泰山学院模拟电子技术

第一章

一、选择题（请选择一个最合适的答案填入括号内） 1. P型半导体中的多数载流子是（ ），N型半导体中的多数载流子是（ ）。

A. 自由电子 B. 空穴 C. 电荷

2. 当PN结正偏时，空间电荷区中载流子的扩散运动和漂流运动相比（ ）。

A. 前者强于后者 B. 后者强于前者 C.二者平衡 3. 二极管正向导通的条件是外加电压（ ）。

A. >0 B. >死区电压 C. >击穿电压 D. <死区电压 4. 把一个二极管直接同一个电动势为1.5V，内阻为零的电池正向连接，该管（ ）。

A. 击穿 B. 电流为零 C. 电流正常 D. 电流过大使管子烧坏 5. 在本征半导体中加入_____元素可形成N型半导体，加入_____元素可形成P型半导体。 A.五价 B.四价 C.三价 D. 二价 6. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将_____

A.增大 B.不变 C.减小 D. 置零

7. 工作在放大区的某三极管，如果当I

《 模 拟 电 子 技 术 》 练 习

填 空

1.半导体是一种导电能力介于 ________与 ________ 之间的物质 。 2.当外界温度、光照等发生变化时，半导体的______能力会发生很大变化。

3.在半导体中，参与导电的不仅有_________，而且还有_______，这是半导体区别导体导电的重要特征 。 4.N型半导体主要靠_______导电，P型半导体主要靠______导电 。 5.PN结正向偏置是将P区接电源的______极，N区接电源的_____极 。

6.PN结加正向电压时______，加反向电压时________，这种特性称为PN结的______________________________。 7.二极管的最主要特性是__________，使用时应考虑的两个主要参数是__________和______________。 8.在常温下，硅二极管的死区电压约为______V，导通后在较大电流下的正向压降约为________V，锗二极管的死区电压约为_______V，导通后在较大电流下的正向压降约为_______ V。

9.当加在二极管两端的反向电压过高时，二极管会被 ________ 。 10.用指针式万用表的两表棒分

模拟电子技术基础

一、基础题

1、在图中，RF反馈电路引入的是：

RFR1?ui?R2RLR A.并联电流负反馈 B.串联电压负反馈 C.并联电压负反馈 D.串联电流负反馈 答案A

2、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 答案×

3、在纯净的半导体中如果掺入三价元素，就是P型半导体。

答案√

4、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 答案×

5、双极性三极管的电流不仅有多子的运动，也要考虑少子的运动； 答案√

6、二极管的伏安特性上有一个死区电压，这个电压的大小与半导体的材料有关； 答案√

7、NPN晶体管的发射区和集电区都是N型半导体，所以发射极和集电极可以调换使用； 答案×

8、晶体管是电流控制元件； 答案√

9、发光二极管（LED）发光时一定是正向导通的； 答案√

10、将PN结的N区接电源的正极，P区接电源的负极，则为PN结的_______偏置。 答案：反向。

11、本征半导体就是完全纯净的、具有_______结构的半导体；用得最多的半导体材料就是_______和_______； 答案：晶体；硅；锗；

12、二极管具有_______导电性；稳压二极管是一种特殊的二极管，它一般工作在____

《模拟电子技术》模拟试题一

一、 填空题：（每空1分 共40分）

1、PN结正偏时（ ），反偏时（ ），所以PN结具有（ ）导电性。

2、漂移电流是（ ）电流，它由（ ）载流子形成，其大小与（ ）有关，而与外加电压（ ）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（ ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（ ），等

效成断开；

4、三极管是（ ）控制元件，场效应管是（ ）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（ ），集电结（ ）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（ ），发射结压降（ ）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（ ）、（ ）、（ ）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（ ）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（ ）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（ ），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（ ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（ ）BW，其中BW=（ ）， （

《模拟电子技术》模拟试题一

一、 填空题：（每空1分 共40分）

1、PN结正偏时（ ），反偏时（ ），所以PN结具有（ ）导电性。

2、漂移电流是（ ）电流，它由（ ）载流子形成，其大小与（ ）有关，而与外加电压（ ）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（ ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（ ），等

