led芯片的制作流程
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LED芯片制作
供参考
MOCVD实物图
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Hall measurement
供参考
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材料所的外延片
(002): 225arcsec (102) : 256 arcsec
强 度 计 数 (002) (102)-720 -360
ω (arcsec)
0
360
720
位错密度:8×107/cm2。
通过对GaN的生长模式、光、电、结晶性能、缺陷和位错进行 分析,获得位错密度低于1×108/cm2的未掺杂GaN材料。
供参考
强 度 A 计 数)BC 15.0 16.0 17.0 18.0 19.0 20.0
1.0μ m
1.0μ m
1.0μ m
A
B
C
2θ (degree)
供参考
图形衬底生长GaN
衬底截面
生长GaN截面
GaN表面
采用图形衬底,进一步提高了GaN质量。
供参考
在Si衬底上生长出了表面无裂纹的GaN材料。
x100
供参考
LED外延片产品
AlGaInP红光LED外延片
GaN基蓝光LED外延片
LED外延片电致发光
供参考
Room temperature properties of semiconductorssymbolCrystal structure Lattice constant
LED发光字制作流程
发光字制作流程
LED发光字制作流程
目 录
一、LED灯串产品介绍及比较 1、LED灯串产品的概述 2、LED产品的应用范围 3、LED防水灯串的描述及特点 4、LED产品性能参数
5、LED照明与普通霓虹灯照明运营成本比较 6、户外广告载体性能比较 二.LED发光字相关材料介绍 1、发光字字体材料及加工方法 2、发光字线材 3、发光字控制单元 4、发光字变电箱 三、发光字前期设计 1、绘画字体并排孔 2、制作效果图 3、绘制施工图 四、发光字制作和组装 1、LED灯串安装插式及配线 2、控制单元的组装
发光字制作流程
五、发光字现场施工 1、招牌的安装 2、电力系统的安装 六、完成发光字案例
一、LED灯串产品介绍
1、LED灯串产品的概述
LED灯串产品,是采用先进的LED半导体芯片作为发光组件,通过科学的防水处理处理,使发光字安装方便,有效降低安装成本,大大提升品质,减少不良损耗, LED灯座双向取、装,让维护变得简单,彻底解决LED工程维护难的问题,是取代传统夜景照明和装饰的换代产品,是一种环保节能、科技含量很高、简洁明亮、亮化装饰及照明光源,专门用于立体字内的发光、各种标识、景观
LED发光字制作流程
发光字制作流程
LED发光字制作流程
目 录
一、LED灯串产品介绍及比较 1、LED灯串产品的概述 2、LED产品的应用范围 3、LED防水灯串的描述及特点 4、LED产品性能参数
5、LED照明与普通霓虹灯照明运营成本比较 6、户外广告载体性能比较 二.LED发光字相关材料介绍 1、发光字字体材料及加工方法 2、发光字线材 3、发光字控制单元 4、发光字变电箱 三、发光字前期设计 1、绘画字体并排孔 2、制作效果图 3、绘制施工图 四、发光字制作和组装 1、LED灯串安装插式及配线 2、控制单元的组装
发光字制作流程
五、发光字现场施工 1、招牌的安装 2、电力系统的安装 六、完成发光字案例
一、LED灯串产品介绍
1、LED灯串产品的概述
LED灯串产品,是采用先进的LED半导体芯片作为发光组件,通过科学的防水处理处理,使发光字安装方便,有效降低安装成本,大大提升品质,减少不良损耗, LED灯座双向取、装,让维护变得简单,彻底解决LED工程维护难的问题,是取代传统夜景照明和装饰的换代产品,是一种环保节能、科技含量很高、简洁明亮、亮化装饰及照明光源,专门用于立体字内的发光、各种标识、景观
高亮度LED芯片生产工艺流程
高亮度LED芯片生产工艺流程
高亮度LED芯片生产分为芯片制作和芯片封装两大部分
一、芯片制作
外延片 去胶 退火 清洗 干法刻蚀 SiO2沉积 镀透明电极层 平台图形光刻 窗口图形光刻 透明电极图形光刻 去胶 SiO2腐蚀 腐蚀 去胶 退火 剥离 镀膜 预清洗 N极图形光刻 P极图形光刻 镀膜 剥离 研磨 切割 芯片
