计算机先后经历了以电子管什么集成电路
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计算机先后经历了以电子管
填空题
1. 计算机先后经历了以电子管、( )、集成电路、大规模和超大规模集成电路为主要
元器件的时代。 答案:晶体管
2. 计算机具有运算速度快、( )、记忆和逻辑判断能力和计算机内部操作的自动化等
特点。
答案:计算精度高
3. 基于冯.诺依曼思想设计的计算机,主要特点是( )等。
答案:存储程序、程序控制
4. 可以将各种数据转换成为计算机能处理的数据形式并输送到计算机中的是( )设备。 答案:输入
5. “计算机辅助设计”简称为( )。
答案: CAD
6. 世界上首次提出存储程序的计算机体系结构的人是( )。 答案:冯.诺依曼
7. 在计算机工作时,内存用来存储( )。
答案:程序及中间数据 8. 十进制数53转换为十六进制数为( )。
答案:35
9. 在微机中,字符的比较就是对它们的( )码进行比较。
答案:ASCll
10. 十进制数123用八位二进制表示为( )。
答案:1111011
11. 用十六进制给存储器中的字节地址进行编号,其地址编号是从0000到FFFF,则该存储
器的容量是( )KB。 答案:64KB
12. 8位无符号二进制数能表示的最大十进制数是( )。
答案:255
13. 将原码表示的
电工电子综述CMOS集成电路
--
CMOS集成电路
摘要:CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor),互补金属氧化物半导体,电压控制的一种放大器件,是组成CMOS数字集成电路的基本单元。CMOS集成电路是目前大规模(LSI)和超大规模(VLSI)集成电路中广泛应用的一种电路结构,相对于传统的双极型、NMOS和PMOS集成电路而言,其在功率消耗、噪声抑制等方面具有明显的优势。
关键词:CMOS 集成电路优势工作原理防护措施
一、CMOS集成电路简介
CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor),互补金属氧化物半导体,电压控制的一种放大器件,是组成CMOS数字集成电路的基本单元。在计算机领域,CMOS常指保存计算机基本启动信息(如日期、时间、启动设置等)的芯片。有时人们会把CMOS和BIOS混称,其实CMOS是主板上的一块可读写的RAM芯片,是用来保存BIOS的硬件配置和用户对某些参数的设定。CMOS可由主板的电池供电,即使系统掉电,信息也不会丢失。CMOS ROM本身只是一块存储器,只有数据保存功能。而对BIOS中各项参数的设定要通过专门的程序。BIOS设置程序一般都被厂商整合在芯片中,
德国电子管替换
E
E2b = (E2e) E2c = (E2b) E2d = (EL11) E2d III = AL4 E2e = (E2b)
E3a II = RES964 = (AL1) E3a III = AL1 E3F = (EF13)
E10-11GH = 4UP31
E20C = 3A/167M = 437A E55L = 8233 E80CC = 6085 E80CF = 7643 E80F = 6084 E80L = 6227 E80T = 6218
E81CC = 6201 = ECC801S E81L = 6686 = 18045
E82CC = 6189 = ECC802S E83CC = 6057 = ECC803S E83F = 6689 = (18042) E86C = EC806S E88C = 8255
E88CC = 6922 = CCa E90CC = 5920
E90F = 6661 = 7693 E90Z = 6063 = 6X4WA E91AA = 5726 = EAA901S E91H = 5915 = 6687 E91N = 5727 E92CC = (6829)
E95F = 5654 = 6AK5W E9
集成电路代换
各种集成电路的代换
集成电路代换
集成块代换
各种集成电路的代换
BA2165 BA328 BA3308 BA3910 BA4220 BA422O BA4260 BA4260 BA4558 BA536 BA5402 BA6124 BA6137 BA6209 BA6238 BA6654 BH3856FS BH3856S BR24C04F-E 2 SMD BT9151-3 BU2741 BU2744 BU3856S CA1190 CA1310 CA1458 CA3045 CA3046 CA3065 CA3068 CA3080 CA3086 CA3089 CA3189 CA324 CA324 CA339 CA4000 CA555 CA741 CA741
