电子科技大学全日制自考本科

目录

电子科技大学制订全日制硕士专业学位研究生培养方案基本要求 (1)

全日制研究生课程编号、课程分级及研究生获取课程学分计算说明 (3)

翻译硕士全日制专业学位研究生培养方案 (10)

新闻与传播硕士全日制专业学位研究生培养方案 (14)

机械工程领域全日制硕士专业学位研究生培养方案 (18)

光学工程领域全日制硕士专业学位研究生培养方案 (22)

仪器仪表工程领域全日制硕士专业学位研究生培养方案 (26)

材料工程领域全日制硕士专业学位研究生培养方案 (30)

电子与通信工程领域（通信与信息系统方向）全日制硕士专业学位研究生培养方案 (34)

电子与通信工程领域（电路与系统方向）全日制硕士专业学位研究生培养方案 (39)

电子与通信工程领域（电磁场与微波技术方向）全日制硕士专业学位研究生培养方案 (43)

电子与通信工程领域（信号与信息处理方向）全日制硕士专业学位研究生培养方案 (47)

电子与通信工程领域（微电子学与固体电子学方向）全日制硕士专业学位研究生培养方案 (51)

电子与通信工程领域（物理电子学方向）全日制硕士专业学位研究生培养方案 (55)

电子与通信工程领域（光通信工程方向）全日制硕士专业学位研究生培养方案 (59)

电子与通信工程领域（微波通信工程方向

电子科技大学（英文名：University of Electronic Science and Technology of China, UESTC，原成都电讯工程学院），简称电子科大或成电（得名于原校名成都电讯工程学院），教育部直属全国重点大学，国家“211工程”和“985工程”重点建设高校。学校坐落于四川省会成都，于1956年由上海交通大学、南京工学院（现东南大学）、华南工学院（现华南理工大学）三所院校的电子信息类学科合并创建而成，为中国最早的七所重点国防院校之一，现为中华人民共和国教育部直属高等学校。 1956年（成都电讯工程学院）

编辑本段学校地址

沙河校区：四川省成都市建设北路二段四号 清水河校区：四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 九里堤校区：四川省成都市九里堤北路15号

编辑本段历史沿革

电子科技大学是中央部属高校，教育部直属的全国重点大学，1997年首批成为国家“211工程”重点建设大学；国家“985工程”重点建设大学的行列。 与哈工大、上海交大并列为“我国最早的七所重点国防院校之一”。全国72所教育部直属高等学校之一。 学校坐落于“天府之国”四川的省会，西南经济、文化、交通中心——成都市。

桂林电子科技大学 第二届三次教职工代表大会

代表名单

正式代表：（ 233人 ）

第一代表团 12人 （机电工程学院）

团长：黄美发 副团长：孙亮波

杨道国 程 华（女） 宋宜梅（女） 莫秋云（女） 孙永厚 范兴明 李 震 李彩林 龚雨兵 古天龙

第二代表团18人（信息与通信学院）

团长：苏朝善 副团长：丰 硕

林基明 刘庆华（女） 何 宁 姜 兴（女） 叶 进（女） 符 强 王守华 张法碧 张向利（女） 王卫东 赵中华 马春波 赵秋明 欧阳宁 何志毅 周怀营

第三代表团15人（计算机科学与工程学院）

团长：胡 琳 副团长：黄廷辉

方进一 王 鑫 邓珍荣（女） 石 华（女） 刘建明 张文辉（女） 钟艳如（女） 黄廷磊 黄文明 常 亮 湛永松 张华成 李思敏

4

第四代表团12人（艺术与设计学院）

团长：黄永安 副团长：黎成茂

武有能 叶德辉 汤志坚 龚东庆 彭馨弘（女） 窦建玲（女） 葛俊杰 陈旭（女） 刘翠玉（女） 黄家城

第五代表团 12人（商学院）

团长：董雄报 副团

篇一：这才是真正的电子科技大学

这才是真正的电子科技大学（一个成电学生的感悟）

2013-03-04 07:53阅读：1,741

这篇博文我想了很久，起初是想用一贯的调侃语气来写的，但是反复掂量觉得不妥，那天强子说，刚入大一，学长的最初指导非常重要，所以为了能让大家有点感觉，我选择比较正式的语气来写。按理说这篇博文我写是太早了，因为我本人都没有做好当学长的准备，就算是自己对大学的一点点小感悟吧，送给将要到来的你们。