首先在衬低上制作氮化镓(GaN)基的晶圆,这个过程主要是在金属有机化学气相沉积晶圆炉(MOCVD)中完成的。准备好制作GaN基晶圆所需的材料源和各种高纯的气体之后,按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底,还有GaAs、AlN、ZnO等材料。
MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应,将所需的产物沉积在衬底表面。通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例,从而控制镀膜成分、晶相等质量。MOCVD外延炉是制作LED外延片最常用的设备。
然后是对LED PN结的两个电极进行加工,电极加工也是制作LED芯片的关键工序,包括清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨;然后对LED毛片进行划片、测试和分选,就可以得到所需的LED芯片。如果芯片清洗不够干净
高亮度LED芯片生产工艺流程
高亮度LED芯片生产工艺流程
高亮度LED芯片生产分为芯片制作和芯片封装两大部分
一、芯片制作
外延片 去胶 退火 清洗 干法刻蚀 SiO2沉积 镀透明电极层 平台图形光刻 窗口图形光刻 透明电极图形光刻 去胶 SiO2腐蚀 腐蚀 去胶 退火 剥离 镀膜 预清洗 N极图形光刻 P极图形光刻 镀膜 剥离 研磨 切割 芯片
首先在衬低上制作氮化镓(GaN)基的晶圆,这个过程主要是在金属有机化学气相沉积晶圆炉(MOCVD)中完成的。准备好制作GaN基晶圆所需的材料源和各种高纯的气体之后,按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底,还有GaAs、AlN、ZnO等材料。
MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应,将所需的产物沉积在衬底表面。通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例,从而控制镀膜成分、晶相等质量。MOCVD外延炉是制作LED外延片最常用的设备。
然后是对LED PN结的两个电极进行加工,电极加工也是制作LED芯片的关键工序,包括清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨;然后对LED毛片进行划片、测试和分选,就可以得到所需的LED芯片。如果芯片清洗不够干净
LED芯片常用衬底材料
LED芯片常用衬底材料选用比较
对于制作LED芯片来说,衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底,需要根据设备和LED器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底: 1. 蓝宝石(Al2O3) 2. 硅 (Si) 3. 碳化硅(SiC) 蓝宝石衬底
通常,GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点:首先,蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好;其次,蓝宝石的稳定性很好,能够运用在高温生长过程中;最后,蓝宝石的机械强度高,易于处理和清洗。因此,大多数工艺一般都以蓝宝石作为衬底。图1示例了使用蓝宝石衬底做成的LED芯片。
图1 蓝宝石作为衬底的LED芯片
使用蓝宝石作为衬底也存在一些问题,例如晶格失配和热应力失配,这会在外延层中产生大量缺陷,同时给后续的器件加工工艺造成困难。蓝宝石是一种绝缘体,常温下的电阻率大于1011Ω·cm,在这种情况下无法制作垂直结构的器件;通常只在外延层上表面制作n型和p型电极(如图1所示)。在上表面制作两个电极,造成了有效发光面积减少,同时增加了器件制造中的光刻和刻蚀工艺过程,结果使材料利用率降低、成本增加。由于P型
国内LED芯片厂家现状
国内10大LED芯片厂排名
1、厦门三安光电
(主流全色系超高亮度LED芯片,各项性能指标领先,蓝、绿光ITO(氧化铟锡)芯片的性能指标已接近国际最高指标,在同行内具有较强竞争力。) 2、大连路美
(路美拥有上百个早期国际国内核心专利,范围横跨外延、芯片、封装、灯具、发光粉等。) 3、杭州士兰明芯
(其技术优势在于芯片制造工艺,同时受益母公司强大的集成电路和分立器件生产线经验。公司LED显示屏芯片的市场占有率超过50%,09年作为唯一的国产芯片厂商中标广场LED显示屏。) 4、武汉迪源光电
