电子半导体集成电路行业

第1章 集成电路的基本制造工艺

1.6 一般TTL集成电路与集成运算放大器电路在选择外延层电阻率上有何区别?为什么? 答：集成运算放大器电路的外延层电阻率比一般TTL集成电路的外延层电阻率高。

第2章 集成电路中的晶体管及其寄生效应 复 习 思 考 题

2.2 利用截锥体电阻公式，计算TTL“与非”门输出管的rCS，其图形如图题2.2 所示。

提示：先求截锥体的高度

T?Tepi?xjc?xmc?epi?TBL?up 然后利用公式： rc1?lnb/a ，

WLa?b??TrC2?RS?BL?LE?C1? WBL2 rc3??TWL?lnb/a a?b rCS?rC1?rC2?rC3

注意：在计算W、L时, 应考虑横向扩散。

2.3 伴随一个横向PNP器件产生两个寄生的PNP晶体管，试问当横向PNP器件在4种可能的偏置情况下，哪一种偏置会使得寄生晶体管的影响最大?

答：当横向PNP管处于饱和状态时，会使得寄生晶体管的影响最大。

2.8 试设计一个单基

第1章 集成电路的基本制造工艺

1.6 一般TTL集成电路与集成运算放大器电路在选择外延层电阻率上有何区别?为什么? 答：集成运算放大器电路的外延层电阻率比一般TTL集成电路的外延层电阻率高。

第2章 集成电路中的晶体管及其寄生效应 复 习 思 考 题

2.2 利用截锥体电阻公式，计算TTL“与非”门输出管的rCS，其图形如图题2.2 所示。

提示：先求截锥体的高度

T?Tepi?xjc?xmc?epi?TBL?up 然后利用公式： rc1??TWLlnb/aa?b? ，

rC2?RS?BL?LE?CWBL?12

rc3??TWL?lnb/aa?b

rCS?rC1?rC2?rC3

注意：在计算W、L时, 应考虑横向扩散。

2.3 伴随一个横向PNP器件产生两个寄生的PNP晶体管，试问当横向PNP器件在4种可能的偏置情况下，哪一种偏置会使得寄生晶体管的影响最大?

答：当横向PNP管处于饱和状态时，会使得寄生晶体管的影响最大。

2.8 试设计一个单基

半导体集成电路封装项目

合作计划书

投资分析/实施方案

半导体集成电路封装项目合作计划书

半导体集成电路封装在中国集成电路产业的发展中，封装测试行业一

直保持着稳定增长的势头。特别是近几年来，中国集成电路封装行业在中

国产业升级大时代背景下，符合国家战略发展方向，有完善的政策资金支持，国内本土封装测试企业的快速成长；同时，国外半导体公司向国内大

举转移封装测试业务，中国的半导体集成电路封装行业充满生机。

该半导体集成电路封装项目计划总投资14086.18万元，其中：固定资

产投资11586.78万元，占项目总投资的82.26%；流动资金2499.40万元，占项目总投资的17.74%。

达产年营业收入17226.00万元，总成本费用13413.66万元，税金及

附加222.86万元，利润总额3812.34万元，利税总额4561.04万元，税后

净利润2859.26万元，达产年纳税总额1701.79万元；达产年投资利润率27.06%，投资利税率32.38%，投资回报率20.30%，全部投资回收期6.43年，提供就业职位266个。

本报告是基于可信的公开资料或报告编制人员实地调查获取的素材撰写，根据《产业结构调整指导目录（2011年本）》（2013年修正）的要求，依照“科学

化合物半导体高速集成电路 第一章 绪论

化合物半导体高速集成电路

前言

1.课程研究内容

? 介绍以GaAs为代表的化合物半导体材料与器件的基础知识和发展动态。

? 阐述典型的化合物半导体器件工作原理、制作工艺和基本特性及其在超高速微电子

学中的应用。

? 介绍微波单片集成电路的基本理论、制作工艺和设计方法。 2、课程目的

? 掌握化合物半导体材料与器件的基本知识与基本概念

? 掌握典型化合物半导体器件的制作工艺、基本原理和基本特性 ? 了解GaAs场效应管在混合微波集成电路中的应用 ? 掌握微波单片集成电路的设计和制作方法 3、成绩评定

