数字电子技术第四版答案江晓安第三章

数字电子技术

第九章 半导体存储器和可编程逻辑器件

第九章 半导体存储器和可编程逻辑器件

9.1 半导体存储器9.2 可编程逻辑器件PLD

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第九章 半导体存储器和可编程逻辑器件

9.1 半导体存储器9.1.1 只读存储器ROMA0 A1 地址 输入 An-2 An-1 地 址 W0 W1图 9 — 1 N 字 位 M ROM

…

…译 码 W2n -2 W2n -1

存储矩阵 N×M

缓冲级 …

F1 F2

… Fn

结 构

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第九章 半导体存储器和可编程逻辑器件

W0 A1 地 W 址 1 译 W 2 码 器 W3

A0

R

R

R

R

三态控制 D3 D2

输出缓冲级 D1 D0

图 9 – 2 二极管ROM结构图

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第九章 半导体存储器和可编程逻辑器件

表 9 – 1 图 9 - 2 ROM的数据表

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第九章 半导体存储器和可编程逻辑器件

9.1.2 ROM在组合逻辑设计中的应用例如，在表9 -1 中，将输入地址A1A0视为输入变量，而将D3、D2、D1、D0视为一组输出逻辑变量，则D3、D2、 D1、 D0就是A1、A0的一组逻辑函数。D3 A1 A0 A1 A0 A1 A1 A1 A0 m0 m1 m

第六章 脉冲波形的产生和整形

[题6.1] 用施密特触发器能否寄存1位二值数据，说明理由。 [解] 不能，因为施密特触发器不具备记忆功能。

[题6.2] 在图P6.2（a）所示的施密特触发器电路中，已知R1?10k?，R2?30k?。G1和G2为CMOS反相器，VDD=15Ｖ。

（1）试计算电路的正向阈值电压ＶＴ＋、负向阈值电压ＶＴ－和回差电压△VT。

（2）若将图P6.2（b）给出的电压信号加到P6.2（a）电路的输入端，试画出输出电压的波形。

［解］

?R1??10?15?VT???1?V??R?TH?1?30??2V?10V??2??(1)

?R1??10?15?VT???1?V??R?TH?1?30??2V?5V??2??

?VT?VT??VT??5V

(2)

见图A6.2。

［题6.3］ 图P6.3是用ＣMOS反相器接成的压控施密特触发器电路，试分析它的转换电平ＶT+、VT- 以及回差电压△ＶT与控制电压ＶCO的关系。

?,则根据叠加定理得到 [解] 设反相器G1输入端电压为?IR2//R3R1//R3R1//R2?VCO??0R1?R2//R3R3?R1//R2R2?R1//R3

??V

第三章

思考题

1. 试说明集总参数法的物理概念及数学处理的特点

答：当内外热阻之比趋于零时，影响换热的主要环节是在边界上的换热能力。而内部由于热阻很小而温度趋于均匀，以至于不需要关心温度在空间的分布，温度只是时间的函数， 数学描述上由偏微分方程转化为常微分方程、大大降低了求解难度。

2. 在用热电偶测定气流的非稳态温度场时,怎么才能改善热电偶的温度响应特性?

答：要改善热电偶的温度响应特性，即最大限度降低热电偶的时间常数上要降低体面比，要选择热容小的材料，要强化热电偶表面的对流换热。

?c??cvhA,形状

3. 试说明”无限大平板”物理概念,并举出一二个可以按无限大平板处理的非稳态导热问题 答；所谓“无限大”平板，是指其长宽尺度远大于其厚度，从边缘交换的热量可以忽略 不计，当平板两侧换热均匀时，热量只垂直于板面方向流动。如薄板两侧均匀加热或冷却、 炉墙或冷库的保温层导热等情况可以按无限大平板处理。

4. 什么叫非稳态导热的正规状态或充分发展阶段?这一阶段在物理过程及数学处理上都有

些什么特点?