(武汉迪源目前的产品主要以0.5W和1W LED芯片为主,月产能为10-15KK,主要生产45、50和60mil的大功率LED芯片,同时迪源已拥有1项美国专利和4项中国专利。) 5、广州晶科电子
(是珠三角唯一一家大功率、高亮度、高稳定性蓝光LED芯片制造企业。晶科核心产品优势是功率型氮化镓蓝LED芯片和超大功率模组芯片(5W、10W、15W、30W等)。同时在美国和中国拥8项发明专利,并以每年申请2项发明专利的速度进行持续的技术创新,拥有晶片级倒装焊技术倒装大功率芯片制造技术及多芯片集成技术。) 6、上海蓝宝光电
(以中科院物理所为技术支撑,拥有成熟的大
LED芯片常用衬底材料
LED芯片常用衬底材料选用比较
对于制作LED芯片来说,衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底,需要根据设备和LED器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底: 1. 蓝宝石(Al2O3) 2. 硅 (Si) 3. 碳化硅(SiC) 蓝宝石衬底
通常,GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点:首先,蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好;其次,蓝宝石的稳定性很好,能够运用在高温生长过程中;最后,蓝宝石的机械强度高,易于处理和清洗。因此,大多数工艺一般都以蓝宝石作为衬底。图1示例了使用蓝宝石衬底做成的LED芯片。
图1 蓝宝石作为衬底的LED芯片
使用蓝宝石作为衬底也存在一些问题,例如晶格失配和热应力失配,这会在外延层中产生大量缺陷,同时给后续的器件加工工艺造成困难。蓝宝石是一种绝缘体,常温下的电阻率大于1011Ω·cm,在这种情况下无法制作垂直结构的器件;通常只在外延层上表面制作n型和p型电极(如图1所示)。在上表面制作两个电极,造成了有效发光面积减少,同时增加了器件制造中的光刻和刻蚀工艺过程,结果使材料利用率降低、成本增加。由于P型
单线LED调光芯片的设计与实现
单线LED调光芯片的设计与实现
1.引言
LED以其使用时间长、大视角、高亮度、色彩斑斓等特点而在近年来迅速的发展,它是继白炽灯、高强度放电灯、荧光灯之后第四代新能源。LED属于P/N结型半导体,它作为一种固态冷光源,与传统光源相比,具有耗电量小、环保、安全可靠、体积小的优点。为了加强节能减排的目,所以各种类型的LED驱动器中加上调光的功能是大势所趋。通常,LED驱动器的调光方式有3种:可控硅调光、模拟调光、PWM(脉宽调制)调光。每种调光方式都有其优点及局限性。为了便于数字信号控制,本芯片主要采用脉宽调制(PWM)来调光。脉冲宽度调制(PWM)就是脉冲调制方法中的一种,是指工作频率恒定(即工作周期不变),通过改变功率开关管导通时间或截止时间来改变占空比。占空比是指高电平在一个周期之内所占的时间比率,通过占空比的调整使输出电压稳定的方式。广泛应用在从测量、通信到功率控制与变换及LED照明等许多领域中。 2.芯片结构框图
图1所示为该调光芯片的结构框图,其中SDI用于接收数据,SDO用于数据的向后传输,振荡器为芯片提供时钟晶振,VLED为芯片提供电源,LDO为一线性稳压器,数字控制单元包括decode模块、PWM模块,OUTR、OUTG、OUT
国外及台湾+LED芯片(led+chip)厂家介绍
国外LED芯片(led chip)厂家介绍
日亚化工(株)(1)
日亚化工是GaN系的开拓者,在LED和激光领域居世界首位。在蓝色、白色LED市场遥遥领先于其他同类企
业。它以蓝色LED的开发而闻名于全球,与此同时,它又是以荧光粉为主要产品的规模最大的精细化工厂
商。它的荧光粉生产在日本国内市场占据70%的比例,在全球则占据36%的市场份额。荧光粉除了灯具
专用的以外,还有CRT专用、PDP专用、X光专用等类型,这成为日亚化工扩大LED事业的坚实基础。除此
以外,日亚化工还生产磁性材料、电池材料以及薄膜材料等精细化工制品,广泛地涉足于光的各个领域 。
在该公司LED的生产当中,70%是白色LED,主要有单色芯片型和RGB三色型两大类型。此外,该公司是世
界上唯一一家可以同时量产蓝色LED和紫外线LED两种产品的厂商。以此为基础,日亚化工不断开发出新
产品,特别是在SMD(表面封装)型的高能LED方面,新品层出不穷。
2004年10月,日亚化工开发出了发光效率为50lm/W的高能白色LED。该产品成功地将之前量产产品约
20lm/W的发光效率提高了2.5倍。同月底,日亚化工开始向特定客户提供这种产品的