首先，欢迎来到电子科技大学，UESTC。你可以简称为电子科大，或者成电。但是不要简称为电科大，习惯而已。UESTC的意思，是University of Electronic Science and Technology of China，最后两个词是of China，不是of Sichuan，或者of Chengdu。成电的意思，是成都电讯工程学院，是学校的前身，也代表当年傲世全国的霸气。

我知道的一点是，电子科大是很多没有考上清华的人的第二选择，或者说，是保底选择。现在在看日志的你，也许就是其中的一员。但是不管怎么样，大学是一个新的开始，你会发现，你引以为豪的高考成绩，其实实在是没有一点点参考价值。况且，在这里似乎你还不敢说你的高考成绩就

电子科技大学UESTC实习报告

电子科技大学 通信与信息工程学院

生 产 实 习

学号：2010013040010

电子科技大学UESTC实习报告

一、实习目的和任务

基于ADS软件的低通滤波器设计

二、实习内容和要求

实习要求：1、在老师的指导下，安装ADS软件，学习ADS软件的基本应用。

2、掌握ADS软件应用之后，利用ADS软件完成低通滤波器的设计和仿真应用。 设计指标：截止频率：1.2GHz； 设计方案：

利用椭圆函数滤波器设计并仿真，经过优化后，结果调出来的波形能达到指标，但波形会形成带阻波形，只能实现在一定范围内低通。所以不选。

利用切比雪夫滤波器设计并仿真，经过优化调试后可用。 利用ADS自带的集总方式得出切比雪夫低通滤波器的阶数如下图

可得阶数n=11

之后直接利用集总生成切比雪夫滤波器，然后用如下图的功能把切比雪夫滤波器中的电感、电容转换为微带线

低通滤波器集总参数模型如图

原理图设计并加T型接口如图

电子科技大学UESTC实习报告

转换过程中把电介质设为2.2，基板厚度设为0.8mm(这里使用的是已经验证可用)。把转换完的11阶微带电路复制到另一个新建设计面页，连成如下图所示，并连成如下电路，参数、变量什么的都设完后自动优化加手动都达不到理想波形，通过讨论

2?|?|1 输入随即信号X(t)的自相关函数RX(?)?a?be式中a,b为正常数，试

求单位冲击响应h(t)?e??tU(t)的系统输出均值（??0）。

2 设线性系统的单位冲击响应h(t)?te?3tU(t)，其输入是具有功率谱密度为4V2/Hz的白噪声与2V直流分量之和，试求系统输出的均值、方差和均方值。 3 设有限时间积分器的单位冲击响应h(t)?U(t)?U(t?0.5)，它的输入是功率谱密度为10V2/Hz的白噪声，试求系统输出的均值、均方值、方差、和输入输出互相关函数。

4 设系统的单位冲击响应为h(t)??(t)?2e?2tU(t)，其输入随机信号的自相关

?2|?|函数RX(?)?16?16e，试求系统输出的（总）平均功率和交流平均功率。

5 电路如图题5所示。设输入白噪声的自相关函数RX(?)?S0?(?)，试求电路输出的平均功率。

4Ω31Ω+X(t)+Y(t)1F81F6-图题5

6 某系统的传递函数

H(?)?j??aj??b-

??|?|若输入平稳随机信号的自相关函数为RX(?)?e，输出记为Y(t)，试求互

相关函数RXY(?)。（??b）。

7 某控制系统如图题7所示。若输入宽平稳随机信号的功率谱密度

SX(s)?