平时成绩30%，期末考试成绩70%，采取闭卷考试，试题主要包括填空、名词解释、简答和计算题。 4、参考文献

《砷化镓微波场效应管及其集成电路》 李效白 主编 科学出版社 《高速GaAs集成电路》史常忻 等著 上海交通大学出版社 《超高速化合物半导体器件》 谢永贵 主编 宇航出版社

第1章 绪论

1.1化合物半导体材料及其器件概述 1.2 GaAs集成电路的发展和现状

1.1化合物半导体材料及其器件概述 1.1.1 化合物半导体材料的研究背景

硅作为第一代半导体材料被广泛应用

网址 http://data.ltmic.com

苏州市半导体集成电路行业企业名录113家2018最新版

苏州市半导体集成电路行业企业名录113家是由中国客户网编辑整理的最新企业名录，在工商登记资料的基础上，通过呼叫中心、专家分类等方法，收录了截止到2018年初所有在注册运营的半导体集成电路企业的最新信息，覆盖率在99%以上。并根据企业的经营指标，按照大中小三种规模进行了划分。本名录定期更新，剔除注销或不在经营的企业信息，增加新注册的企业内容，保证名录的及时性、有效性和准确性。更多信息版本，参见页眉网址。

公司名称 苏州布鲁特科自动化有限公司 昆山英群电子工业有限公司 苏州隆珀电子科技有限公司 苏州观胜半导体科技有限公司 煜瀚盛传动元件（昆山）有限公司 东方网力（苏州）智能科技有限公司 苏州感芯微系统技术有限公司 捷沃智能科技（苏州）有限公司 张家港市智恒电子有限公司 昆山顺鑫翔电子有限公司 苏州工业园区荣新华电子有限公司 苏州芯盟微电子有限公司 太极微电子（苏州）有限公司

半导体集成电路生产制造项目

商业计划书

投资分析/实施方案

报告摘要

据了解，2019年由于受世界经济发展的增速减缓、整机厂商的去库存

化等综合因素的干扰，全球半导体产业普遍处于下滑态势。作为半导体产

业里的关键产品之一，集成电路领域的发展趋势备受关注。

当前，大数据、云计算、物联网、人工智能等信息产业技术快速发展，持续为半导体产业提供强劲市场需求，全球集成电路产业将迎来新一轮的

发展机遇。

该半导体集成电路项目计划总投资13852.36万元，其中：固定资

产投资11001.86万元，占项目总投资的79.42%；流动资金2850.50万元，占项目总投资的20.58%。

达产年营业收入24859.00万元，净利润3974.24万元，达产年纳

税总额2296.50万元；达产年投资利润率38.25%，投资利税率45.27%，投资回报率28.69%，全部投资回收期4.99年，提供就业职位555个。

半导体集成电路生产制造项目商业计划书目录

第一章项目基本信息

第二章建设背景及必要性

第三章产业研究

第四章产品规划及建设规模

第五章工程设计可行性分析

第六章运营管理模式

第七章建设及运营风险分析

第八章 SWOT分析

第九章项目进度说明

第十章投资分析

第十一章项目经营效益

第十二章总结及建议

第一章项

第一部分 考试试题

第0章 绪论

1.什么叫半导体集成电路？

2.按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对应的英文缩写？ 3.按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？

4.按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类？ 5.什么是特征尺寸？它对集成电路工艺有何影响？

6.名词解释：集成度、wafer size、die size、摩尔定律？

第1章 集成电路的基本制造工艺

1.四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用？

2.在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件有何影响？。 3.简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤？ 4.简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤？