KA287,LB1433 LA3161 KA22241 BA3918 HA12413 HA12413,KA2242, KA42243 KA22247,LA1260 KA2247 RC4558,CA1458 BA5402 BA536 KA2284,AN6884, LB1403 KA2285,KB1423 I281P KA8305 DBL1016 BU3856FS BU3856 CAR24WC08JI UM915
电子科技大学集成电路实验报告——模拟集成电路
CMOS模拟集成电路设计及HSPICE使用
实验学时:4学时
实验一 CMOS工艺参数测量 一、实验目的:
学习和掌握EDA仿真软件Hspice;了解CMOS工艺技术及元器件模型,掌握MOSFET工作原理及其电压电流特征;通过仿真和计算,获得CMOS中NMOS和PMOS的工艺参数kp,kn, p, n,Vtp,Vtn,为后续实验作准备。
二、实验内容:
1) 通过Hspice仿真,观察NMOS和PMOS管子的I-V特性曲线;
2)对于给定长宽的MOSFET,通过Hspice仿真,测得几组栅-源电压、漏-源电压和漏-源电流数据,代入公式IDSn
1W
Kn()n(VGS Vtn)2(1 nVDS),求得对应的工艺参数2L
kp,kn, p, n,Vtp,Vtn 。
三、实验结果:
本实验中所测试的NMOS管、PMOS管L=1u,W由学号确定。
先确定W。W等于学号的最后一位,若学号最后一位=0,则W=10u。所以,本实验中所测试的NMOS管、PMOS管的尺寸为:
(1) 测0.5um下NMOS和PMOS管的I-V特性曲线
所用工艺模型是 TSMC 0.50um。
所测得的Vgs=1V时,NMOS管Vds从0V到2.5V变化时的I-V特性曲线为:
所测得的Vds=1.2V
电子科技大学集成电路实验报告——模拟集成电路
CMOS模拟集成电路设计及HSPICE使用
实验学时:4学时
实验一 CMOS工艺参数测量 一、实验目的:
学习和掌握EDA仿真软件Hspice;了解CMOS工艺技术及元器件模型,掌握MOSFET工作原理及其电压电流特征;通过仿真和计算,获得CMOS中NMOS和PMOS的工艺参数kp,kn, p, n,Vtp,Vtn,为后续实验作准备。
二、实验内容:
1) 通过Hspice仿真,观察NMOS和PMOS管子的I-V特性曲线;
2)对于给定长宽的MOSFET,通过Hspice仿真,测得几组栅-源电压、漏-源电压和漏-源电流数据,代入公式IDSn
1W
Kn()n(VGS Vtn)2(1 nVDS),求得对应的工艺参数2L
kp,kn, p, n,Vtp,Vtn 。
三、实验结果:
本实验中所测试的NMOS管、PMOS管L=1u,W由学号确定。
先确定W。W等于学号的最后一位,若学号最后一位=0,则W=10u。所以,本实验中所测试的NMOS管、PMOS管的尺寸为:
(1) 测0.5um下NMOS和PMOS管的I-V特性曲线
所用工艺模型是 TSMC 0.50um。
所测得的Vgs=1V时,NMOS管Vds从0V到2.5V变化时的I-V特性曲线为:
所测得的Vds=1.2V
集成电路工艺总结
4#210宿舍 集体版总结
引言
第一只晶体管 ?第一只晶体管, AT&T Bell Lab, 1947 ?第一片单晶锗, 1952
?第一片单晶硅, 1954 (25mm,1英寸) ?第一只集成电路(IC), TI, 1958 ?第一只IC商品, Fairchild, 1961
摩尔定律晶体管最小尺寸的极限 ?价格保持不变的情况下晶体管数每12月翻一番,1980s后下降为每18月翻一番;
?最小特征尺寸每3年减小70%
?价格每2年下降50%;
IC的极限
?硅原子直径: 2.35 ?;
?形成一个器件至少需要20个原子;
?估计晶体管最小尺寸极限大约为50 ?或0.005um,或5nm。
电子级多晶硅的纯度
一般要求含si>99.9999以上,提高纯度达到
99.9999999—99.999999999%(9-11个9)。其导电性介于10-4-1010
? /cm。电子级高纯多晶硅以9N以上为宜。
1980s以前半导体行业的模式
