州仪器公司工程师 Jack Kilby发明世界上第一块集成电路以来，集成电路一直在改变人们的生活。作为电子信息产品的核心部件，集成电路通常被誉为现代电子信息产品的“芯”脏。近年间，伴随着民用家电、PC和手机等电子信息产品的大规模普及，集成电路产业得到了飞速发展。具体来说，全球集成电路产业结构经历了3次较为重大的变革。

1、首次变革：以加工制造为主导。变革初期，集成电路设计与制造产业只作为企业的附属部门而存在，

集成电路产品是为企业本身的电子系统产品而服务。此时，企业中对集成电路没有专业分工，企业所需掌握的集成电路技术十分全面，不但生产晶体管、集成电路，就连生产所需的设备都自

CMOS集成电路简述

摘 要：随着控制、通信、人机交互和网络互联等新型电子信息技术的不断发展，传统工业设备融合了大量最新的电子信息技术，它们一起构成了庞大而复杂的系统派生出大量新兴的电子信息技术电子应用需求。近年来，集成电路设计技术、集成电路制造技术等飞速发展，对现代科学与技术的发展起到了巨大的推动和促进作用。本文简述了集成电路理论，以及CMOS相关知识。

关键词：CMOS 集成电路 一、集成电路发展

自从1958年诺贝尔物理学奖获得者―美国德州仪器公司工程师 Jack Kilby发明世界上第一块集成电路以来，集成电路一直在改变人们的生活。作为电子信息产品的核心部件，集成电路通常被誉为现代电子信息产品的“芯”脏。近年间，伴随着民用家电、PC和手机等电子信息产品的大规模普及，集成电路产业得到了飞速发展。具体来说，全球集成电路产业结构经历了3次较为重大的变革。

1、首次变革：以加工制造为主导。变革初期，集成电路设计与制造产业只作为企业的附属部门而存在，

集成电路产品是为企业本身的电子系统产品而服务。此时，企业中对集成电路没有专业分工，企业所需掌握的集成电路技术十分全面，不但生产晶体管、集成电路，就连生产所需的设备都自

工艺流程简述

焦油I段工艺流程

焦油是一种成分复杂的混合物，根据焦油各组分沸点的不同，可通过蒸馏将各组分富集到相应的馏分中，为进一步提纯提供原料。

焦油在焦油大槽中，经过均和、加热、静置、脱水，用焦油泵输送到焦油中间槽。脱水塔进料泵将焦油从中间槽底部抽出，经焦油加热器与蒸汽换热，加热至115-130℃进入脱水塔。脱水塔顶部出来的蒸汽和少量轻油经脱水塔轻油冷却器冷却后，经油水分离器将分离水排出，轻油自流至轻油槽，塔底含水<0.5%的焦油由加热炉进料泵抽出经管式炉加热至400±5℃后，打入聚合塔。聚合塔顶部排出的油气进入分馏塔，进行分离，聚合塔底沥青经化验合格后放料，进入高置槽，再经链板机冷却后堆放外销。

聚合塔顶部出来的油气进入分馏塔第52层(分馏塔由55层浮阀塔板组成)，进入分馏塔的油气在上升过程中，与塔顶1层轻油回流液接触，轻油油气由分馏塔顶部排出，经轻油冷却器冷却后进入轻油回流槽。轻油回流槽内的轻油，一部分用轻油回流泵打入分馏塔1层回流，一部分满流至轻油槽(自轻油回流槽液位600mm处)。酚萘洗三混馏分自分馏塔26、28、30、32层采出，经三混冷却器进入三混贮槽，三混馏分自三混贮槽底抽出入洗涤工序或装车线外售。

I蒽油馏分自分馏塔47、49层采出，经I蒽油冷却器自流至I蒽油贮槽，I蒽油用泵打入蒽油贮槽或入装车线外售。

塔底排出的II蒽油经II蒽油冷却器进入II蒽油中间槽，再经II蒽油输送泵输送至II蒽油贮槽，II蒽油由槽

1.流程简述(Process Brief Description)

◆ BOM 是SAP系统中最基本的主数据之一，描述了产品的构成。主要用途可以运行MRP来做物料计划，在生产定单中作订单计划成本的计算，发料；扣数(Backflush)从仓库记账到生产订单。

◆ BOM构成原则定义：开发BOM由主料和关键辅料组成。主料和辅料按开发目前的定义，目前定义为主料的在SAP中仍为主料，定义为辅料的，在SAP中就为辅料。在BOM构成中，几种主要物料例如HGA，SUSP.，IC等等采用物料编码分供应商，批号作物料追踪；(即不同供应商提供的同一主料分配不同的物料编码，同时用批号追踪物料接收使用记录。) 另外需要作供应商跟踪的主料作批号管理（即不同供应商提供的同一主料用同一物料编码，而用不同的批号追踪供应商信息和物料接收使用记录）。其余不需要作供应商区分的物料只使用一个物料编码。**何种辅料需要放入BOM中待定**

◆ BOM的版本问题：当BOM中任一物料变更时，该物料即需新给一个物料编码， 至于相应的半成品和成品， 若客户需要区分成品寄货的，则相应的半成品和成品也需新给相应的物料编码，即成品BOM需要更新版本， 否则仍保留原半成品和成品物料编码。 1

本项目是以苯为原料的10万吨/年己内酰胺大型化工生产装置，包含的主要装置有环己酮、环己酮肟化、己内酰胺精制、硫铵装置、双氧水制备装置等，与10万吨/年己内酰胺工程相匹配的各装置生产能力及规模如表2-1所示。