篇一：全国MBA院校学费一览表

全国MBA院校学费一览表

北京大学光华管理学院

国际MBA项目12.8万，全日制MBA班10.8万，在职MBA班12.8万元清华大学

国际MBA项目13.8万，全日制MBA班9.8万元，在职MBA班12.8万元复旦大学

国际MBA项目13万，在职MBA项目12万，Asia MBA项目15万上海财经大学

在职MBA项目7.8万，全日制MBA项目8.8万

上海交通大学

在职MBA项目11.8万，全日制MBA项目12.8万，CLFM项目15.8万中国人民大学

IMBA（国际MBA）11.8万，全日制MBA项目9.8万元，在职MBA项目10.8万中山大学管理学院

全日制班（含国际班、双语班）9万，在职班（含国际班、双语班）9 万中山大学岭南学院

国际MBA项目10万，在职MBA项目9万

南开大学MBA项目

国际班MBA项目12.8万，全日制MBA班10.8万，在职MBA班12.8万西北大学MBA项目 4万元人民币

北京理工大学MBA项目5.5万元人民币

中央民族大学MBA项目5万元/人

南京航空航天大学MBA项目 5.5万元，教材费1000元

上海外国语大学MBA项目 7万元人民币（含资料费）

天津大学MBA项目 6万元

对外经济贸易大学MBA项目 7

导师介绍

机电工程学院各学科博、硕士研究生导师（按姓氏笔划排序）

工程力学（080104）

硕士生导师：仇原鹰 徐亚兰 陈贵敏 杨 勇

机械制造及其自动化（080201）

博士生导师：仇原鹰 李团结 苏玉鑫 陈建军 郑 飞 段宝岩 贾建援 周德俭（兼）

硕士生导师：马洪波 马 娟 王芳林 李 凯 杜淑幸 邵晓东 陈建军 郑 飞 段江涛 赵 克 殷 磊 崔明涛 曹鸿钧 陈永琴 孔宪光 仝勖峰 许 威 杨东武

机械电子工程（080202）

博士生导师：段宝岩 郑晓静 仇原鹰 王 龙 李志武 邵晓东 陈建军 周孟初 贾建援 黄 进 王从思 陈贵敏 邱 扬 田文超 平丽浩(兼) 周德俭(兼) 杜敬利 Alessandro Giua Witold Pedrycz

硕士生导师：马伯渊 仇原鹰 王从思 田文超

第一次试验

1.画出公式y=cos(x)*(5=8*sin(x))+x*e –x 分别画在0-2x内取1000个的曲线图，和x=【-3,3】取0.01间隔的曲线图

x1=linspace(0,2*pi,100);

y1=cos(x1).*(5+8*sin(x1))+x1.*exp(-x1); subplot(2,1,1); plot(x1,y1); x2=-3:0.01:3;

y2=cos(x2).*(5+8*sin(x2))+x2.*exp(-x2); subplot(2,1,2); plot(x2,y2)

2.画出公式x=cos（t+a），y=sin（2t），其中a=0，π/6，π/3，π/2，在4个子图中画出曲线

t=-10:0.001:10; c1=0;

x1=cos(t+c1); y1=sin(2*t); subplot(2,2,1); plot(x1,y1); c2=pi/6;

x2=cos(t+c2); y2=sin(2*t); subplot(2,2,2); plot(x2,y2); c3=pi/3;

x3=cos(t+c3); y3=sin(2*t); subplot(2,2,3); plot(x3,y3); c4=pi/2

第二章 PN结

填空题

1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为NA=1.5×1016cm-3，则室温下该区的平衡多子浓度pp0与平衡少子浓度np0分别为（ ）和（ ）。

2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（ ）电荷，N区一侧带（ ）电荷。内建电场的方向是从（ ）区指向（ ）区。

3、当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为（ ）。由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（ ）。

4、PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（ ），内建电场的最大值就越（ ），内建电势Vbi就越（ ），反向饱和电流I0就越（ ），势垒电容CT就越（ ），雪崩击穿电压就越（ ）。

5、硅突变结内建电势Vbi可表为（ ），在室温下的典型值为（ ）伏特。

6、当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（ ），势垒区的势垒高度会（ ）。 7、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（ ），势垒区的势垒高度会（ ）。 8、在P型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度np与外加电压V之间的关系可表示为（ ）。若P型