5.以p阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足？

6.以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？并请提出改进方法。 7. 请画出NPN晶体管的版图，并且标注各层掺杂区域类型。

8.请画出CMOS反相器的版图，并标注各层掺杂类型和输入输出端子。

第2章 集成电路中的晶体管及其寄生效应

1.简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略？。 2. 什么是集成双极晶体管的无源寄生效应？ 3. 什么是MOS晶体管的有源寄生效应？

半导体集成电路知识产权的法律保护(一)

摘要]集成电路作为一种工业产品应当受到相关知识产权法的保护。但是，传统的知识产权法律，如专利法、著作权法、商标法等均难以给予其适当的保护。于是有国家提出了特别法保护的模式。本文具体论述了专利法、著作权法、商标法、外观设计法等可能给集成电路提供的保护及这些保护方式存在的问题。在此基础上对特别法保护模式和集成电路布图设计权的属性进行了具体分析，进而推定布图设计权在知识产权体系中的地位。布图设计权作为一种独立的知识产权，其专有效力居于专利权与著作权之间。关键词]集成电路；布图设计权；知识产权现代信息技术以计算机技术为基础。而所谓计算机技术分为软件技术和硬件技术。关于软件技术对知识产权制度的影响，本文不予讨论。而在硬件技术中，集成电路技术则是最为重要的核心技术。早在20世纪70年代末，美国就曾有人断言：“像现在OPEC（石油输出国组织）左右世界一样，将来掌握了半导体技术的国家将左右整个世界。”1]正因为如此，各国对于集成电路的开发都给予了足够的重视。但与此同时，也有一些厂商采取非法手段获取他人技术秘密或者仿制他人产品，以牟取暴利。一般而言，开发一种普通的超大规模集成电路至少需要投入数百万美元，花费两三年的时间2

2011年清华大学研究生入学考试 半导体物理、器件及集成电路试题

150分，180分钟 （请将答案写在答题纸上）

一、 图示比较BJT和MOSFET饱和区，解释其产生物理机制

二、 （15分）列举MOSFET由于尺寸缩小引起的四种非理想效应，简要说明其产生的物理机制及对晶体管电学特性的影响

三、 （10分）考虑一个npn硅双极性晶体管，T=300K，参数如下：

NE?1018cm-3，NB?1016cm-3，DE?10cm2/s，DB?25cm2/s，

?B0??E0?10-7s，xE?1?m,xB?0.7?m。已知复合系数为1，求共基

极电流增益?、共发射极电流增益?。

四、 （15分）n+多晶硅P型MOSFET，空穴浓度NA?3?1016cm-3，氧化层电荷Qss'=1011cm-2，氧化层厚度为tox?0.05?m，相对介电常数为?ox?3.9，?s?11.7，?0?8.85?10-14F/cm，室温下

ni?1.5?1010/cm3 ，Vt?k0T?0.0259V。求以下三种情况的阈值电q压：（a）VBS?0V；（b）VBS?2V；（c）VBS?-2V

五、（15分）均匀的n型Si样品，在左半部用稳定的光照均匀产生电

第一部分 考试试题

第0章 绪论

1.什么叫半导体集成电路？

2.按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对应的英文缩写？ 3.按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？

4.按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类？ 5.什么是特征尺寸？它对集成电路工艺有何影响？

6.名词解释：集成度、wafer size、die size、摩尔定律？

第1章 集成电路的基本制造工艺

1.四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用？

2.在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件有何影响？。 3.简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤？ 4.简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤？

5.以p阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足？

6.以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？并请提出改进方法。 7. 请画出NPN晶体管的版图，并且标注各层掺杂区域类型。

8.请画出CMOS反相器的版图，并标注各层掺杂类型和输入输出端子。

第2章 集成电路中的晶体管及其寄生效应

1.简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略？。 2. 什么是集成双极晶体管的无源寄生效应？ 3. 什么是MOS晶体管的有源寄生效应？