led芯片的制作流程

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LED芯片制作

标签:文库时间:2024-10-06
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供参考

MOCVD实物图

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Hall measurement

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材料所的外延片

(002): 225arcsec (102) : 256 arcsec

强 度 计 数 (002) (102)-720 -360

ω (arcsec)

0

360

720

位错密度:8×107/cm2。

通过对GaN的生长模式、光、电、结晶性能、缺陷和位错进行 分析,获得位错密度低于1×108/cm2的未掺杂GaN材料。

供参考

强 度 A 计 数)BC 15.0 16.0 17.0 18.0 19.0 20.0

1.0μ m

1.0μ m

1.0μ m

A

B

C

2θ (degree)

供参考

图形衬底生长GaN

衬底截面

生长GaN截面

GaN表面

采用图形衬底,进一步提高了GaN质量。

供参考

在Si衬底上生长出了表面无裂纹的GaN材料。

x100

供参考

LED外延片产品

AlGaInP红光LED外延片

GaN基蓝光LED外延片

LED外延片电致发光

供参考

Room temperature properties of semiconductorssymbolCrystal structure Lattice constant

LED发光字制作流程

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发光字制作流程

LED发光字制作流程

目 录

一、LED灯串产品介绍及比较 1、LED灯串产品的概述 2、LED产品的应用范围 3、LED防水灯串的描述及特点 4、LED产品性能参数

5、LED照明与普通霓虹灯照明运营成本比较 6、户外广告载体性能比较 二.LED发光字相关材料介绍 1、发光字字体材料及加工方法 2、发光字线材 3、发光字控制单元 4、发光字变电箱 三、发光字前期设计 1、绘画字体并排孔 2、制作效果图 3、绘制施工图 四、发光字制作和组装 1、LED灯串安装插式及配线 2、控制单元的组装

发光字制作流程

五、发光字现场施工 1、招牌的安装 2、电力系统的安装 六、完成发光字案例

一、LED灯串产品介绍

1、LED灯串产品的概述

LED灯串产品,是采用先进的LED半导体芯片作为发光组件,通过科学的防水处理处理,使发光字安装方便,有效降低安装成本,大大提升品质,减少不良损耗, LED灯座双向取、装,让维护变得简单,彻底解决LED工程维护难的问题,是取代传统夜景照明和装饰的换代产品,是一种环保节能、科技含量很高、简洁明亮、亮化装饰及照明光源,专门用于立体字内的发光、各种标识、景观

LED发光字制作流程

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发光字制作流程

LED发光字制作流程

目 录

一、LED灯串产品介绍及比较 1、LED灯串产品的概述 2、LED产品的应用范围 3、LED防水灯串的描述及特点 4、LED产品性能参数

5、LED照明与普通霓虹灯照明运营成本比较 6、户外广告载体性能比较 二.LED发光字相关材料介绍 1、发光字字体材料及加工方法 2、发光字线材 3、发光字控制单元 4、发光字变电箱 三、发光字前期设计 1、绘画字体并排孔 2、制作效果图 3、绘制施工图 四、发光字制作和组装 1、LED灯串安装插式及配线 2、控制单元的组装

发光字制作流程

五、发光字现场施工 1、招牌的安装 2、电力系统的安装 六、完成发光字案例

一、LED灯串产品介绍

1、LED灯串产品的概述

LED灯串产品,是采用先进的LED半导体芯片作为发光组件,通过科学的防水处理处理,使发光字安装方便,有效降低安装成本,大大提升品质,减少不良损耗, LED灯座双向取、装,让维护变得简单,彻底解决LED工程维护难的问题,是取代传统夜景照明和装饰的换代产品,是一种环保节能、科技含量很高、简洁明亮、亮化装饰及照明光源,专门用于立体字内的发光、各种标识、景观

高亮度LED芯片生产工艺流程

标签:文库时间:2024-10-06
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高亮度LED芯片生产工艺流程

高亮度LED芯片生产分为芯片制作和芯片封装两大部分

一、芯片制作

外延片 去胶 退火 清洗 干法刻蚀 SiO2沉积 镀透明电极层 平台图形光刻 窗口图形光刻 透明电极图形光刻 去胶 SiO2腐蚀 腐蚀 去胶 退火 剥离 镀膜 预清洗 N极图形光刻 P极图形光刻 镀膜 剥离 研磨 切割 芯片