表2-1 主要生产装置生产能力及规模表

产品名称 序号 装置名称 产品名称 单线能力 1 2 3 4 5 6 7

双氧水装置 环己酮肟化装置 己内酰胺装置 己内酰胺罐区及装卸站 己内酰胺造粒装置 废液浓缩装置 硫铵装置 27.5%双氧水 环己酮肟 液态己内酰胺 液态己内酰胺 固态己内酰胺 废水 硫铵 130000 102200 100000 44000 28000 60000 160000 装置总能力 130000 102200 100000 44000 56000 60000 160000 2.1.2生产工艺流程

? 环己酮肟化装置

（1）生产装置说明

根据业主提供相关资料，本项目己内酰胺装置采取氨肟化工艺，氨肟化工艺是近几年开发出来的一种环己酮肟生产的新工艺，它采用双氧水、液氨、环己酮为原料，一步反应直接生成环己酮肟，在发烟硫酸的作用下生产己内酰胺。因此生产流程短，控制简便，设备、管线材质要求一般，三废排放量少，目前国内

本项目是以苯为原料的10万吨/年己内酰胺大型化工生产装置，包含的主要装置有环己酮、环己酮肟化、己内酰胺精制、硫铵装置、双氧水制备装置等，与10万吨/年己内酰胺工程相匹配的各装置生产能力及规模如表2-1所示。

表2-1 主要生产装置生产能力及规模表

产品名称 序号 装置名称 产品名称 单线能力 1 2 3 4 5 6 7

双氧水装置 环己酮肟化装置 己内酰胺装置 己内酰胺罐区及装卸站 己内酰胺造粒装置 废液浓缩装置 硫铵装置 27.5%双氧水 环己酮肟 液态己内酰胺 液态己内酰胺 固态己内酰胺 废水 硫铵 130000 102200 100000 44000 28000 60000 160000 装置总能力 130000 102200 100000 44000 56000 60000 160000 2.1.2生产工艺流程

? 环己酮肟化装置

（1）生产装置说明

根据业主提供相关资料，本项目己内酰胺装置采取氨肟化工艺，氨肟化工艺是近几年开发出来的一种环己酮肟生产的新工艺，它采用双氧水、液氨、环己酮为原料，一步反应直接生成环己酮肟，在发烟硫酸的作用下生产己内酰胺。因此生产流程短，控制简便，设备、管线材质要求一般，三废排放量少，目前国内

桥头搭板的施工工艺简述 （1） 检测搭底标高

为保证搭板厚度，在桥头搭板施工以前对搭底标高进行检测，并对高出部分进行凿除，以保证搭板厚度。 （2） 清扫套管安装，油毡铺设

为防止搭板底有杂物造成搭板与搭底基层形成夹层，在绑扎钢筋之前必须清扫干净，并注意用直径为4cm、高20cm钢管套在搭板预埋钢筋上，并用沥青玛帝脂填充，同时将台帽牛腿处铺油毡。 （3）钢筋制作与绑扎

钢筋的接头采用搭接（30d或焊接10d），钢筋安装按图纸所示的位置安装，所有交叉点均用扎丝绑扎，周边用砼预制块定位，保证保护层的厚度，并注意：用定位钢筋将搭板拉杆按设计要求固定好。完毕后填写钢筋检验表，并报监理工程师签证认可。 （4） 模板的安装

钢筋绑扎验收完毕后支模板，安装时应严格控制中线位置及标高。 模板采用预埋钢筋加固，确保在施工过程中模板不因振捣等因素变形或移位。模板安装完毕后，进行检验并填写模板安装检验表，报监理工程师签字认可。

资料简介(先张法预应力梁板施工工艺)

1 张拉台

先张法的长线生产采用台座,构件在固定的台座上生产,预应力筋的张拉、锚固,混凝土浇筑、养护和预应力筋的放张等均在台座进行,因此台座要承受全部预应力筋的拉力,故称之为承台。承台

三甘醇脱水工艺简述

摘 要：天然气从开采到成为商品天然气需要经过一系列的加工处理，以除去天然气中含有的水，硫等杂质。天然气中水的存在会对天然气品质产生极大危害，因此天然气脱水工艺成为了天然气加工中极为重要的一部分。天然气脱水工艺已有悠久的历史，目前普遍采用的为甘醇吸收法脱水，其中应用最广泛的脱水工艺为三甘醇脱水工艺。

关键词：天然气 三甘醇 脱水工艺

天然气中水分的存在对天然气的品质影响极大。天然气含水会导致其燃烧不充分；天然气中的游离水会和天然气本身所夹带的H2S和CO2形成酸腐蚀管路设备；天然气中的游离水在一定条件下会和天然气中的小分子结合形成天然气水合物，水合物在管道中形成会造成管道堵塞，使天然气输气量下降，增大管线的压差，严重时会造成管道事故。由此可见水分在天然气中的存在是危害极大的事，因此，需要脱除天然气中部分的水分，以满足管输和用户的需要。较为常用的天然气脱水方法有溶剂吸收法、低温法、固体吸收法等。近年来兴起的一些新兴的天然气脱水方法有膜分离法、超音速脱水法等。

目前，最常用的方法仍是溶剂吸收法脱水，其吸收原理

是采用一种亲水的溶剂与天然气充分接触，使水传递到溶剂中从而达到脱水的目的。利用甘醇进行吸收脱水