模拟电子技术期末试题pdf

第四章 集成运算放大电路

自 测 题

一、选择合适答案填入空内。

（1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为 C 。 A．可获得很大的放大倍数 B. 可使温漂小 C．集成工艺难于制造大容量电容 （2）通用型集成运放适用于放大 B 。 A．高频信号 B. 低频信号 C. 任何频率信号

（3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的 C 。 A. 指标参数准确 B. 参数不受温度影响 C．参数一致性好

（4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 A 。 A．减小温漂 B. 增大放大倍数 C. 提高输入电阻

（5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 A 。 A．共射放大电路 B. 共集放大电路 C．共基放大电路

解：（1）C

填空题

1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V；锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。 2、二极管的正向电阻 小 ；反向电阻 大 。

3、二极管的最主要特性是 单向导电性 。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。

4、二极管最主要的电特性是 单向导电性 ，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 电阻 。

5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为 模拟 电子技术。

6、PN结反向偏置时，PN结的内电场 增强 。PN具有 具有单向导电 特性。

7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为 0.7 伏；其门坎电压Vth约为 0.5 伏。

8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由 多数 载流子的 扩散 运动形成。

9、P型半导体的多子为 空穴 、N型半导体的多子为 自由电子 、本征半

《模拟电子期末练习题》应用电子2班张昌文

《模拟电子技术》模拟试题一

填空题：（每空1分共40分）

1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。

2、漂移电流是（反向）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开；

4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变大），发射结压降（变小）。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共射极共集电极共基极共）、放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（直流）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（电流）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（A/1+AF ），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称

为（）信号。

12、

《模拟电子期末练习题》应用电子2班张昌文

《模拟电子技术》模拟试题一

填空题：（每空1分 共40分）

1、PN结正偏时（ 导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。

2、漂移电流是（ ）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变大），发射结压降（变小）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共）、（）、（）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等

《 模 拟 电 子 技 术 》 练 习

填 空

1.半导体是一种导电能力介于 ________与 ________ 之间的物质 。 2.当外界温度、光照等发生变化时，半导体的______能力会发生很大变化。

3.在半导体中，参与导电的不仅有_________，而且还有_______，这是半导体区别导体导电的重要特征 。 4.N型半导体主要靠_______导电，P型半导体主要靠______导电 。 5.PN结正向偏置是将P区接电源的______极，N区接电源的_____极 。

6.PN结加正向电压时______，加反向电压时________，这种特性称为PN结的______________________________。 7.二极管的最主要特性是__________，使用时应考虑的两个主要参数是__________和______________。 8.在常温下，硅二极管的死区电压约为______V，导通后在较大电流下的正向压降约为________V，锗二极管的死区电压约为_______V，导通后在较大电流下的正向压降约为_______ V。

9.当加在二极管两端的反向电压过高时，二极管会被 ________ 。 10.用指针式万用表的两表棒分

风电班 电子技术基础期末试题

一、 填空题（每空1分共20分）

1、最常用的半导体材料有 和

2、 锗二极管的导通电压降 硅二极管的导通电压降 3、 是最简单的半导体器件。

4、 有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明二极管 5、 有一硅二极管正反向电阻接近无穷大，表明二极管 6、 半导体二极管具有 性，可作为开关元件。

7、三极管在电路中有三种组态，即_____________组态 ，_____________ 组态，_____________ 组态。

8、三极管是一种( )控制的半导体器件.

9、数字信号的特点是在 和 上都是不连续变化的。 10、用二进制数表示文字、符号等信息的过程称为_____________。 11、最基本的三种逻辑运算是 、 、 。 12、逻辑函数常用的表示方法有 、 二、判断（10分）

1、半导体二极管只要加正向电压就能导通。（ ）

2、二极管代替换用时，硅材料关不能与锗材料管互换。（ ）

电子技术模拟试题卷库 电子技术 试卷一

一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内 (本大题共13小题，总计34分) 1、(本小题2分)

由开关组成的逻辑电路如图所示，设开关接通为“1”， 断开为“0”， 电灯亮为“1”， 电灯暗为“0”， 则该电路为 ( )。

(a)“ 与” 门 (b)“ 或” 门 (c) “ 非” 门

AHL+B－

2、(本小题2分)

若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( )(a) 正、反向电阻相等

(b) 正向电阻大 ，反向电阻小 (c) 反向电阻比正向电阻大很多倍 (d) 正、反向电阻都等于无穷大 3、(本小题2分)

运算放大器电路如图所示，RF1和RF2均为反馈电阻，其反馈极性为 ( ) 。

(a) RF1引入的为正反馈，RF2引入的为负反馈 (b) RF1和RF2引入的均为负反馈 (c) RF1和RF2引入的均为正反馈

(d) RF1引入的为负反馈，RF2引入的为正反馈

RF1uIR1-∞u＋o＋RR2F2

4、(本小题2分)

振荡电路的幅度特性和反馈特性如图所示，通常振荡幅度应稳定在 （ ）。 (

《电子技术基础》考试模拟样卷

《电子技术基础》模拟试题一

一、选择题（每空2分 共30分）

1、PN结正偏时（ ），反偏时（ ），所以PN结具有（ ）导电性。

2、漂移电流是（ ）电流，它由（ ）载流子形成，其大小与（ ）有关，而与外加电

压（ ）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（ ），等效成一条直线；当其反偏时，结电

阻为（ ），等效成断开；

4、三极管是（ ）控制元件，场效应管是（ ）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（ ），集电结（ ）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（ ），发射结压降（ ）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（ ）、（ ）、（ ）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（ ）负反馈，为了稳定交流输出电流采用

（ ）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（ ），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=

（ ）。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（ ）BW，其中BW=（ ）， （ ）称为反馈深度。

11、

风冈县中等职业技术学校 模拟电子技术试卷十

模拟电子技术测验 试卷十

班级：___________姓名：___________学号：___________

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每一小题２分，共２０分)

（1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（ ） A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度

D.晶体缺陷

(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态

(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管

① ③

D.PNP型硅管 －2V ② －2.2V (4 )温度上升时，半导体三极管的( ) －8V A.β和ICEO增大，uBE下降

图1

B.β和uBE增大,ICEO减小 C.β减小，ICEO和uBE增大 D.β、ICEO和uBE均增大

(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.

风冈县中等职业技术学校 模拟电子技术试卷十

模拟电子技术测验 试卷十

班级：___________姓名：___________学号：___________

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每一小题２分，共２０分)

（1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（ ） A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度

D.晶体缺陷

(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态

(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管

① ③

D.PNP型硅管 －2V ② －2.2V (4 )温度上升时，半导体三极管的( ) －8V A.β和ICEO增大，uBE下降

图1

B.β和uBE增大,ICEO减小 C.β减小，ICEO和uBE增大 D.β、ICEO和uBE均增大

(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.