效成断开；

4、三极管是（ ）控制元件，场效应管是（ ）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（ ），集电结（ ）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（ ），发射结压降（ ）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（ ）、（ ）、（ ）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（ ）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（ ）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（ ），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（ ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（ ）BW，其中BW=（ ）， （

泰山学院物理与电子工程学院

2010级通信工程、电子信息科学与技术专业本科

2011～2012学年第一学期 《模拟电子技术》试卷A

（试卷共8页，答题时间120分钟）

题号 得分 一 二 三 四 五 总分 统分人 复核人

得分 阅卷人 一、填空题（每空1分，共 10分）

1、三极管工作在饱和区时，发射结应______偏置，集电结应_______偏置。 2、三极管基本放大电路中，输出信号与输入反相的是_____ 放大电路。 3、差分放大电路能很好地抑制 信号。

4、运算电路中集成运放应工作在 区，电压比较器中的集成运放工作在__________________区。

4、为了稳定放大电路的静态工作点，应该引入______负反馈。 6、三端集成稳压器W7805的固定输出电压是 V。

7、静态工作点过高容易产生 失真，过低产生 失真。

得分 阅卷人 二、选择题（每题 2分，共 30分。请将答案填在 下面的表格内）

8 9 10 11 12 13 14 15 题号 1 2 3 4 5 6 7 答案

《模拟电路》

教案

课 程 名 称 电子三年制《模拟电路》 授 课 学 时 64 主讲(责任)教师 参与教学教师________________________________ 授课班级/人数 专业（教研室） 电 子

教 案

课程名称：模拟电子技术基础 第 讲 课 型 教学重点 1 授课题目 半导体基础知识、半导体二极管 讲授 使用教具 多媒体 1、了解本征半导体、杂质半导体的导电机理 2、熟悉N型半导体，P半导体的基本特性 3、异形半导体接触现象 4、二极管的伏安特性、单向导电性及等效电路（三个常用模型） 1、 半导体的导电机理:两种载流子参与导电； 2、 掺杂半导体中的多子和少子 3、 PN结的形成； 4、 二极管在电路中导通与否的判断方法，共阴极或共阳极二极管的优先导通问题； 教学内容 教学组织过程 教学难点 1 半导体的基本知识

模拟电子技术

习题答案

电工电子教学部

2012.2

1

2 第一章 绪论

一、填空题：

1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量，即 电信号 。

2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。

3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。

4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。

5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。

6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。

7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。

8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。

9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。

10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。

11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量 的能力。

12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示，其表达式分别是

dB lg 20v A =电压增益 、dB

攀枝花学院考试试卷 以下内容由 学生填写 院（系）： _________ _ 班级： 教学班： 任课教师: 姓名： 2008～2009学年度第一学期

《模拟电子技术》试卷（B卷）

适用专业年级：2007级网络工程，2007计算机科学与技术

考试形式：开（ ）、闭（√）卷 题号 一 得分

二 三 四 五 六 七 八 总分 统分人 注：学生在答题前，请将密封线内各项内容准确填写清楚，涂改及模糊不清者、

试卷作废。

学号：

得分 阅卷人 一、填空题（每空1分，共10分）

出题教师： 黄 昆 教研室主任审核： 院（系）主任签字： 印题份数： 1．在P型半导体中，多数载流子是 。

2．一般硅二极管的反向饱和电

湖南人文科技学院 通控 系通信专业07级 2008---2009学年第一学期模拟电子技术课程自测试卷(B)答案 考核方式: （闭卷) 考试时量：120 分钟 题 号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 合分人 复查人 实得分 得分 评卷 人

一、填空题：（每空1分，共20分）

名姓1、掺杂半导体按掺入杂质元素的不同，可分为 N 型半导体和 P 型半导体。 2、已知晶体三极管的额定功耗PCM=120mW，当VCE=5V时，为使晶体三极管安全工 作，其集电极电流不能超过24mA。

3、如图1所示的功率放大电路处于乙类工作状态，其静 号学态损耗为 0 ；电路的最大输出功率为1V2cc2?R，每个晶体

L 管的管耗为最大输出功率的0.2倍，每个晶体管承受的最 大电压为2VCC。

图1

师4、在深度负反馈时，放大电路增益AF与反馈系数F间的关系为AF=1/F。

教课5、直流稳压电源中，电容滤波和电感滤波适用于不同的情况，当负载电阻为