首先在衬低上制作氮化镓(GaN)基的晶圆,这个过程主要是在金属有机化学气相沉积晶圆炉(MOCVD)中完成的。准备好制作GaN基晶圆所需的材料源和各种高纯的气体之后,按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底,还有GaAs、AlN、ZnO等材料。

MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应,将所需的产物沉积在衬底表面。通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例,从而控制镀膜成分、晶相等质量。MOCVD外延炉是制作LED外延片最常用的设备。

然后是对LED PN结的两个电极进行加工,电极加工也是制作LED芯片的关键工序,包括清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨;然后对LED毛片进行划片、测试和分选,就可以得到所需的LED芯片。如果芯片清洗不够干净

高亮度LED芯片生产工艺流程

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高亮度LED芯片生产工艺流程

高亮度LED芯片生产分为芯片制作和芯片封装两大部分

一、芯片制作

外延片 去胶 退火 清洗 干法刻蚀 SiO2沉积 镀透明电极层 平台图形光刻 窗口图形光刻 透明电极图形光刻 去胶 SiO2腐蚀 腐蚀 去胶 退火 剥离 镀膜 预清洗 N极图形光刻 P极图形光刻 镀膜 剥离 研磨 切割 芯片

首先在衬低上制作氮化镓(GaN)基的晶圆,这个过程主要是在金属有机化学气相沉积晶圆炉(MOCVD)中完成的。准备好制作GaN基晶圆所需的材料源和各种高纯的气体之后,按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底,还有GaAs、AlN、ZnO等材料。

MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应,将所需的产物沉积在衬底表面。通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例,从而控制镀膜成分、晶相等质量。MOCVD外延炉是制作LED外延片最常用的设备。

然后是对LED PN结的两个电极进行加工,电极加工也是制作LED芯片的关键工序,包括清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨;然后对LED毛片进行划片、测试和分选,就可以得到所需的LED芯片。如果芯片清洗不够干净

LED芯片常用衬底材料

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LED芯片常用衬底材料选用比较

对于制作LED芯片来说,衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底,需要根据设备和LED器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底: 1. 蓝宝石(Al2O3) 2. 硅 (Si) 3. 碳化硅(SiC) 蓝宝石衬底

通常,GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点:首先,蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好;其次,蓝宝石的稳定性很好,能够运用在高温生长过程中;最后,蓝宝石的机械强度高,易于处理和清洗。因此,大多数工艺一般都以蓝宝石作为衬底。图1示例了使用蓝宝石衬底做成的LED芯片。

图1 蓝宝石作为衬底的LED芯片

使用蓝宝石作为衬底也存在一些问题,例如晶格失配和热应力失配,这会在外延层中产生大量缺陷,同时给后续的器件加工工艺造成困难。蓝宝石是一种绝缘体,常温下的电阻率大于1011Ω·cm,在这种情况下无法制作垂直结构的器件;通常只在外延层上表面制作n型和p型电极(如图1所示)。在上表面制作两个电极,造成了有效发光面积减少,同时增加了器件制造中的光刻和刻蚀工艺过程,结果使材料利用率降低、成本增加。由于P型

国内LED芯片厂家现状

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国内10大LED芯片厂排名

1、厦门三安光电

(主流全色系超高亮度LED芯片,各项性能指标领先,蓝、绿光ITO(氧化铟锡)芯片的性能指标已接近国际最高指标,在同行内具有较强竞争力。) 2、大连路美

(路美拥有上百个早期国际国内核心专利,范围横跨外延、芯片、封装、灯具、发光粉等。) 3、杭州士兰明芯

(其技术优势在于芯片制造工艺,同时受益母公司强大的集成电路和分立器件生产线经验。公司LED显示屏芯片的市场占有率超过50%,09年作为唯一的国产芯片厂商中标广场LED显示屏。) 4、武汉迪源光电

(武汉迪源目前的产品主要以0.5W和1W LED芯片为主,月产能为10-15KK,主要生产45、50和60mil的大功率LED芯片,同时迪源已拥有1项美国专利和4项中国专利。) 5、广州晶科电子