1980s以前:大多数半导体公司自己设计、制造和测试IC芯片,如 Intel,IBM
1990s以后半导体行业的模式
F&F模式,即Foundry(代工)+Fabless(无生产线芯片设计),
什么是Foundry
常用集成电路功能
鹏运发科技有限公司 收音机用集成电路
序号 产品型号 功能与用途 封装形式 境外同类产品
1 YD1000 DTS用AM/FM单片立体声收音机电路 TSSOP24 DTS是数字化影院系统
2 YD1191 AM/FM单片收音机电路 SOP28 CXA1191
3 YD1600 AM单片收音机电路 SIP9 LA1600
4 YD1619 AM/FM单片收音机电路 SOP28/SDIP30 CXA1619
5 YD1800 AM/FM单片收音机电路 SDIP22 LA1800
6 YD2003 AM/FM单片收音机电路 DIP16 TA2003
7 YD2111 AM/FM单片立体收音机电路 SDIP24/SSOP24 TA2111
8 YD2149 DTS用AM/FM单片立体声收音机电路 SDIP24/SSOP24 TA2149
9 YD7088 FM自动搜索单片收音机电路 SOP16 TDA7088T
10 YD72130 AM/FM频率锁相环 SDIP24 LC72130
11 YD72131 AM/FM频率锁相环 SDIP22 LC72131
12 YD7343 FM立体声解调电路 SIP9 TA7343
13 YD7640 AM/FM单片收音机电路 DIP16
集成电路产业发展
集成电路不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用,同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。用集成电路来装配电子设备,其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍,设备的稳定工作时间也可大大提高。在当今信息化的社会中,集成电路已成为各行各业实现信息化、智能化的基础。无论是在军事还是民用上,它已起着不可替代的作用。
集成电路产业发展
The development of the integrated circuit industry
摘要:目前我国的集成电路产业取得了一定的成绩,产业化规模急剧扩大,技术水平和整体素质不断提高,当前正处于规模最大、时间持续最长的高速成长期,但是不管是与国内经济发展新形势的需要,还是与西方发达国家的先进技术比较,都还有一定差距。如何紧紧抓住国家提供的宝贵机遇,迎接各种风险和挑战,又好又快地推进集成电路产业向前发展,这些问题和困难都需要我们采取有效的对策,在今后的发展中加以解决。集成电路不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用,同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。用集成电路来装配电子设备,其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍,设备的稳定工作时间也可大大提高。在当
74系列集成电路
74HC/LS/HCT/F系列芯片的区别
1、 LS是低功耗肖特基,HC是高速COMS。LS的速度比HC略快。HCT输入输出与LS兼容,但是功耗低;F是高速肖特基电路; 2、 LS是TTL电平,HC是COMS电平。
3、 LS输入开路为高电平,HC输入不允许开路, hc 一般都要求有上下拉电阻来确定输入端无效时的电平。LS 却没有这个要求 4、 LS输出下拉强上拉弱,HC上拉下拉相同。
5、 工作电压不同,LS只能用5V,而HC一般为2V到6V;
6、电平不同。LS是TTL电平,其低电平和高电平分别为0.8和V2.4,而CMOS在工作电压为5V时分别为0.3V和3.6V,所以CMOS可以驱动TTL,但反过来是不行的
7、 驱动能力不同,LS一般高电平的驱动能力为5mA,低电平为20mA;而CMOS的高低电平均为5mA; 8、 CMOS器件抗静电能力差,易发生栓锁问题,所以CMOS的输入脚不能直接接电源。 74系列集成电路大致可分为6大类: . 74××(标准型); .74LS××(低功耗肖特基); .74S××(肖特基);
.74ALS××(先进低功耗肖特基); .74AS××(先进肖特基); .74F××(高速)。
近年来还出现了高速CMO