答：非稳态导热过程进行到一定程度,初始温度分布的影响就会消失，虽然各点温度仍 随时间变化,但过余温度的比值已与时间无关，只是几何位置(x/?)和边界

第三章 内存管理 习题

1.IBM360有一个设计，为了对2KB大小的块进行加锁，会对每个块分配一个4bit的密钥，这个密钥存在PSW（程序状态字）中，每次内存引用时，CPU都会进行密钥比较。但该设计有诸多缺陷，除了描述中所言，请另外提出至少两条缺点。

A：密钥只有四位，故内存只能同时容纳最多十六个进程；需要用特殊硬件进行比较，同时保证操作迅速。

2.在图3-3中基址和界限寄存器含有相同的值16384，这是巧合，还是它们总是相等？如果这只是巧合，为什么在这个例子里它们是相等的？

A：巧合。基地址寄存器的值是进程在内存上加载的地址；界限寄存器指示存储区的长度。

3.交换系统通过紧缩来消除空闲区。假设有很多空闲区和数据段随机分布，并且读或写32位长的字需要10ns的时间，紧缩128MB大概需要多长时间？为了简单起见，假设空闲区中含有字0，内存中最高地址处含有有效数据。

A：32bit=4Byte===>每字节10/4=2.5ns 128MB=1282^20=2^27Byte 对每个字节既要读又要写，22.5*2^27=671ms

4.在一个交换系统中，按内存地址排列的空闲区大小是10MB，4MB，20MB，18MB，7MB，9MB，12MB，和

王兆安的电力电子技术这本书真的特别好。现在奉献给大家其课后题答案。

目 录

第1章 电力电子器件·········································································1

第2章 整流电路·····

3.12 用乘法指令时，特别要注意先判断用有符号数乘法指令还是用无符号数乘法指令，这是为什么？ [ 解答 ] 用乘法指令时，特别要注意先判断用有符号数乘法指令还是用无符号数乘法指令，是因为在执行乘法运算时，要想使无符号数相乘得到正确的结果，有符号数相乘时，就得不到正确的结果；要想使有符号数相乘得到正确的结果，无符号数相乘时，就得不到正确的结果。

3.13 字节扩展指令和字扩展指令用在什么场合？举例说明。

[ 解答 ] 遇到两个字节相除时，要预先执行 CBW 指令，以便产生一个双倍长度的被除数。否则就不能正确的执行除法操作。 CWD 同理。

3.14 什么叫 BCD 码？什么叫组合的 BCD 码？什么叫非组合的 BCD 码？ 8086 汇编语言在对 BCD 码进行加、减、乘、除运算时，采用什么方法？

[ 解答 ] 在计算机中，可用 4 位二进制码表示一个十进制码，这种代码叫 BCD 码；用一个字节表示 2 位 BCD 码就是 BCD 码；计算机对 BCD 码进行加、减、乘、除运算，通常采用两种办法：一种是在指令系统中设置一套转专用于 BCD 码的指令；另一种方法是利用对普通二进制数的运算指令算出结果，然后用专门的指令对结果进行调整，或

第1章 电力电子器件

1. 使晶闸管导通的条件是什么？ uAK>0且uGK>0。

2. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？

答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：

答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。 于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 计算各波形的电流平均值Id1、Id2、Id3与电流有效值I1、I2、I3。

要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近

3. 图1-43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Im，试

0?4?a)2?0?4?5?4b)2?0?2c)2?

图1-43 图1-43 晶闸管导电波形

1解：a) Id1=

2πI1=

???4Imsin?td(?t)=

??42Im?1)?0.2717 Im (

2π212??(Imsin?t)2d(?t)=

Im231??0.4767 Im 42?1b) Id2 =

πI2 =

???4Imsin?td(?t)=

?2Im?1)?0.543

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第1章 电力电子器件·········································································1

第2章 整流电路·····

第1章 电力电子器件

1. 使晶闸管导通的条件是什么？ uAK>0且uGK>0。

2. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？

答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：

答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。 于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 计算各波形的电流平均值Id1、Id2、Id3与电流有效值I1、I2、I3。

要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近

3. 图1-43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Im，试

0?4?a)2?0?4?5?4b)2?0?2c)2?

图1-43 图1-43 晶闸管导电波形

1解：a) Id1=

2πI1=

???4Imsin?td(?t)=

??42Im?1)?0.2717 Im (

2π212??(Imsin?t)2d(?t)=

Im231??0.4767 Im 42?1b) Id2 =

πI2 =

???4Imsin?td(?t)=

?2Im?1)?0.543

第四版王兆安 刘进军 电力电子技术

[电力电子技术]王兆安 刘进军 机械工业出版社 习题答案_第四版

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目 录

第1章 电力电子器件

第2章 整流电路

4

20 1

第3章 直流斩波电路

第4章 交流电力控制电路和交交变频电路 26

第5章 逆变电路

31

第6章 PWM控制技术 35

第7章 软开关技术 40

第8章 组合变流电路

42

第四版王兆安 刘进军 电力电子技术

m

第1章 电力电子器件

1. 使晶闸管导通的条件是什么？

答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0。

2. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？

答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。

要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。

3. 图1-43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Im，试计算各波形的电流平均值I