(是珠三角唯一一家大功率、高亮度、高稳定性蓝光LED芯片制造企业。晶科核心产品优势是功率型氮化镓蓝LED芯片和超大功率模组芯片(5W、10W、15W、30W等)。同时在美国和中国拥8项发明专利,并以每年申请2项发明专利的速度进行持续的技术创新,拥有晶片级倒装焊技术倒装大功率芯片制造技术及多芯片集成技术。) 6、上海蓝宝光电

(以中科院物理所为技术支撑,拥有成熟的大

LED芯片常用衬底材料

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LED芯片常用衬底材料选用比较

对于制作LED芯片来说,衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底,需要根据设备和LED器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底: 1. 蓝宝石(Al2O3) 2. 硅 (Si) 3. 碳化硅(SiC) 蓝宝石衬底

通常,GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点:首先,蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好;其次,蓝宝石的稳定性很好,能够运用在高温生长过程中;最后,蓝宝石的机械强度高,易于处理和清洗。因此,大多数工艺一般都以蓝宝石作为衬底。图1示例了使用蓝宝石衬底做成的LED芯片。

图1 蓝宝石作为衬底的LED芯片

使用蓝宝石作为衬底也存在一些问题,例如晶格失配和热应力失配,这会在外延层中产生大量缺陷,同时给后续的器件加工工艺造成困难。蓝宝石是一种绝缘体,常温下的电阻率大于1011Ω·cm,在这种情况下无法制作垂直结构的器件;通常只在外延层上表面制作n型和p型电极(如图1所示)。在上表面制作两个电极,造成了有效发光面积减少,同时增加了器件制造中的光刻和刻蚀工艺过程,结果使材料利用率降低、成本增加。由于P型

单线LED调光芯片的设计与实现

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单线LED调光芯片的设计与实现

1.引言

LED以其使用时间长、大视角、高亮度、色彩斑斓等特点而在近年来迅速的发展,它是继白炽灯、高强度放电灯、荧光灯之后第四代新能源。LED属于P/N结型半导体,它作为一种固态冷光源,与传统光源相比,具有耗电量小、环保、安全可靠、体积小的优点。为了加强节能减排的目,所以各种类型的LED驱动器中加上调光的功能是大势所趋。通常,LED驱动器的调光方式有3种:可控硅调光、模拟调光、PWM(脉宽调制)调光。每种调光方式都有其优点及局限性。为了便于数字信号控制,本芯片主要采用脉宽调制(PWM)来调光。脉冲宽度调制(PWM)就是脉冲调制方法中的一种,是指工作频率恒定(即工作周期不变),通过改变功率开关管导通时间或截止时间来改变占空比。占空比是指高电平在一个周期之内所占的时间比率,通过占空比的调整使输出电压稳定的方式。广泛应用在从测量、通信到功率控制与变换及LED照明等许多领域中。 2.芯片结构框图

图1所示为该调光芯片的结构框图,其中SDI用于接收数据,SDO用于数据的向后传输,振荡器为芯片提供时钟晶振,VLED为芯片提供电源,LDO为一线性稳压器,数字控制单元包括decode模块、PWM模块,OUTR、OUTG、OUT

国外及台湾+LED芯片(led+chip)厂家介绍

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国外LED芯片(led chip)厂家介绍

日亚化工(株)(1)

日亚化工是GaN系的开拓者,在LED和激光领域居世界首位。在蓝色、白色LED市场遥遥领先于其他同类企

业。它以蓝色LED的开发而闻名于全球,与此同时,它又是以荧光粉为主要产品的规模最大的精细化工厂

商。它的荧光粉生产在日本国内市场占据70%的比例,在全球则占据36%的市场份额。荧光粉除了灯具

专用的以外,还有CRT专用、PDP专用、X光专用等类型,这成为日亚化工扩大LED事业的坚实基础。除此

以外,日亚化工还生产磁性材料、电池材料以及薄膜材料等精细化工制品,广泛地涉足于光的各个领域 。

在该公司LED的生产当中,70%是白色LED,主要有单色芯片型和RGB三色型两大类型。此外,该公司是世

界上唯一一家可以同时量产蓝色LED和紫外线LED两种产品的厂商。以此为基础,日亚化工不断开发出新

产品,特别是在SMD(表面封装)型的高能LED方面,新品层出不穷。

2004年10月,日亚化工开发出了发光效率为50lm/W的高能白色LED。该产品成功地将之前量产产品约

20lm/W的发光效率提高了2.5倍。同月底,日亚化工开始向特定客户提供这种产品的